用于非常大面积基片的真空处理室制造技术

根据本发明专利技术的大尺寸基片ＰＥＣＶＯ处理的等离子体反应器，包括作为外室的真空处理室和带有电极喷头作为ＲＦ天线的至少一个内部反应器，所述内部反应器还包括反应器底部和反应器顶部，至少在等离子体反应器内基片处理期间密封式地连接，并至少在基片装载／卸载期间分开。进一步的实施例包括用于反应器顶部／底部的密封和用于ＲＦ天线／电极喷头的悬挂件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于非常大面积基片的真空处理装置，尤其是带有平面偏差补偿机构的PECVD处理室(相应地为内部反应器)。
技术介绍
本专利技术大体涉及大面积PECVD处理室并特别涉及这种自身再次封闭在第二环绕真空室内的室。此“盒中盒”(Plasma BoxTM)现有技术已知，并在美国专利No.4,798,739中作了介绍。此“盒中盒”的主要优点是可保持在外部气密室内比在内部反应器室内更低的压力，使得控制气流可保持从内室到外室(“差分泵送”)。此“盒中盒”系统的进一步优点是内部室可保持在恒定的处理温度，一般大约250-350℃(等温的反应器)。因此通过恒定地保持在处理温度，此内部反应器允许一致的温度分布并因此允许一致的整体沉积速率。但随着越来越大基片(超过2m×2m)的出现，越来越难以保持内部反应器基本上平坦，并因此难以保持内部反应器能够符合所要求的生产规格以及装载和卸载基片。由于包含在PECVD中的化学试剂的活性，因此铝合金是经济材料的选择铝是能够抵抗PECVD过程化学试剂腐蚀的多个已知材料中一种，化学试剂例如含氟气体和物质。但不幸的是，铝合金趋于在升高的温度下出现蠕变，而且甚至耐蠕变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于大尺寸基片处理的等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）的等离子体反应器，包括作为外室的真空处理室（１９）和带有处理气体供给部（２２）的至少一个内部反应器；以及电连接到作为ＲＦ天线的电极喷头（２５）的ＲＦ供给部（２４），所述内部反应器还包括反应器底部（６）和反应器顶部（２），其至少在所述等离子体反应器内在基片处理期间密封式地连接，并至少在所述基片装载／卸载期间分开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-11-24 60/630,6671.一种用于大尺寸基片处理的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的等离子体反应器，包括作为外室的真空处理室(19)和带有处理气体供给部(22)的至少一个内部反应器；以及电连接到作为RF天线的电极喷头(25)的RF供给部(24)，所述内部反应器还包括反应器底部(6)和反应器顶部(2)，其至少在所述等离子体反应器内在基片处理期间密封式地连接，并至少在所述基片装载/卸载期间分开。2.根据权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于所述真空处理室(19)呈现带有室门阀(20)的开口，允许所述基片到所述真空处理室(19)中的装载和卸载。3.根据权利要求1或2所述的等离子体反应器，其特征在于所述反应器底部内的销(8)支撑待处理的所述基片(7)。4.根据权利要求1-3中任一项所述的等离子体反应器，其特征在于所述反应器底部(6)可垂直地移动，以分开和密封反应器顶部(2)和反应器底部(6)。5.根据权利要求1-4中任一项所述的等离子体反应器，其特征在于密封板(9，9a)与反应器顶部(2)的侧壁(11)相互作用，以密封式被压靠在所述反应器底部(6)上。6.根据权利要求5所述的等离子体反应器，其特征在于在所述内部反应器的所述关闭状态，所述密封板(9a)设计为通过弹簧(10)压到所述反应器底部(6)内侧和所述反应器侧壁(11)。7.根据权利要求5所述的等离子体反应器，其特征在于密封隔件(9b)设置在所述密封板(9a)的中心下方。8.根据权利要求1-5中任一项所述的等离子体反应器，其特征在于加强件(1)支撑反应器顶部(2)和/或反应器底部(6)。9.根据权利要求8所述的等离子体反...

【专利技术属性】
技术研发人员：P埃恩格，L德劳内伊，S约斯特，M埃亚考比，
申请(专利权)人：OC欧瑞康巴尔斯公司，
类型：发明
国别省市：LI[列支敦士登]