一种自支撑金属钨薄膜及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种自支撑金属钨薄膜及其制备方法与应用，属于材料制备技术领域。上述方法包括：采用直流磁控溅射方式于基底表面沉积钨薄膜，冷却以使钨薄膜与基底分离。磁控溅射条件包括：溅射气压为＞0且≤1Pa，溅射功率为50

【技术实现步骤摘要】
一种自支撑金属钨薄膜及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及材料制备
，具体而言，涉及一种自支撑金属钨薄膜及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]钨，化学元素符号是W，具有高硬度，高熔点、高电导性、优良的热稳定性、化学稳定性、高耐磨、高耐腐蚀等优异的物理化学性能。其主要用途为制造灯丝和高速切削合金钢、超硬模具，也用于光学仪器，化学仪器。
[0003]自支撑薄膜是指无衬底支撑而独立存在的薄膜，自支撑薄膜在转移和与其他材料复合方面更具优势。目前还未见有关自支撑金属钨薄膜的相关技术。
[0004]鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的之一在于提供一种自支撑金属钨薄膜的制备方法，该方法简单便捷、成本低廉、无化学污染，能够制备得到在无衬底支撑的条件下可独立存在的金属钨薄膜。
[0006]本专利技术的目的之二在于提供一种由上述制备方法制备而得的自支撑金属钨薄膜。
[0007]本专利技术的目的之三在于提供一种上述自支撑金属钨薄膜的应用。
>[0008]第一方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自支撑金属钨薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用直流磁控溅射方式于基底表面沉积钨薄膜，冷却以使钨薄膜与所述基底分离；直流磁控溅射条件包括：溅射气压为＞0且≤1Pa，溅射功率为50
‑
90W，溅射时间为1
‑
4h，氩气流量为20
‑
40sccm，靶基距为5.5
‑
6.5cm，所述基底的转速为1
‑
10r/min，所述基底的温度为200
‑
600℃。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，溅射气压为0.5Pa，溅射功率为80W，溅射时间为3h，氩气流量为30sccm，靶基距为6cm，所述基底的转速为7r/min，所述基底的温度为400℃。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述基底于200
‑
600℃条件下进行直流磁控溅射2.5
‑
3.5h。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，沉积所述钨薄膜前，还包括对所述基底进行前处理；优选地，前处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：符亚军，杨镜鑫，王进，曹林洪，黄亚文，
申请(专利权)人：西南科技大学，
类型：发明
国别省市：