一种制作硅微通道板二次电子发射层的方法技术

本发明专利技术公开了一种制作硅微通道板二次电子发射层的方法，包括步骤：Ａ１．按照一定比例配制氧化镁冰乙酸溶液；Ａ２．将硅微通道板放置于所述氧化镁冰乙酸溶液内，用超声波加振所述氧化镁冰乙酸溶液一段时间，使溶液充分进入微通道并吸附于内表面；Ａ３．在真空装置中加热硅微通道板，固化其表面的氧化镁。本发明专利技术设备成本低，工艺过程简单，技术难度小，整个制备时间相对较短，所沉积的材料二次电子发射系数高，是制作硅微通道板二次电子发射层方法的一大进步。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电真空器件
，具体涉及一种制作硅微通道板(Si-MCP) 二次电子发射层的方法。技术背景微通道板(MCP)是一种二维连续电子倍增的电真空器件，由许多 具有连续电子倍增能力的通道按一定的几何图案排列而成。当在其输 入、输出两端加上一定的电场时，就能对极其微弱的二维电子图像进行 倍增或放大。由于微通道板本身对大多数荷电粒子、部分高能粒子和短 波光(紫外线、X射线等)具有一定的量子探测效率，故可以直接用来探 测。从理论上讲，微通道板可以对一切粒子和电磁辐射实施有效的纟罙测， 因而微通道板在微光夜视、航空航天探测、核探测及大型科学仪器领域 有着广泛的应用。自1958年Dalton申请制造CGW8161玻璃的专利以来的50年间， 标准硅酸盐玻璃微通道板制造工艺获得了飞速发展，并在美、英、法、 荷、前苏写关等国的许多公司形成批量生产。微通道斧反玻璃经过氢气还原 处理后,就形成了表面导电层或电子发射层。这种所谓的氢气还原工艺已 发展得比较成熟，目前仍是商业用微通道板的实用技术方法。传统的MCP工艺采用玻璃多纤维拉制(GMD)工艺其工艺流程 如图l所示，首先由碱铅硅酸盐玻璃本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作硅微通道板二次电子发射层的方法，其特征在于，包括步骤：　　　　Ａ１、按照一定比例配制氧化镁冰乙酸溶液；　　　　Ａ２、将硅微通道板放置于所述氧化镁冰乙酸溶液内，用超声波加振所述氧化镁冰乙酸溶液一段时间，使溶液充分进入微通道并吸附于内表面；　　　　Ａ３、在真空装置中加热硅微通道板，固化其表面的氧化镁。

【技术特征摘要】
1、一种制作硅微通道板二次电子发射层的方法，其特征在于，包括步骤A1、按照一定比例配制氧化镁冰乙酸溶液；A2、将硅微通道板放置于所述氧化镁冰乙酸溶液内，用超声波加振所述氧化镁冰乙酸溶液一段时间，使溶液充分进入微通道并吸附于内表面；A3、在真空装置中加热硅微通道板，固化其表面的氧化镁。2、 根据权利要求1所述的制作硅微通道板二次电子发射层的方法， 其特征在于所述步骤A1中，所述氧化镁水乙酸溶液的配置比例i殳为1(MgO): 30 (冰乙酸)...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛丽红，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]