记录层、光信息记录介质及溅射靶制造技术

技术编号:31508701 阅读:31 留言:0更新日期:2021-12-22 23:43
本发明专利技术提供一种记录层、光信息记录介质及溅射靶。本发明专利技术的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层,包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种,且在全部金属原子中,包含10原子%以上且60原子%以下的Fe、合计为3原子%以上且50原子%以下的Ta及Nb。3原子%以上且50原子%以下的Ta及Nb。3原子%以上且50原子%以下的Ta及Nb。

【技术实现步骤摘要】
记录层、光信息记录介质及溅射靶
[0001]相关分案申请
[0002]本专利申请是申请号为201980015237.8的名称为“记录层、光信息记录介质及溅射靶”的专利技术专利申请的分案申请,原申请的申请日是2019年05月22日。


[0003]本专利技术涉及一种记录层、光信息记录介质及溅射靶(sputtering target)。

技术介绍

[0004]以例如压缩盘(Compact Disc,CD)、数字多功能盘(Digital Versatile Disc,DVD)等光盘(optical disc)为代表的光信息记录介质分类为再生专用、追记型以及重写型的三种。其中,作为追记型光盘的记录方式,例如已知有记录层的材料发生相变的方式、记录层的材料发生反应的方式、记录层的材料发生分解的方式、在记录层开设孔的方式等。
[0005]这些中,作为记录层的材料发生分解的方式,在日本专利特开2012

139876号公报中提出了使用锰(Mn)氧化物的方法,在日本专利特开2011

62981号公报中提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种记录层,其是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层,其特征在于,包含:钨氧化物;铁氧化物;钽氧化物及铌氧化物中的至少任一种;以及锰氧化物、铜氧化物、锌氧化物、银氧化物、铝氧化物中的至少一种,且在全部金属原子中,包含10原子%以上且60原子%以下的铁、且包含合计为3原子%以上且50原子%以下的钽及铌。2.根据权利要求1所述的记录层,其平均厚度为15nm以上且60nm以下。3.一种光信息记录介质,包括如权利要求1或2所述的记录层。4.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员:田内裕基
申请(专利权)人:株式会社神户制钢所
类型:发明
国别省市:

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