一种采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法技术

本发明专利技术涉及一种采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法，它的具体步骤如下，步骤A，在半导体基板的第一主面设置第一导电区，和第二导电区；步骤B，在第一导电区和第二导电区表面设置导电层；步骤C，在第一导电区与第二导电区的交界处采用印刷方式设置抗沉积层；步骤D，在导电层的未遮盖抗沉积层的区域表面形成电极；步骤E，在抗沉积层对导电层采用激光蚀刻方式或激光蚀刻与化学蚀刻相结合方式进行开槽；所述开槽在第一导电区和第二导电区之间形成分隔绝缘。本发明专利技术的目的在于提供一种采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法，缩短制程，并减少绝缘分隔对导电层的影响。并减少绝缘分隔对导电层的影响。并减少绝缘分隔对导电层的影响。

【技术实现步骤摘要】
一种采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法


[0001]本专利技术涉及一种采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法。

技术介绍

[0002]背接触异质结太阳能电池(HBC)是基于硅基高效异质结工艺制作的背接触太阳能电池，正负电极均设置在电池片的背面。因其正负电极均在电池片背面，电池片正面无任何电极遮挡光线，可以达到最大的光吸收面积，有效的提高太阳能电池效率。背接触异质结太阳能电池最高实验室效率可达到26.67％，是目前硅基单结电池实验室的最高转换效率，备受业界关注。
[0003]虽然背接触异质结太阳能电池有最高转换效率，但因其工序极其繁琐，制程复杂，量产化进展缓慢。目前常见的背接触异质结电池制作方法可分为两类：一类是采用掩膜和腐蚀液蚀刻交替的制作方法，如专利文献CN103283033A所记载的采用溶液腐蚀方法进行制作的工艺，其制作步骤中涉及多次掩膜、翻转、腐蚀，制程复杂；一类是以激光蚀刻替代腐蚀液蚀刻的制作方法，如专利文献CN107408599A所记载的采用激光蚀刻的方法进行制作的工艺，该工艺虽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：它的具体步骤如下，步骤A，在半导体基板的第一主面的一部分设置第一导电型的第一导电区，和在半导体基板的第一主面的其他部分设置第二导电型的第二导电区；步骤B，在第一导电区和第二导电区表面设置导电层；步骤C，在第一导电区与第二导电区的交界处采用印刷方式设置抗沉积层；步骤D，在导电层的未遮盖抗沉积层的区域表面形成电极；步骤E，在抗沉积层对导电层采用激光蚀刻方式或激光蚀刻与化学蚀刻相结合方式进行开槽；所述开槽在第一导电区和第二导电区之间形成分隔绝缘。2.根据权利要求1所述的采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述步骤B的具体方法为，在经步骤A处理后的半导体基板的第一主面上依次制作透明导电膜和金属导电膜，以形成导电层。3.根据权利要求1所述的采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述步骤C的具体方法为，在经步骤B处理获得的导电层上印刷抗电镀油墨，所述抗电镀油墨的厚度为3
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15um。4.根据权利要求3所述的采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述步骤D的具体方法为，在经步骤C处理后的第一导电区和第二导电区上采用电镀方式分别制作第一导电区电极和第二导电区电极，所述第一导电区电极和第二导电区电极的厚度为3
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20um。5.根据权利要求1所述的采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能电池制造方法，其特征在于：所述步骤E的具体方法为，经步骤D处理后，采用激光蚀刻方式在抗沉积层上开槽，然后采用化学蚀刻方式对已开槽区域的导电层进行蚀刻，以在第一导电区和第二导电区之间形成绝缘槽。6.根据权利要求1
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5任意一项所述的采用形成电极、开槽绝缘二步法的背接触异质结太阳能...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄巍辉，张超华，谢志刚，
申请(专利权)人：福建金石能源有限公司，
类型：发明
国别省市：