半导体器件和半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括半导体晶圆、正面金属层和第一背金层，在通孔中填充设置有导电导热层，导电导热层至少延伸至通孔的孔口处，用于封堵住通孔的孔口，以阻挡焊料进入到通孔内，避免了在焊接过程中和后续使用过程中焊料侵蚀背部通孔侧壁金属和正面金属，进而避免了焊料侵蚀通孔侧壁背金导致通孔电阻增大的问题，也防止了焊料穿过通孔到达第一表面，提高了芯片的可靠性，同时由于导电导热层填充在通孔内，避免通孔处于中空状态，提高背部通孔的导电、导热能力。能力。能力。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件和半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]对于射频功率器件，通常使用背部通孔技术实现源极接地。背部通孔从芯片背面贯穿衬底和半导体层，直达芯片正面源极金属下方。通过在背部通孔底部、侧壁和衬底背面覆盖金属，实现将芯片正面源极金属与背面金属连接。芯片封装时，通过焊料（AuSn）将芯片背面金属与框架粘接在一起，实现芯片源极接地。
[0003]现有技术中，芯片背面通孔以及衬底背面仅仅覆盖有背金层，通孔内为中空结构，在实际焊接时，焊料金属会进入到通孔，并扩散穿过背金层到达芯片的正面，从而导致正面源极金属变形或损坏，进而导致器件失效。并且，由于焊料与背金层直接接触，使得焊料与背部金属互溶，且焊料电阻大于背部金属的电阻，这样会导致背部金属接地电阻升高。同时由于通孔在焊接时仍然保持至少部分中空状态，导致芯片使用时导电、导热性能较差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体晶圆，所述半导体晶圆具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述半导体晶圆第一表面的正面金属层；设置在所述半导体晶圆第二表面的第一背金层；其中，所述半导体晶圆的第二表面设有贯通所述半导体晶圆至所述正面金属层的通孔，所述第一背金层还设置在所述通孔的侧壁并和所述正面金属层电连接，且所述通孔中填充设置有导电导热层，所述导电导热层至少延伸至所述通孔的孔口处，用于封堵所述通孔的孔口，以阻挡焊料进入所述通孔。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电导热层为多孔金属结构，并由金属浆料烘烤固化后形成。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括设置在所述第一背金层表面的第二背金层，所述第二背金层覆盖在所述导电导热层上。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电导热层由所述通孔的孔口处向周围延伸，并覆盖在所述第一背金层的表面。5.根据权利要求1
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4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述导电导热层和所述第一背金层之间还设置有第一阻挡金属层，所述第一阻挡金属层用于避免所述导电导热层和所述第一背金层之间的互扩散。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一背金层的表面还设置有第二阻挡金属层，所述第二阻挡金属层覆盖在所述导电导热层上，所述第二阻挡金属层用于阻挡所述导电导热层向外扩...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨天应，刘丽娟，吴文垚，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：