【技术实现步骤摘要】
一种高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法
[0001]本专利技术属于电子材料与金属材料
，具体涉及一种高晶面择优取向铜箔的室温电沉积快速制备方法。
技术介绍
[0002]电解铜箔是电子行业的重要基础材料之一，在电子行业应用广泛。随着电动汽车的快速发展，锂电池的需求迅速增加，铜箔作为锂电池负极集流体的主要材料，其性能对锂电池性能起着及其重要的作用。普通商用锂电铜箔大多为电解铜箔，生产工艺简单成熟，然而电解铜箔制备过程中需要使用多种添加剂，如光亮剂、整平剂和表面活性剂等，这些添加剂的使用会降低铜箔的电导率并引入杂质，可能会损害晶粒生长进而损害其机械性能。并且商用电解铜箔均为多晶铜箔，内部含有的众多晶界也会损害其电性能以及机械性能。
[0003]制备具有高度晶面择优取向的电解铜箔，可以改善由于晶界导致的电性能以及机械性能降低的问题；该室温下的电沉积制备方式，电解液组成简单，无添加剂的影响，操作便捷，有望于进行大规模生产以替代普通电解铜箔的制备工艺，提升电子产品性能。
技术实现思路
[0004]本专利...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高晶面择优取向铜箔，其特征在于，所述铜箔具有高度的铜(111)或铜(220)晶面择优取向。2.一种高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法，其特征在于包括以下步骤：步骤1)：配制250g/L硫酸铜溶液，用浓硫酸调节溶液pH值为0.9
‑
1.1；步骤2)：取上述硫酸铜溶液作为电解液，以铜片作为阳极金属材料，以钛片作为阴极金属材料，然后将阴极和阳极同时浸入到硫酸铜电解液中，利用电化学工作站设置沉积参数，进行电沉积；步骤3)：从电解液中取出阴极，用稀硫酸和去离子水交替清洗，冷风吹干，即可得到具有高度晶面择优取向的铜箔。3.根据权利要求2所述高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法，其特征在于，所述步骤1)中硫酸铜采用纯度≥98％的五水合硫酸铜试剂进行配制。4.根据权利要求2所述高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方式，其特征在于，所述步骤2)中阳极金属材料按以下方式制备而来：将纯度为99.99％、厚度为0.3mm的铜片依次用稀硫酸、去离子水、无水乙醇清洗，冷风吹干得到阳极金属材料。5.根据权利要求2所述高晶面择优取铜箔的室温电沉积制备方法，其特征在于，所述步骤2)...
【专利技术属性】
技术研发人员：严振华，罗中跃，陈军，程方益，李海霞，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。