【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光源装置。且特别涉及一种平面光源装置，例如是可以 产生所要的光的平面光源装置。
技术介绍
光源装置在日常生活中的使用非常广泛。传统的光源装置例如灯泡是通 过灯丝，于通电后由于高温而产生可见光源。此种灯泡是的光源基本上是点 状的。接着管状的光源也接着被发展出来。经过长时间的研发与改变，平面 光源的装置也被提出，例如广泛使用于平面显示器上。要产光源的机制有多种。图1绘示传统平面光源装置机制的剖面示意图。参阅图1，此发光机制是藉二电极结构100、 102与电源106连接，在操作电 压下产生电场，并利用气体放电，又称为等离子体放电(PlasmaDischarge)方 式促使气体104被游离，通过气体导电的方式使电子IIO撞击气体后产生跃 迁并发出紫外光，撞击到在电极结构102上对应不同颜色的荧光层108a、 108b、 108c,例如红、绿、蓝焚光层吸收紫外光后l更发出可见光112。于此， 电极结构100是出光面，因此一般要采用透光材料，其例如利用由玻璃基板 以及铟锡氧化物(ITO)的透明导电层所组成。另一种光源的产生机制是场发射(Field Emis...
【技术保护点】
一种光源装置，包括： 阴极结构； 阳极结构，其中该阴极结构与该阳极结构分别是面状结构且相互平行，以达到面状的光源； 荧光层，位于该阴极结构与该阳极结构之间；以及 低压气体层，填充于该阴极结构与该阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用； 其中该低压气体层有电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在操作电压下直接撞击该荧光层。
【技术特征摘要】
CN 2006-12-31 20061017257041.一种光源装置，包括阴极结构；阳极结构，其中该阴极结构与该阳极结构分别是面状结构且相互平行，以达到面状的光源；荧光层，位于该阴极结构与该阳极结构之间；以及低压气体层，填充于该阴极结构与该阳极结构之间，有诱导阴极均匀发射电子的作用；其中该低压气体层有电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在操作电压下直接撞击该荧光层。2. 如权利要求1所述的光源装置，其中该低压气体层的气压是在 10 1CT3 torr的范围内。3. 如权利要求1所述的光源装置，还包括边壁结构，用以将该阴极结构 与该阳极结构隔开，且构成密闭空间以构成该低压气体层。4. 如权利要求1所述的光源装置，其中该荧光层位于该阳极结构的第一 表面。5. 如权利要求1所述的光源装置，其中阴极结构同时具有光反射功能。6. 如权利要求1所述的光源装置，其中该阳极结构是透明结构。7. 如权利要求1所述的光源装置，其中该荧光层包含单层结构。8. 如权利要求1所述的光源装置，其中该荧光层包含有多区域,分别产 生对应频率的光。9. 如权利要求1所述的光源装置，其中该荧光层包含叠层结构或是混层 结构，包含有多种不同荧光材料。10. —种光源装置，包括 阴极结构；阳极结构，其中该阴极结构与该阳极结构分别是 面状结构，以达到面状的光源；焚光层，位于该阳极结构的第一表面上，面向该阴极结构； 光转换层，位于该阳极结构的第二表面上，接收由该焚光层被激发出的 第一波长光；以及 低压气体层，填充于该阴极结构与该阳极结构之间，有诱导阴极均匀发 射电子的作用；其中该低压气体层有电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在操 作电压下直接撞击该萸光层。11. 如权利要求10所述的光源装置，其中该低压气体层的气压是在10 1(T3 torr的范围内。12. 如权利要求IO所述的光源装置，还包括边壁结构，用以将该阴极结 构与该阳极结构隔开，且构成密闭空间以构成该低压气体层。13. 如权利要求IO所述的光源装置，其中该光转换层接收该第一波长光 后，转换成第二波长光。14. 一种光源装置，包括 阴极结构，是线状；阳极结构，是长管状，其中位于该阳极结构的内部空间，相对应该长管 状延伸，且容置该阴极结构；焚光层，位于该阴极结构与该阳极结构之间；以及低压气体层，填充于该阴极结构与该阳极结构之间，有诱导阴极均匀发 射电子的作用，其中该低压气体层有电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在操 作电压下直接撞击该焚光层。15. 如权利要求14所述的光源装置，其中该长管状是直条管状或是弯曲管状。16. 如权利要求14所述的光源装置，其中该低压气体层的气压是在 10 lCT3torr的范围内。17. 如权利要求14所述的光源装置，其中该焚光层包含单层结构。18. 如权利要求14所述的光源装置，其中该焚光层包含有多区域，分别 产生对应频率的光。19. 如权利要求14所述的光源装置，其中该焚光层包含叠层结构或是混 层结构，包含有多种不同荧光材料。20. —种光源装置，包括阴极结构，是至少一线状阴极； 阳极结构； 焚光层，位于该阴极结构与该阳极结构之间；以及低压气体层，填充于该阴极结构与该阳极结构之间，有诱导阴极均匀发 射电子的作用，其中该低压气体层有电子平均自由路径，允许至少足够数量的电子在操 作电压下直接撞击该荧光层。21. 如权利要求20所述的光源装置，其中该阳极结构是具有反射功能的 金属平板，该荧光层位于该阳极结构上。22. 如权利要求20所述的光源装置，还包括光反射基板结构设置在该阳 极结构的一边与该阳极结构相对，其中该阳极结构是光穿透性的。23. 如权利要求22所述的光源装置，其中该阳极结构包括 透明基纟反；以及透明导电层，在该透明基板上。24. 如权利要求20所述的光源装置，还包括基板结构，具有凹陷平面， 且该阳4^结构在该凹陷平面上。25. 如权利要求20所述的光源装置，还包括 第一基板结构；以及第二基板结构，其中该第 一基板结构与该第二基板结构的其一或是两者的边缘直接密 封，以构成容置该阴极结构、该阳极结构与该低压气体层的空间。26. 如权利要求20所述的光源装置，还包括 第一基板结构；第二基板结构；以及间隔结构，密封在...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈世溥，李中裕，林依萍，林韦至，卓连益，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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