一种铋离子掺杂的锗酸盐基橙色长余辉材料及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种铋离子掺杂的锗酸盐基橙色长余辉材料，由Bi

【技术实现步骤摘要】
一种铋离子掺杂的锗酸盐基橙色长余辉材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及发光材料领域，尤其涉及一种铋离子掺杂的锗酸盐基橙色长余辉材料及其制备方法。

技术介绍

[0002]长余辉材料是一种储能材料。它们在受到辐照时，能够吸收和储存阳光、紫外光、X射线等的能量，将俘获的载流子(电子或者空穴)储存在能级陷阱中，并在移除激发源后仍可继续发光，衰减时间延长到秒、分钟甚至数小时。目前，长余辉材料的主要用途是黑暗环境中的指示照明，比如用于紧急通道照明，火险的指示牌等。同时，长余辉发光材料还可以应用于装饰、夜视监视、光纤温度计、生物成像和高能射线探测等领域。因此，长余辉材料是一种非常具有应用前景的材料。
[0003]长余辉荧光粉由两部分构成，即基质和激活离子。以往在紫外光激发下，发射的长余辉材料的基质主要有两类：一类是硫化物(如ZnS:Cu、CaS:Bi、ZnCdS:Cu)和铝酸盐、硅酸盐。其中，硫化物材料的性能不稳定，在空气中易分解，使荧光粉的发光性能大大降低，甚至会分解放出有毒的硫化氢气体，危害环境和健康。以SrAl2O4:Eu
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铋离子掺杂的锗酸盐基橙色长余辉材料，其特征在于，由Bi
3+
掺杂锗酸盐得到，且所述橙色长余辉材料的化学通式为：Ba1‑
x
ZnGeO4:xBi
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；其中，0.01≤x≤0.04。2.根据权利要求1所述的铋离子掺杂的锗酸盐基橙色长余辉材料，其特征在于，所述橙色长余辉材料的主相结构为六方晶系；并且，橙色长余辉材料的化学通式Ba1‑
x
ZnGeO4:xBi
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中，Bi离子取代晶体中的Ba离子，x表示取代率。3.根据权利要求1所述的铋离子掺杂的锗酸盐基橙色长余辉材料，其特征在于，所述橙色长余辉材料由含Ba化合物、含Zn化合物、含Ge化合物和含Bi化合物混合后烧结而成。4.根据权利要求3所述的铋离子掺杂的锗酸盐基橙色长余辉材料，其特征在于，所述含Ba化合物为Ba的氧化物、碳酸盐、草酸盐、醋酸盐、硝酸盐、氢氧化物中的一种或多种混合物。5.根据权利要求3所述的铋离子掺杂的锗酸盐基橙色长余辉材料，其特征在于，所述含Zn化合物为Zn的氧化物、碳酸盐、草酸盐、醋酸盐、硝酸盐、氢氧化物中的一种或多种混合物。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈冰雁，刘梅真，王雷，王彩路，倪进东，周如龙，蒋阳，陈雷，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：