等离子体显示面板制造技术

所揭示的是一种等离子体显示面板（ＰＤＰ），它包括为覆盖ＰＤＰ的介电层而形成的保护层。保护层包括氧化镁（ＭｇＯ）材料和掺杂物元素。使用响应速度比单晶氧化镁的响应速度高的、经烧结的氧化镁作为氧化镁材料。掺杂物包括第一掺杂物和第二掺杂物。第一掺杂物包括钙（Ｃａ）、铝（Ａｌ）和硅（Ｓｉ），而第二掺杂物包括铁（Ｆｅ）、锆（Ｚｒ）或它们的组合。通过使用掺杂了掺杂物的、经烧结的氧化镁作为保护层，减小了保护层的温度依赖性，并且得到高的响应速度。保护层的改进特性提高了等离子体显示面板的放电稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体显示面板(PDP)。尤其，本专利技术涉及包括包含掺杂物 元素的保护层的等离子体显示面板。通过使用作为保护层的掺杂了掺杂物的经 烧结的材料，减少了保护层的温度依赖性，并且得到了高的响应速度。保护层 的改进特性提高了 PDP的放电稳定性。
技术介绍
等离子体显示面板(PDP)是通过用真空紫外线(VUV)激励荧光体而显示 图像的一种显示设备，所述真空紫外线是通过放电单元中的气体放电而产生 的。随着PDP能够制成具有高分辨率的宽屏幕，注意力已经集中在作为下一代 平板显示器的PDP上。等离子体显示面板一般具有3电极表面力文电型结构。在3电极表面放电型 结构中，等离子体显示面板包括实质上相互平行放置的前基板和后基板。在前 基板上，设置了每个都包括两个电极的显示电极。在前基板上设置了介电层以 覆盖显示电极。在后基板上设置了寻址电极。由阻隔肋(barrier rib)分开前 基板和后基板之间的空间以形成充满放电气体的多个放电单元。此外，在后基 板上设置荧光体层。为了经济性的原因， 一般通过印刷过程来形成电极、阻隔肋和介电层。然 而，当通过印刷过程形成时，介电层变厚，因此这种层的质量要比通过薄膜形 成过程形成的层差。在等离子体显示面板的工作期间，离子溅射以及还有放电产生的电子会损 坏介电层和形成在介电层下面的电极。因此，存在交流电PDP使用寿命缩短的 问题。在减少放电期间离子轰击导致损坏的尝试中，在介电层上放置薄到仅为几 百纳米(nm)厚的保护层。通常，用氧化镁(MgO)来形成PDP的保护层。MgO 保护层可以通过降低放电电压和通过保护介电层不受离子溅射伤害而延长交流 电(AC)型PDP的使用寿命。然而，因为保护层的特性随薄膜形成条件而变化，所以保护层造成难于得到均匀的显示质量。保护层可以引起由寻址放电延迟(即，丢失了一次寻址放 电)导致的黑噪声，这种现象发生在所选中要发光的单元没有发光的情况中。 在某些区域中发生黑噪声。具体地，倾向地发生在发光区域和非发光区域之间 的界面中。当不存在寻址放电时或当产生强度较低的扫描放电时会产生黑噪声。此外，Mg0保护层直接接触放电气体，因此构成保护层的成分的特性和保 护层的薄膜形成的特性大大地影响PDP的放电特性。Mg0保护层的特性取决于 组分成分和诸如沉积等薄膜形成条件。因此，需要在最优化组成成分方面进行 研究以提高PDP的显示质量。由单晶MgO或通过烧结方法制备的MgO来构成保护层材料。与单晶材料相 比，经烧结的材料具有高响应速度的优点。但是，它存在温度依赖性的问题， 即，它的响应时间根据环境温度而变化，因此使放电可靠性和驱动稳定性大大 地变差。为了这个原因，经烧结的材料不适宜作为大批量生产的材料。相反地，单晶材料具有低的温度依赖性。然而，它的响应速度低，因此导 致由单个扫描来驱动PDP，从而在高分辨率PDP中不能用单晶材料。
技术实现思路
本专利技术的一个目标是提供一种等离子体显示面板，这种等离子体显示面板 由于降低了放电特性的温度依赖性和增加了响应速度而提高了放电稳定性，结 果提高了显示质量，这是通过在等离子体显示面板的氧化镁(Mg0)薄膜保护层 中添加掺杂物元素而达到的。本专利技术的另一个目标是提供一种等离子体显示面板，这种等离子体显示面 板通过具体地确定掺杂在Mg0薄膜保护层中的掺杂物元素和掺杂物元素的量来 防止黑噪声和提高显示质量。根据本专利技术的一个实施例，提供了一种等离子体显示面板(PDP)，它包括 第一基板、形成在第一基板内表面上的寻址电极、与第一基板隔开并面对第一 基板的第二基板、形成在第二基板内表面上的显示电极、形成在第二基板内表 面上并覆盖显示电极的介电层、以及形成在介电层上的保护层。保护层包括氧化镁(Mg0)和摻杂物元素。掺杂物元素包括第一掺杂物元素 和第二掺杂物元素。第一掺杂物元素包括钙(Ca)、铝(A1),和硅(Si),而从包 括铁(Fe)、锆(Zr)和它们的组合的组中选择第二掺杂物元素。基于MgO的质量， 第一掺杂物元素中Ca含量的质量为100 ppm到300 ppm。根据本专利技术的另一个实施例，保护层包括作为第二掺杂物元素的铁(Fe)。 在这种情况下，基于MgO的质量，Ca含量的质量约为100 ppm到300 ppm，最 好是质量为160 ppm到180 ppm。基于MgO的质量，Al含量的质量约为150 ppm 到250 ppm，最好是质量为190 ppm到210 ppm。基于Mg0的质量，Si的含量 的质量约为40 ppm到150 ppm，最好是质量为100 ppm到120 ppm。基于MgO 的质量，Fe含量的质量约为10ppm到40ppm，最好是质量为20 ppm到30 ppm。铝(Al)的含量的最优化范围可以根据第二掺杂物元素的种类而变化。当 第二掺杂物元素中包括锆(Zr)时，基于MgO的质量，Al含量的质量约为150 ppm 到250 ppm,最好是质量为150 ppm到170 ppm。附图说明当参考下述详细说明连同附图对说明和附图较好地理解时，本专利技术的完整 的理解和许多伴随的优点将变得显而易见，在附图中，相同的标号表示相同或相似的元件，其中图l是透视图，示出作为本专利技术一个实施例而构成的等离子体显示面板； 图2是曲线图，示出作为钓(Ca)掺杂含量的函数的放电延迟时间； 图3是曲线图，示出作为铁(Fe)掺杂含量的函数的放电延迟时间； 图4是曲线图，示出作为铝(AU掺杂含量的函数的放电延迟时间； 图5是曲线图，示出作为硅(Si )掺杂含量的函数的放电延迟时间； 图6是曲线图，示出图2到图5所示的放电延迟时间；以及 图7是曲线图，示出根据第二例子1到4和根据本专利技术的第二对比例子1和2构成的等离子体显示面板的放电延迟时间。具体实施方式将参考附图在下文中描述本专利技术的一个示范性实施例。本专利技术一个实施例的等离子体显示面板包括可以提高PDP的显示质量的氧 化镁(MgO)保护层。使用经烧结的MgO材料作为本专利技术中的PDP保护层材料， 因为这有可能定量地掺杂预定的掺杂物成分来提高放电特性和在其固溶体极限 中(within a sol id-solut ion limitation)完全控制掺杂物成分的量。所以当在单晶MgO材料中掺杂摻杂物时，很难定量地控制诸如硅(Si )之类的 特定掺杂物。因此，在本专利技术的一个实施例中，在经烧结的MgO材料或MgO的 源材料的制备过程中定量地添加特定的掺杂物，然后使用热沉积来形成MgO薄膜层。结果，可以使PDP放电期间的寻址放电延迟时间最小化，并且可以全面提高显示质量。根据本专利技术的一个实施例，把特定的掺杂物元素定量地掺杂到经烧结的Mg0材料以降低经烧结的Mg0材料的温度依赖性，并且保持经烧结的Mg0材料 优于单晶Mg0材料的优点，这大大地提高了放电稳定性和可靠性。摻杂物元素包括第一掺杂物元素(诸如钙(Ca)、铝(A1)或硅(Si))，和第 二掺杂物元素(诸如铁(Fe)、锆(Zr)和它们的组合)。通过掺杂物元素的交互 作用来提高等离子体显示面板的放电稳定性。本专利技术一个实施例的保护层包括 Mg0、和包括Ca、 Al和Si的第一掺杂物元素以及从包含Fe、 Zr和它们的组合 的组中选择的第二掺杂物元素。在下面的说明中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示面板（ＰＤＰ）包括：介电层；以及形成在所述介电层上的保护层；所述保护层包括氧化镁（ＭｇＯ）、第一掺杂物和第二掺杂物；所述第一掺杂物包括钙（Ｃａ）、铝（Ａｌ）和硅（Ｓｉ），所述第二掺杂物选自由铁（Ｆｅ）、锆（Ｚｒ）和它们的组合构成的组，以及基于ＭｇＯ的含量，所述Ｃａ含量的质量为１００到３００ｐｐｍ。

【技术特征摘要】
KR 2006-10-16 10-2006-01004831.一种等离子体显示面板(PDP)包括介电层；以及形成在所述介电层上的保护层；所述保护层包括氧化镁(MgO)、第一掺杂物和第二掺杂物；所述第一掺杂物包括钙(Ca)、铝(Al)和硅(Si)，所述第二掺杂物选自由铁(Fe)、锆(Zr)和它们的组合构成的组，以及基于MgO的含量，所述Ca含量的质量为100到300ppm。2. 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化 镁的质量，所包括的钙含量的质量约为160 ppm到约为180卯m。3. 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化 镁的质量，包括在所述保护层中的硅含量的质量约为40 ppm到约为150 ppm。4. 如权利要求3所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化 镁的质量，所包括的硅含量的质量约为100 ppm到约为120 ppm。5. 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述第二摻杂 物包括铁，并且基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的铝含量的质量 约为150 ppm到约为250 ppm。6. 如权利要求5所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化 镁的质量，所包括的铝含量的质量约为190 ppm到约为210 ppm。7. 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述第二掺杂 物包括铁，并且基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的铁含量的质量 约为10 ppm到约为40 ppm。8. 如权利要求7所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧化 镁的质量，所包括的铁含量的质量约为20 ppm到约为30 ppm。9. 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述第二掺杂 物包括锆，并且基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的铝含量的质量 约为150 ppm到约为170 ppni。10. 如权利要求1所述的等离子体显示面板，其特征在于，所述第二掺杂 物包括锆，以及基于所述氧化镁的质量，包括在所述保护层中的锆含量的质量约为40 ppm到约为100 ppra。11. 如权利要求10所述的等离子体显示面板，其特征在于，基于所述氧 化镁的质量，所包括的锆含量的质量约为50 ppm到约为80 ppm。12. —种等离子体显示面板(PDP)包括 形成在第二基板的内表面上并覆盖显示电极的介电层；以及形成在所述介电层上的保护层；所述保护层包括氧化镁(Mg0)、钙(C...

【专利技术属性】
技术研发人员：金基东，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]