一种射频前端发射模块及相控阵雷达前端芯片制造技术

技术编号:31502413 阅读:30 留言:0更新日期:2021-12-22 23:22
本发明专利技术公开了一种射频前端发射模块,包括依次连接的有源倍频器、功率放大器和移相器;有源倍频器包括依次连接的输入匹配网络、耦合网络、有源倍频核以及输出匹配网络,其中,耦合网络包括功分器网络和第一耦合器网络;移相器包括依次连接的第一开关网络、第二耦合器网络以及第二开关网络;第一开关网络的输入端连接功率放大器的输出端,第二开关网络的输出端为整个射频前端发射模块的输出端。本发明专利技术提供的射频前端发射模块大大提高了芯片集成度,减小了模块面积;且大大降低了各部分的级联损耗,有利于提升模块整体性能。有利于提升模块整体性能。有利于提升模块整体性能。

【技术实现步骤摘要】
一种射频前端发射模块及相控阵雷达前端芯片


[0001]本专利技术属于集成电路
,具体涉及一种射频前端发射模块及相控阵雷达前端芯片。

技术介绍

[0002]相控阵雷达是一种采用相控阵天线的电子扫描雷达,相控阵天线则是由多个天线子单元组合而成,在每个天线子单元都有一路射频收发结构,采用相控阵技术的雷达天线波束的灵活性和自适应程度都非常的高,诸多优点使得其越来越受到研究人员的青睐,广泛的运用于军事、探测、汽车雷达等各个方面。
[0003]射频前端发射模块主要通过功率放大器将调制后的射频信号放大到一定的功率值,再将放大后的射频信号通过天线发送出去。目前,主流的射频前端发射模块一般包括开关、滤波器、功率放大器等器件,这些器件电路结构比较复杂,难以高度集成,从而导致射频前端模块的体积较大,且各部分的级联损耗较大,影响了系统性能。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题,本专利技术提供了一种射频前端发射模块及相控阵雷达前端芯片。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现:
[0005]一种射频前端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频前端发射模块,其特征在于,包括依次连接的有源倍频器(1)、功率放大器(2)和移相器(3);其中,所述有源倍频器(1)包括依次连接的输入匹配网络(11)、耦合网络(12)、有源倍频核(13)以及输出匹配网络(14),其中,所述耦合网络(12)包括功分器网络(121)和第一耦合器网络(122);所述输入匹配网络(11)的一端接入输入信号Pin,另一端连接所述功分器网络(121)的输入端;所述功分器网络(121)的输出端连接所述第一耦合器网络(122)的输入端,所述第一耦合器网络(122)的输出端连接所述倍频核(13);所述移相器(3)包括依次连接的第一开关网络(31)、第二耦合器网络(32)以及第二开关网络(33);所述第一开关网络(31)的输入端连接所述功率放大器(2)的输出端,所述第二开关网络(33)的输出端为整个射频前端发射模块的输出端。2.根据权利要求1所述的射频前端发射模块,其特征在于,所述输入匹配网络(11)包括串联的第一电容(C1)和第一微带线(L1),所述第一电容(C1)的一端作为整个电路的输入端接入输入信号,所述第一微带线(L1)的一端连接所述功分器网络(21)的输入端。3.根据权利要求1所述的射频前端发射模块,其特征在于,所述功分器网络(121)包括一个二功率分配器,以将一路输入信号均分为两路输出。4.根据权利要求3所述的射频前端发射模块,其特征在于,所述第一耦合器网络(122)包括耦合器1和耦合器2,其中,所述耦合器1和所述耦合器2的输入端分别连接所述二功率分配器的两个输出端;所述耦合器1的耦合端和直通端开路,所述耦合器2的耦合端和直通端接地;所述耦合器1和所述耦合器2的隔离端作为第一耦合器网络(122)的输出连接所述有源倍频核(13)。5.根据权利要求1所述的射频前端发射模块,其特征在于,所述有源倍频核(13)包括第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2),其中,所述第一晶体管(M1)的栅极连接所述耦合器1的耦合端,所述第二晶体管(M2)的栅极连接所述耦合器2的隔离端;所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)的源极均接地;所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)的漏极连接并作为有源倍频核(13)的输出连接所述输出匹配网络(14)。6.根据权利要求5所述的射频前端发射模块,其特征在于,所述第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)均采用GaN HEMT工艺设计。7.根据权利要求5所述的射频前端发射模块,其特征在于,所述输出匹配网络(14)包括第二微带线(L2)、第三微带线(L3)、第二电容(C2)和第三电容(C3);其中,所述第二微带线(L2)的第一端连接所述第一晶体管(M1)和所述第二晶体管(M2)的漏极公共端,所述第二微带线(L2)的第二端连接所述第三微带线(L3)、所述第二电容(C2)的第一端、所述第三电容(C3)的第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员:马晓华刘文良卢阳赵子越易楚朋王语晨
申请(专利权)人:西安电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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