混杂复合材料、电子发射体、制备方法及电子发射器件技术

本发明专利技术提供混杂复合材料、电子发射体、制备方法及电子发射器件。具体地说，提供包括碳纳米管和得自碳化物的碳的混杂复合材料、包括该复合混杂材料的电子发射体、制备该电子发射体的方法及包括该电子发射体的电子发射器件，该得自碳化物的碳通过将碳化物化合物和含卤族元素的气体进行热化学反应使得构成该碳化物化合物的除碳外的所有元素被提出而制备。由于碳纳米管和得自碳化物的碳混杂并复合，可防止当使用大量碳纳米管时可发生的屏蔽效应，且包括该混杂复合材料的电子发射体具有优异的电子发射能力、优异的均匀性和长寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及包括碳纳米管和得自碳化物的碳(carbide-derived carbon)的 混杂复合材料、包括该混杂复合材料的电子发射体、该电子发射体的制备 方法及包括该电子发射体的电子发射器件，更具体地，涉及其中碳纳米管 和得自碳化物的碳混杂并复合的混杂复合材料、包括该混杂复合材料的电该电子发射体防止由于使用大量碳纳米管而引起的屏蔽效应并具有优异的 亮度均匀性和长寿命。
技术介绍
通常，电子发射器件分为包括热阴极作为电子发射体的电子发射器件 和包括冷阴极作为电子发射体的电子发射器件。包括冷阴极作为电子发射 体的电子发射器件的例子包括场发射阵列(FEA)型电子发射器件、表面传导 发射(SCE)型电子发射器件、金属绝缘体金属(MIM)型电子发射器件、金属 绝缘体半导体(MIS)型电子发射器件、弹道电子表面发射(BSE)型电子发射器 件等。在上述电子发射器件中，发射电子的电子发射体可由碳质材料如碳纳 米管形成，所述碳纳米管具有优异的导电性、优异的场增强效应和优异的 场发射性能以及低功函，其公开在韩国专利公开No. 2005-0024674中。但是，即使当碳纳米管在电子发射器件中垂直定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混杂复合材料，包括：　　　　碳纳米管；和　　　　得自碳化物的碳，该得自碳化物的碳通过将碳化物化合物和含卤族元素的气体进行热化学反应使得构成该碳化物化合物的除碳外的所有元素被提出而制备，　　　　其中在该混杂复合材料中该碳纳米管对该得自碳化物的碳的重量比在０．０００１－５范围内。

【技术特征摘要】
KR 2007-5-10 45413/071. 一种混杂复合材料，包括碳纳米管；和得自碳化物的碳，该得自碳化物的碳通过将碳化物化合物和含卤族元素的气体进行热化学反应使得构成该碳化物化合物的除碳外的所有元素被提出而制备，其中在该混杂复合材料中该碳纳米管对该得自碳化物的碳的重量比在0.0001-5范围内。2、 权利要求1的混杂复合材料，其中该碳化物化合物包括选自碳化硅 (Si-C)、碳化硼(B-C)、碳化钛(Ti-C)、义灰化锆(Zr-C)、碳化铝(A1-C)、碳化4丐 (Ca-C)、钛-钽碳化物(Ti-Ta-C)、钼-鴒碳化物(Mo-W-C)、碳氮化钛(Ti-C-N) 和碳氮化锆(Zr-C-N)的至少 一种碳化物化合物。3、 权利要求2的混杂复合材料，其中该碳化物化合物包括选自碳化硅、 )暖化硼和^/f匕铝的至少 一种碳化物化合物。4、 权利要求1的混杂复合材料，其中在该得自碳化物的碳的拉曼光谱 (在以下拉曼光谱分析条件下得到Ar 514.5nm, 2mW, 60秒(2次)，50 x ) 中，在1350cm处的无序诱导D带和在15卯cm处的石墨G带的强度比在 0.2-5范围内。5、 权利要求1的混杂复合材料，其中该得自碳化物的碳的B.E.T.表面 积为500-1400m2/g。6、 权利要求1的混杂复合材料，其中在该得自碳化物的碳的X-射线衍 射光语中，在29 = 25。处存在石墨(002)面的弱峰。7、 权利要求1的混杂复合材料，其中在该得自碳化物的碳的透射电子 显微镜(TEM)图像中，该得自碳化物的碳的电子衍射图案为无定形碳的晕图 案。8、 一种制备电子发射体的方法，该方法包括通过搅拌碳纳米管、得自碳化物的碳和包括粘合剂的媒介物制备混杂 复合材料组合物，该得自碳化物的碳通过将碳化物化合物和含卣族元素的而制备；将该混杂复合材料组合物喷射到基底上；和 烧结该喷出的产物。9、 权利要求8的方法，其中在该得自碳化物的碳的拉曼光谱(在以下拉 曼光语分析条件下得到Ar514.5nm，2mW,60秒(2次)，50 x )中，在1350cm 处的无序诱导D带和在1590cm处的石墨G带的强度比在0.2-5范围内。10、 权利要求8的方法，其中该得自碳化物的碳的B.E.T.表面积为 ...

【专利技术属性】
技术研发人员：金润珍，金载明，文希诚，张东植，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]