用于制备ＰＤＰ保护层的材料，其减少放电延迟时间、改进温度依赖性以及具有增强的离子强度；制备该材料的方法；由该材料形成的保护层；和包括该保护层的ＰＤＰ。更具体地，包括以２．０×１０↑［－５］－１．０×１０↑［－２］重量份／１重量份氧化镁（ＭｇＯ）的量的掺杂有稀土元素的单晶氧化镁的用于保护层的材料，通过在约２，８００℃下使其结晶制备该单晶氧化镁的方法，由该材料形成的保护层，以及包括该保护层的ＰＤＰ。
【技术实现步骤摘要】
保护层材料、其制法、保护层以及等离子体显示面板相关专利申请的交叉引用本申请要求2007年2月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No. 2007-20545的优先权，在此结合其公开内容作为参考。
依赖性以及增强的离子强度的等离子体显示面板的保护层的材料，制备该 材料的方法，由该材料形成的保护层和包括该保护层的等离子体显示面板。
技术介绍
等离子体显示面板(PDP)可容易地用于形成大屏幕，以及由于自发光和 快速响应而具有良好的显示质量。此外，PDP可以薄膜的形式形成，并因 此如同LCD—样，适于壁装式显示器。图1图解了构成PDP的许多PDP像素中的一个PDP像素。参见图1, 维持电极对各包括与金属汇流电极15b配对的透明电极15a，且在前基板14 和后基板IO之间的前基板14的表面上形成。将介电层16设置在前基板14 和后基板10之间的前基板14的表面上，以覆盖维持电极对。通过保护层 17覆盖该介电层16,以保持放电性能和延长介电层16的寿命。在前基板14和后基板10之间的后基板10的表面上形成被介电层12 覆盖的寻址电极ll。前基板14与后基板10分离，其中的空间由产生紫外 线的放电气体诸如Ne等填充。保护层17提供以下优点。第一，保护层17保护透明和汇流电极15a和15b和介电层16。即使仅 透明和汇流电极15a和15b形成在所述前基板上，或者形成介电层16以覆 盖透明和汇流电极15a和15b,也仍可发生放电。然而，当仅透明和汇流电 极15a和15b形成在所述前基板10上时，放电电流难以控制。而且，当仅 形成介电层16以覆盖透明和汇流电极15a和15b形成，而没有保护层17时，介电层16可被来自赋能离子(energizedion)的轰击的溅射蚀刻破坏。因 此，介电层16由对等离子体离子具有强耐受性的保护层17覆盖。第二，保护层17降低放电起始电压。次级电子发射系数是用于形成保 护层的材料的物理值且与放电起始电压直接相关。随着从保护层发射更多 次级电子，放电起始电压降低。因此，期望用于形成保护层的材料具有高 的次级电子发射系数。最后，保护层17减少放电延迟时间。所述放电延迟时间度量施加电压 时和发生》文电时之间的延迟，且为形成延迟时间(formation delay time, Tf) 和统计延迟时间(statistical delay time, Ts)的总和。所述Tf是施加电压和放 电电流之间的时间间隔，以及所述Ts是该形成延迟时间的统计离差。当所 述放电延迟时间减少时，可获得高速寻址，因此可使用单扫描(singlescan)。 而且，可降低扫描驱动要求，以及可形成更多子场。因此，所述PDP可具 有高的亮度和图像质量。目前，使用两种类型的氧化镁作为PDP保护层的原材料单晶和多晶。 当使用真空淀积法如等离子蒸发或电子束蒸发将所述两种原材料转变为在 介电层上形成的薄膜时，保护层由多晶氧化镁形成，而不管原材料的状态。 然而，在所述多晶保护层和所述多晶原材料之间存在很大的区别。在前者 (即，多晶保护层)的情况中，晶粒和空隙的尺寸小，晶粒的构型相对恒定， 且厚度小，使得透光率为约80-90°/。。在后者(即，多晶原材料)的情况中， 晶粒和空隙的尺寸大，晶粒无规取向，且多晶原材料的厚度大，使得多晶 形材料不透明。图2包括显示使用单晶氧化镁形成的保护层的放电延迟时间的曲线1 和显示使用多晶氧化镁形成的保护层的放电延迟时间的曲线2。参见曲线1, 所述温度依赖性相对低，但是使用单晶氧化镁形成的保护层的放电延迟时 间长，从而不能使用单扫描操作。因此，已报道了将多晶氧化镁而不是单晶氧化镁应用于PDP保护层的 最近研究。参见图2，尽管单晶氧化镁具有低的温度依赖性，但它不能达到 单扫描操作所需的放电延迟时间。然而，多晶氧化镁在高温下具有快的放 电延迟时间和在低温下具有慢的放电延迟时间。此外，与使用单晶氧化镁 的保护层相比，使用多晶氧化镁的保护层在制备工艺和杂质调节方面具有 相对优势。而且，由于多晶氧化镁具有比单晶氧化镁高的沉积速度，所以可降低工艺指数(processindex)和可提高PDP的生产速度。然而，使用单晶 氧化镁的保护层需要Xe含量少于10%，否则发生严重的低放电和可能无法 进行图像传输。然而，多晶氧化镁不是用于PDP保护层的完美材料。在放电过程中， 放电空间的温度升高，这减少放电延迟时间，但是放电可能过度和低。因 此，当灰度升高时，放电延迟时间和对于放电延迟时间的温度依赖性改变， 使得发生不稳定放电。具体地，当放电延迟时间和放电起始电压改变时， 由于发生更多的放电漂移(discharge drift),多晶氧化镁具有更严重的放电指 数(discharge index)。这可能是因为与所述单晶材料相比，所述多晶材料对于 离子具有相对弱的膜强度。
技术实现思路
本专利技术的各方面提供用于制备PDP保护层的材料，其降低放电起始电 压和放电延迟时间的温度依赖性，以及提供制备该材料的方法。性和生产力的PDP。根据本专利技术的 一 方面，提供用于制备等离子体显示面板保护层的材料， 包括以2.0xlO-S-1.0xl(^重量份/1重量份氧化镁(MgO)的量掺杂有稀土元素 的单晶氧化镁。所述单晶氧化镁具有(1,0，0)晶面。所述稀土元素为选自Sc、 Y、 La、 Ce、 Pr、 Nd、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb和Lu的一种。用于制备PDP保护层的材料还包括选自Al、 Ca、 Fe、 Si、 K、 Na、 Zr、 Mn、 Cr、 Zn、 B和Ni的至少一种元素。根据本专利技术的另 一 方面，提供制备用于形成PDP保护层的材料的方法， 包括形成MgO或镁盐、稀土氧化物(M203)或稀土盐、和溶剂的混合溶液； 煅烧该溶液；和使该煅烧过的溶液结晶，以形成掺杂有稀土元素的单晶氧 化镁。所述镁盐为选自MgC03和Mg(OH)2的一种。所述稀土盐为选自M(N03)3、 M2(S04)3和MCl3的一种，其中M是稀土 元素。所述溶液还包含MgF2和MF乍为助熔剂(fluxing agent),其中M是稀 土元素。制备用于形成PDP保护层的材料的方法还包括干燥该溶液。所述干燥过程除去H20和可在煅烧过程之前进行。所述溶液的煅烧在400-l,000°C下进行，并除去OH。 煅烧过的溶液的结晶可在2，000-3,000°C下进行。在结晶过程之后，所述单晶氧化镁由非晶区、多晶区和单晶区组成，且提取所述单晶区以用作制备保护层的材料。所述稀土元素为选自Sc、 Y、 La、 Ce、 Pr、 Nd、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb和Lu的一种。根据本专利技术的另一方面，提供PDP的保护层，该保护层使用掺杂有稀 土元素的单晶氧化镁沉积。所述稀土元素为选自Sc、 Y、 La、 Ce、 Pr、 Nd、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb和Lu的一种。所述掺杂有稀土元素的单晶氧化镁还可包括选自Al、 Ca、 Fe、 Si、 Na、 Zr、 Mn、 Cr、 Zn、 B、 Ni等的至少一种元素。通过将MgO或镁盐、稀土氧化物(M203,其中M是稀土元素)本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于制备等离子体显示面板保护层的材料，包括：单晶氧化镁；和稀土元素，其中所述单晶氧化镁掺杂有所述稀土元素。
【技术特征摘要】
KR 2007-2-28 20545/071.一种用于制备等离子体显示面板保护层的材料，包括单晶氧化镁；和稀土元素，其中所述单晶氧化镁掺杂有所述稀土元素。2. 权利要求l的材料，其中所述单晶氧化镁具有(1，0，0)晶面。3. 权利要求1的材料，其中所述稀土元素为选自Sc、 Y、 La、 Ce、 Pr、 Nd、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb和Lu的一种。4. 权利要求1的材料，还包括选自Al、 Ca、 Fe、 Si、 K、 Na、 Zr、 Mn、 Cr、 Zn、 B和Ni的至少一种元素。5. —种制备用于PDP保护层的材料的方法，包括 形成氧化镁或镁盐、稀土氧化物或稀土盐、和溶剂的混合溶液； 煅烧所述混合溶液；使所述煅烧过的溶液结晶；和 形成掺杂有稀土元素的单晶氧化镁。6. 权利要求5的方法，其中所述镁盐为选自MgC03和Mg(OH)2的一种。7. 权利要求5的方法，其中所述稀土盐为选自M(N03)3、 M2(S04)3和 MCl3的一种，其中M是所述稀土元素。8. 权利要求5的方法，其中所述混合溶液还包含MgF2和MF乍为助 熔剂，其中M是所述稀土元素。9. 权利要求5的方法，还包括干燥所述溶液。10. 权利要求5的方法，其中在约400-l,000°C下进行所述混合溶液的 煅烧。11. 权利要求5的方法，其中在约2,000-3,000°C下进行所述煅烧过的 溶液的结晶。12. 权利要求5的方法，其中所述使该煅烧过的溶液结晶包括形成由非 晶区、多晶区和单晶区组成的氧化镁；和所述单晶氧化镁的形成包括从所述结晶的氧化镁提取所述单晶区。13. 权利要求5的方法，其中所述稀土元素为选自Sc、 Y、 La、 Ce、 Pr、 Nd、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb和Lu的一种。14. 一种使用掺杂有稀土元素的单晶氧化镁源沉积的PDP保护层。15. 权利要求14的保护层，其中所述稀土元素为选自Sc、 Y、 La、 Ce、 Pr、 Nd、 Sm、 Eu、 Gd、 Tb、 Dy、 Ho、 Er、 Tm、 Yb和Lu的一种。16. 权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：李玟锡，马图利维克尤利，金石基，崔钟书，金荣洙，秋希伶，金德炫，徐淳星，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]
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