等离子体显示面板制造技术

技术编号:3148867 阅读:152 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种全高清(FHD)等离子体显示面板,该等离子体显示面板可通过减少对外部光的反射并保障宽的放电空间来增加亮度,并可减少障肋的故障率。本发明专利技术提供的等离子体显示面板包括第一基底和第二基底、障肋、上介电层以及多个放电电极对,其中,障肋的上宽度与障肋的中心宽度不同,利用与障肋的相减混合对第一基底或上介电层着色。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种全高清(full high definition)等离子体显示面板,该等离 并可减少障肋的故障率(failure rate )。
技术介绍
等离子体显示面板以这样的方式形成,即,在上面板与下面板之间形成 限定多个放电区的障肋,在障肋上涂覆磷光体层,且在每个放电区中填充惰 性气体,其中,所述惰性气体包括主放电气体(诸如Ne气、He气或Ne与 He的气体混合物)和少量的诸如Xe气的气体。当对电极施加高频电压以在 惰性气体中产生真空紫外线且该真空紫外线激发磷光体层时,等离子体显示 面板显示图像。由于等离子体显示面板薄、重量轻且具有大屏幕,所以等离 子体显示面板被期望成为下一代显示装置。为了显示高品质图像,增大了等离子体显示面板的图像屏幕的尺寸,因 此,像素的数目大大增加。近来已开发了利用逐行扫描方法(progressivescan method)显示分辨率为1920 x 1080的图像的全高清(FHD )等离子体显示面 板,FHD等离子体显示面板必须包括大约2百万个像素。为了形成这样大量 的像素,必须减小放电区的室节距(cellpitch)。然而,放电区的室节距的减 小会使亮度降低,且当为了保持适当水平的亮度而减小障肋的宽度时,障肋 会破损的可能性高,从而增大了障肋的故障率。
技术实现思路
本专利技术提供了一种等离子体显示面板,该等离子体显示面板可通过减少对外部光的反射并保障宽的放电空间来增加亮度,并可减少障肋的故障率。根据本专利技术的一方面,提供了一种等离子体显示面板,该等离子体显示面板包括第一基底和第二基底,彼此面对;障肋,通过限定第一基底与第 二基底之间的空间来形成多个放电区;上介电层,形成在第一基底上;多个 放电电极对,被施加电压以在放电区中产生放电。在该等离子体显示面板中, 障肋的上宽度与障肋的中心宽度不同,通过相减混合对障肋和第一基底或者 对障肋和上介电层着色。在该等离子体显示面板中,障肋的上宽度大于障肋的中心宽度,从而障 肋具有瓶颈形状的结构。在该等离子体显示面板中,可对上介电层或第一基底着色使得上介电层 或第一基底具有蓝色,可对障肋着色使得障肋具有褐色。上介电层或第一基 底与障肋的叠置区可显示黑色,从而大大减少对外部光的高反射。可将如上所述的等离子体显示面板应用于FHD等离子体显示面板。在 FHD等离子体显示面板中,放电区的室节距可以为0^inK室节距S751)am。由 于障肋具有瓶颈形状,所以FHD等离子体显示面板可具有宽的放电空间,因 而磷光体材料的涂覆面积可增大。可利用湿蚀刻方法形成障肋。更具体地讲,可通过对被涂覆的浆料进行烧结并利用蚀刻溶液对经烧结的浆料进行湿蚀刻来形成障肋,从而形成瓶颈 形状的障肋。该等离子体显示面板还可包括被涂覆在放电区中的磷光体层。 根据本专利技术的另一方面,提供了一种等离子体显示面板,该等离子体显 示面板包括第一基底和第二基底,彼此面对;多个障肋,限定第一基底与 第二基底之间的空间,包括多个垂直障肋和多个水平障肋,其中,多个水平 障肋具有双障肋结构并通过与多个垂直障肋交叉来形成多个放电区;上介电 层,形成在第一基底上;多个放电电极对,被施加电压以在放电区中产生放 电,其中,水平障肋包括彼此邻近地设置的第一水平障肋和第二水平障肋,从而形成非放电区,障肋的上宽度与障肋的中心宽度不同,通过相减混合对 障肋和第一基底或者对障肋和上介电层着色。在该等离子体显示面板中,障肋的上宽度大于障肋的中心宽度,从而障 肋具有瓶颈形状的结构。在该等离子体显示面板中,放电电极对与第一水平障肋和第二水平障肋对应地形成,从而通过形成大的透光区来增大发光效率。具体地讲,放电电极对包括X放电电极和Y放电电极,其中,在维持期对X放电电极和Y放电电极施加波形彼此不同的电压。X放电电极可形成在 第一水平障肋上,Y放电电极可形成在第二水平障肋上。在维持期被施加相同波形的电压的放电电极分别形成在第一水平障肋和 第二水平障肋上。X放电电极可分别形成在第一水平障肋和第二水平障肋上, 或者Y放电电极可分别形成在第一水平障肋和第二水平障肋上。第一水平障 肋和第二水平障肋彼此邻近地设置,从而形成非放电区。水平障肋具有双障 肋结构,并与垂直障肋交叉从而形成放电区。放电区设置在非放电区的两侧。 被施加波形相同的电压的邻近的放电电极分别形成在第一水平障肋和第二水 平障肋上,从而节省了由邻近的放电电极之间的电压差消耗的功率。在该等离子体显示面板中,对上介电层或第一基底着色使得上介电层或 第一基底具有蓝色,对水平障肋和垂直障肋着色使得水平障肋和垂直障肋具 有褐色,从而在上介电层或第 一基底与障肋之间具有相减混合的关系。可将如上所述的等离子体显示面板应用于FHD等离子体显示面板。在 FHD等离子体显示面板中,放电区的室节距可以为0(im〈室节距S751pm。可利用湿蚀刻方法形成垂直障肋和水平障肋。更具体地讲,可通过在对和水平障肋,从而形成瓶颈形状的障肋,其中,瓶颈形状的障肋意味着障肋 的上宽度大于障肋的中心宽度。附图说明通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例,本专利技术的上述及其它特 征和优点将变得更加明了,在附图中图1是根据本专利技术实施例的等离子体显示面板的剖面局部分解透视图2是根据本专利技术实施例的沿着图1的线II-II截取的剖视图3是根据本专利技术实施例的沿着图1的线III-m截取的剖视图4是根据本专利技术实施例的图1的等离子体显示面板的平面图5是根据本专利技术另一实施例的等离子体显示面板的剖面局部分解透视图6是根据本专利技术另一实施例的沿着图5的线VI-VI截取的剖视6图7是根据本专利技术另一实施例的沿着图5的线vn-vn截取的剖视图;' 图8是根据本专利技术另一实施例的图5的等离子体显示面板的平面图。具体实施例方式现在将参照附图更充分地描述本专利技术,其中,在附图中示出了本专利技术的 示例性实施例。图1是根据本专利技术实施例的等离子体显示面板的剖面局部分解透视图。图2是根据本专利技术实施例的沿着图i的线n-n截取的剖视图,图3是根据本 专利技术实施例的沿着图i的线m-m截取的剖视图。参照图l至图3,等离子体显示面板包括上面板150和下面板160。 上面板150包括第一基底111、上介电层113、钝化层115和放电电极120。第一基底111由具有高透光率的材料(例如,玻璃)形成。此外,可对 第一基底111着色,以通过减少对外部光的反射来增大明室对比度。此外, 可通过与障肋180进行相减混合来对第一基底111着色。在第一基底111上形成多个放电电极120。放电电极120中的每个包括 透明电极123和汇流电极121。透明电极123在放电区190R、 190G和190B 中产生放电并维持该放电,透明电极123由具有高的可见光透射率和低电阻 的材料(例如,氧化铟锡(ITO ))形成。汇流电极121通过补偿透明电极123 的相对大的电阻而能够对多个放电区190R、 190G和190B施加几乎均匀的电 压,汇流电才及121由例如Cr、 Cu或Al的材料形成。上介电层113通过限制放电电流来维持辉光放电,并通过壁电荷的积聚 来降低存储功能(memory function)和电压。上介电层113可具有高的耐受 电压和高的可见光透射率,以提高放电效率。此外,可对上介电层1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示面板,包括:第一基底和第二基底,彼此面对;障肋,通过限定第一基底与第二基底之间的空间来形成多个放电区;上介电层,形成在第一基底上;多个放电电极对,被施加电压以在放电区中产生放电,其中,障肋的上宽度与障肋的中心宽度不同,利用相减混合方法对障肋和第一基底或者对障肋和上介电层着色。

【技术特征摘要】
KR 2007-3-28 10-2007-00303641、一种等离子体显示面板,包括第一基底和第二基底,彼此面对;障肋,通过限定第一基底与第二基底之间的空间来形成多个放电区;上介电层,形成在第一基底上;多个放电电极对,被施加电压以在放电区中产生放电,其中,障肋的上宽度与障肋的中心宽度不同,利用相减混合方法对障肋和第一基底或者对障肋和上介电层着色。2、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,障肋的上宽度大于障 肋的中心宽度。3、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,以蓝色对上介电层或 第一基底着色。4、 如权利要求3所述的等离子体显示面板,其中,以褐色对障肋着色。5、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,放电区的室节距为 0阿<室节距^751拜。6、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,利用湿蚀刻方法形成障肋。7、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,通过在对被涂覆的浆 料进行烧结之后利用蚀刻溶液对浆料进行湿蚀刻来形成障肋。8、 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中,还包括形成在放电区 中的磷光体层。9、 一种等离子体显示面板,包括 第一基底和第二基底,彼此面对;多个障肋,限定第一基底与第二基底之间的空间,包括多个垂直障肋和 多个水平障肋,其中,多个水平障肋具有双障肋结构并通过与多个垂直障肋交叉来形成多个放电区;上介电层,形成在第一基底上;多个放电电极对,被施加电压以在放电区中产生方文...

【专利技术属性】
技术研发人员:宋正锡
申请(专利权)人:三星SDI株式会社
类型:发明
国别省市:KR[]

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