绿色荧光体和包含该绿色荧光体的等离子体显示面板制造技术

本发明专利技术公开了用于等离子体显示装置的新型绿色荧光体材料。该绿色荧光体材料含有：含有锌硅酸盐氧化物的材料，作为主体材料；掺杂元素，从由Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ及其结合组成的组中选择。掺杂元素的掺杂量为摩尔百分比０．１％至１０％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种绿色荧光体和包含该绿色荧光体的等离子体显示面板。更具体地讲，本专利技术涉及一种具有减小的衰减时间的绿色荧光体和包含该绿色荧光体的等离子体显示面板。
技术介绍
等离子体显示面板(PDP)是利用等离子体现象的平板显示装置，等离子体现象也称为气体放电现象。这是因为当大于一定水平的电势被施加到非真空状态气体氛围下的彼此分开的两个电极时，在装置中发生放电。在等离子体显示面板中，这样的气体放电现象被用来显示图像。目前，通常使用的等离子体显示面板是反射交流驱动等离子体显示面板。在这种等离子体显示面板中，在后基底(下面，称为第一基底)上，荧光体层形成在由障肋划分的放电室中。在前基底(下面，称为第二基底)上，设置显示电极和覆盖显示电极的电介质层。在等离子体显示面板中最常用的绿色荧光体是Zn2SiO4:Mn2+。Zn2SiO4:Mn2+具有亮度高和颜色纯的优点。然而，这种绿色荧光体的衰减时间较长，因而在执行运动图像显示方面出现难题。另外，这种绿色荧光体在提供它的亮度方面也存在局限性。在该
技术介绍
部分公开的上述信息只是为了增强对本专利技术的背景的理解，而不构成现有技术的陈述。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供了一种绿色荧光体，该绿色荧光体包含含有锌硅酸盐氧化物矩阵的材料，所述锌硅酸盐氧化物矩阵掺杂有选自由Ca、Mg、Sr和Ba组成的组的至少一种掺杂剂。掺杂的锌硅酸盐氧化物矩阵含有所述至少一种掺杂剂的量为相对于锌和所述至少一种掺杂剂的总量的从大约0.1％摩尔百分比至大约10％摩尔百分比。在上述的绿色荧光体中，在掺杂的矩阵中，锌可被所述至少一种掺杂剂部分地取代。掺杂的锌硅酸盐氧化物矩阵可用化学式Zn2(1-x)M2xSiO4:Mn2+表示。M代表所述至少一种掺杂剂，其中x的范围为从大约0.001至大约0.1。在所述化学式中，M可代表两种或多种掺杂剂，所述两种或多种掺杂剂可以以基本上相等或不等的摩尔比包含在所述矩阵中。化学式中的x的范围可为从0.01至0.05。掺杂的锌硅酸盐氧化物矩阵可包括这样的部分，在所述部分中，所述至少一种掺杂剂基本上均匀地分布。掺杂的锌硅酸盐氧化物矩阵可包括这样的部分，在所述部分中，所述至少一种掺杂剂不均匀地分布。上述绿色荧光体发射具有衰减时间小于或等于9ms的绿色光。绿色荧光体发射具有衰减时间的范围为从大约3ms至大约7ms的绿色光。绿色荧光体发射波长在525±大约40nm的范围内的光。该绿色荧光体可用于等离子体显示器。本专利技术的另一方面提供了一种包含绿色荧光体的等离子体显示装置。所述绿色荧光体包含含有锌硅酸盐氧化物矩阵的材料，在所述锌硅酸盐氧化物矩阵中，锌被选自由Ca、Mg、Sr和Ba组成的组的至少一种元素部分地取代，所述矩阵含有这样的部分，在所述部分中，含有的所述至少一种元素的量为相对于所述部分中锌和所述至少一种元素的总量的从大约0.1％摩尔百分比至大约10％摩尔百分比。上述等离子体显示装置还可包括放电室，含有绿色荧光体；至少两个电极，与放电室相关联，并被构造成激发放电室以在放电室内产生等离子体放电，其中，所述等离子体放电激发绿色荧光体，从而发射绿光。所述矩阵可用下面的化学式表示Zn2(1-x)M2xSiO4:Mn2+，其中，M代表所述至少一种元素，其中x的范围为从大约0.001至大约0.1。所述的装置还可包括红色荧光体和蓝色荧光体。本专利技术的另一方面提供了一种发射绿色光的方法，该方法包括提供包括放电室的等离子体显示装置，所述放电室含有上述的绿色荧光体；激励等离子体显示装置，以在放电室内产生等离子体放电，其中，所述等离子体放电激发绿色荧光体并导致绿色荧光体发射绿色光。绿色光的波长可在525±大约40nm的范围内。绿色光发射可具有小于或等于大约9ms的衰减时间。绿色光发射可具有范围为从大约3ms至大约7ms的衰减时间。绿色荧光体的矩阵用下面的化学式表示Zn2(1-x)M2xSiO4:Mn2+，其中，M代表所述至少一种掺杂剂，其中x的范围为从大约0.001至大约0.1。M可代表两种或多种掺杂剂，所述两种或多种掺杂剂可以以基本上相等或不等的摩尔比包含在所述矩阵中。本专利技术的一个实施例提供了一种绿色荧光体，其中，锌硅酸盐氧化物中的锌被另一组分取代，从而具有减小的衰减时间。本专利技术的另一实施例提供了一种包含绿色荧光体的等离子体显示面板。根据本专利技术的实施例，提供了这样的绿色荧光体，在该绿色荧光体中，包含作为受主材料的锌硅酸盐氧化物和从由Ca、Mg、Sr、Ba及其组合组成的组中选择的掺杂元素。掺杂元素的掺杂量为摩尔百分比0.1％至10％。还提供了一种包含绿色荧光体的等离子体显示面板。附图说明包含在说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并与描述一起用来解释本专利技术的原理，其中图1是示出等离子体显示面板的结构的局部分解透视图。具体实施例方式下面将参照附图详细描述本专利技术的实施例。在本专利技术的实施例中，锌硅酸盐氧化物绿色荧光体(Zn2SiO4:Mn2+)中的锌被一种或多种元素如Ca、Mg、Sr和Ba代替，导致锌硅酸盐氧化物的晶体结构或晶格结构改变，改善了绿色荧光体的衰减时间特性。在锌硅酸盐氧化物绿色荧光体(Zn2SiO4:Mn2+)中，锌硅酸盐氧化物的催化剂Mn2+应具有d-d跃迁。跃迁的初始状态和最终状态具有相同的偶函数，因而跃迁通常是禁止的。然而，Mn2+的电子结构是不完整的，因而外围的原子可允许禁态跃迁。然而，这样的跃迁进行的较慢，导致大于大约10ms的衰减时间。虽然本专利技术不限于任何理论，但是专利技术人认为减少跃迁可降低绿荧光体的衰减时间。通过改变催化剂Mn2+的环境能够实现这样的禁态跃迁的减少。这是因为催化剂Mn2+的电子结构受它的环境的影响很大。根据本专利技术一个实施例的绿荧光体包括掺杂有一种或多种元素的锌硅酸盐氧化物矩阵。能够改变催化剂的环境的可选的掺杂剂包括Ca、Mg、Sr和Ba。更具体地讲，掺杂剂定位在锌硅酸盐氧化物的晶体矩阵或晶格矩阵的一些锌位置中。在一些实施例中，只有一种元素被用作掺杂剂。在另外的实施例中，两种或多种不同的元素代替锌硅酸盐氧化物中的锌。在实施例中，以一种或多种掺杂剂取代锌的量在相对于锌和至少一种掺杂剂的总量按摩尔百分比0.1％至10％的范围内。在实施例中，掺杂的绿色荧光体包含一部分矩阵，在该矩阵中掺杂剂基本上均匀地分布在晶体结构或晶格结构中。在一些实施例中，掺杂的绿色荧光体包含一部分矩阵，在该矩阵中掺杂剂不均匀地分布在晶体结构或晶格结构中。在另外的实施例中，掺杂的绿色荧光体用下面的化学式1表示Zn2(1-x)M2xSiO4:Mn2+(1)在上面的化学式1中，M是选自由Ca、Mg、Sr和Ba组成的组的掺杂剂。虽然本专利技术不限于任何理论，但是恰当的解释是M取代锌硅酸盐氧化物(Zn2SiO4:Mn2+)中的一些锌，从而改变母相结构，这改变了催化剂Mn2+的环境，导致光发射的衰减时间减小。在一些实施例中，M代表两种或多种掺杂剂。在含有两种或多种掺杂剂的实施例中，这两种或多种掺杂剂以大约相同的量或基本不同的量包含在绿色荧光体中。在一个实施例中，M代表Ca和Mg。在实际的实施例中，Ca和Mg的摩尔比可极大地变化。在上面的化学式1中，x代表M的掺杂比。在一些实施例中，掺杂比可以在大本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绿色荧光体，包括：含有锌硅酸盐氧化物矩阵的材料，所述锌硅酸盐氧化物矩阵掺杂有选自由Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ和Ｂａ组成的组中的至少一种掺杂剂，其中，掺杂的锌硅酸盐氧化物矩阵含有所述至少一种掺杂剂的量为相对于锌和所述至少一种掺杂剂的总量的从 大约０．１％摩尔百分比至大约１０％摩尔百分比。

【技术特征摘要】
KR 2005-7-29 10-2005-00694611.一种绿色荧光体，包括含有锌硅酸盐氧化物矩阵的材料，所述锌硅酸盐氧化物矩阵掺杂有选自由Ca、Mg、Sr和Ba组成的组中的至少一种掺杂剂，其中，掺杂的锌硅酸盐氧化物矩阵含有所述至少一种掺杂剂的量为相对于锌和所述至少一种掺杂剂的总量的从大约0.1％摩尔百分比至大约10％摩尔百分比。2.如权利要求1所述的绿色荧光体，其中，在所述掺杂的锌硅酸盐氧化物矩阵中，以所述至少一种掺杂剂部分地代替锌。3.如权利要求1所述的绿色荧光体，其中，所述掺杂的锌硅酸盐氧化物矩阵用下面的化学式1表示Zn2(1-x)M2xSiO4:Mn2+(1)，其中，M代表所述至少一种掺杂剂，其中x的范围为从大约0.001至大约0.1。4.如权利要求3所述的绿色荧光体，其中，M代表两种或多种掺杂剂，其中，所述两种或多种掺杂剂以基本上相等或不等的摩尔比包含在所述矩阵中。5.如权利要求3所述的绿色荧光体，其中，化学式1中的x的范围为从0.01至0.05。6.如权利要求1所述的绿色荧光体，其中，所述掺杂的锌硅酸盐氧化物矩阵包括这样的部分，在所述部分中，所述至少一种掺杂剂基本上均匀地分布。7.如权利要求1所述的绿色荧光体，其中，所述掺杂的锌硅酸盐氧化物矩阵包括这样的部分，在所述部分中，所述至少一种掺杂剂不均匀地分布。8.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金玲宽，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]