一种基于NCFET的差动放大器电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于NCFET的差动放大器电路，包括：M1、M2、M3、M4构成的差动对，负责控制放大器的增益。其中的M1、M2、M3和M4均为N型NCFET，负责接收差模输入电压。M5、M6均为P型MOSFET，用于增大差动放大器的差动增益。M7为N型NCFET，为差动放大器提供偏置电流。NCFET铁电薄膜的电容为C

【技术实现步骤摘要】
一种基于NCFET的差动放大器电路


[0001]本专利技术涉及模拟集成电路领域，具体来说是提出了一种基于负电容场效应晶体管(Negative Capacitance Field Effort Transistor，NCFET)亚阈值特性的差动放大器，以降低传统差动放大器的功耗。

技术介绍

[0002]当晶体管特征尺寸进入10nm以内后，亚阈值区的性能退化现象更加显著，器件的亚阈值摆幅增大，使得其阈值电压和工作电压不能等比例减小。为满足高集成度低功耗器件的需求，基于铁电薄膜的NCFET被提出。NCFET是一种在金属
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氧化物
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半导体场效应晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field Effort Transistor，MOSFET)的栅电极与氧化层间加入铁电材料薄膜的器件。这种结构能够降低晶体管的亚阈值摆幅(Sub
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threshold Swing，SS)，使得栅电容与沟道电容的比值降低，反映为负电容(Negative Cap本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于NCFET的差动放大器电路，其特征在于：包括：M1、M2、M3、M4构成的差动对，负责控制放大器的增益；其中的M1、M2、M3和M4均为N型NCFET，负责接收差模输入电压；M5、M6均为P型MOSFET，用于增大差动放大器的差动增益；M7为N型NCFET，为差动放大器提供偏置电流。2.根据权利要求1所述的一种基于NCFET的差动放大器电路，其特征在于：所述的差动放大器中，M1为N型NCFET，其栅极输入为Vin1，漏极与M5的漏极相连，并作为差动放大器的输出端V
out1
；M2为N型NCFET，其栅极输入电压为V
in2
，漏极与M6的漏极相连，并作为差动放大器的输出端V
out2
；M3为N型NCFET，其漏极与M5的漏极相连，栅极输入电压为V
in2
；M4为N型NCFET，其漏极与M6的漏极相连，栅极输入电压为V
in1
；M5、M6均为P型MOSFET，其栅极输入电压同为外加偏置电压V
BP
，两晶体管的源极均与电源V
DD
连接；M7为N型NCFET，其漏极与M1、M2、M3、M4的源极相连，源极与地相连，栅极受外接电压V
cont
控制，以控制尾电流I
ss
的大小。3.根据权利要求1所述的一种基于NCFET的差动放大器电路，其特征在于：所述的NCFET薄膜材料为含有6％Al，厚度为2.5nm的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高志远，马鹏宇，陈志杰，万培元，张煜，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：