可作为场发射电子源的电极及其面板与光源元件制造技术

本发明专利技术一种可作为场发射电子源的电极及其光源面板与光源元件，其在一下基板上形成由一电子发射源材料与一导电材料的混合物制作的多数个导电发射体，以使其除了可作为阴极、栅极之外，亦可作为场发射电子源，从而简化结构、简化制程并增加场发射光源面板的亮度与均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种可作为场发射电子源的电极及其光源面板与光源元件。
技术介绍
在目前的显示器
中， 一般以灯管，如冷阴极灯管(CCFL )、 热阴极灯管(HCFL)或发光二极管(LED)作为背光来源，然而，在面板 技术提升及制程面积扩大的技术突破下，大型显示器的发展已是不可避免 的趋势。又，对于大型显示器来说，若其应用灯管违背光来源的话，则有 结构不强固或汞污染等疑虑，然而，若其应用发光二极管等点光源以作为 背光来源的话，则有不易均匀扩散成面光源的疑虑，故而需要许多光学膜 片以提供均匀面光源。因此，目前发展出以结构强固且发光均匀的场发射 面板作为背光源的技术。场发射光源面板的发光原理主要是利用栅极施加电压以控制下基板 上电子源的发射，而发射的电子受到上基板上电压的吸引而向上基板加 速，以轰击至上基板上涂布的荧光物质，从而使荧光物质吸收电子携带的 部分能量以激发荧光物质发出光芒。然而，在现有技术中，场发射光源面板的栅极与电子导电发射体需分 别制作而增加场发射光源面板制作程序，且如此造成复杂的制程，较低的 制程良率及产能不高的缺失。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种作为场发射电子源的电极及其光源面 板与光源元件，以便能简化结构。本专利技术的另一目的是在提供一种作为场发射电子源的电极及其光源 面板与光源元件，以便能增加场发射光源元件的亮度及均匀性。为达成上述目的，本专利技术提供一种场发射光源面板，包括 一上基板、 一下基板以及一间隙物。上基板上形成一层荧光物质以及一阳极；下基板 是对应上基板设置，下基板上形成多数个导电发射体；间隙物是对应上基 板及下基板的周缘设置；其中，导电发射体是一电子源材料与一导电材料的混合物。为达成上述目的，本专利技术另提供一种场发射光源元件，包括 一上基 板、 一下基板、 一间隙物以及一驱动单元。上基板上形成一层荧光物质以 及一阳极；下基板是对应上基板设置，下基板上形成多数个导电发射体； 间隙物是对应上基板及下基板的周缘设置；驱动单元是电性连接导电发射 体；其中，导电发射体是一电子源材料与一导电材料的混合物。上述上基板及下基板的形状结构无限定，然较佳为平板，且上基板更 佳为包括一荧光物质的透明平板，制作间隙物的材料无限定，其可为玻璃 或聚酰胺(Polyimide )或其它耐真空或高压的材料。上述导电发射体的制作方式无限定，然较佳为以网印或喷墨方式制 作，其次，上述导电发射体的外形亦无限定，然较佳为长条形。上述电子 源材料可为任一功函数较低的材料，如硅、金属或碳基材料，且较佳为 多晶硅、钼、铌、鸨、钻石薄膜、纳米碳管或石墨等。上述导电材料为金 属，如银、金或镍。上述导电发射体可接收多数个驱动信号以控制导电发射体的电压，当 驱动信号控制导电发射体的电压为一高电压时，此导电发射体即作为一栅极以使得邻近被驱动信号控制电压为一低电压的导电发射体受到其的电 场吸引而发出至少一电子，因此，在同一时间点，相邻导电发射体的电压 为不同，且其以控制相邻导电发射体的电压交替在高、低电压间转换电位而在接续的不同时间点交替地发出电子为较佳。上述场发射光源元件可经由电性连接驱动单元的一电源供应单元以 提供一 电源，且可经由电性连接于下基板及驱动单元之间的一 电压转换单 元以转换驱动信号的电压。因此，本专利技术的场发射光源元件在其下基板上形成由一电子源材料与 一导电材料的混合物制作的多数个导电发射体，以使其除了可作为栅极之 外，亦可作为场发射电子源，从而简化结构及制程，并增加其的亮度与均 匀性。附图说明图l是本专利技术第一较佳实施例的场发射光源元件的是统架构图； 图2是本专利技术第一较佳实施例的场发射光源面板剖视图； 图3是本专利技术第一较佳实施例的场发射光源元件的电路电子信号的示 意图。主要元件符号说明场发射光源元件l 场发射光源面板ll电源供应单元13 电压转换单元14 下基板112 间隙层113 导电发射体11具体实施方式关于本专利技术的一较佳实施例，请参考图1及图2。驱动单元12上基板lll荧光物质11首先，请参考图l，如图中所示，场发射光源元件l包括一场发射光源 面板ll、 一驱动单元12、 一电源供应单元13及一电压转换单元14。电源供 应单元13电性连接驱动单元12，而电压转换单元14电性连接于场发射光源 面板11与驱动单元12之间。另请一并参考图2，其显示对应图i场发射光源面板ii的ir线段处的剖面图。如图中所示，场发射光源面板ll主要由一上基板lll、 一下基板 112及一间隙层113构成，其中空间为接近真空的低压状态以防止杂质分子 污染或损伤下基板112，在本实施例中，气压维持在10-6 torr以下。本实施例的上基板lll上形成一透明的导电平板，如铟锡氧化物( Indium Tin 0xide， IT0 )以作为一阳极，且被施加一正电压，继而，上 基板111上形成有一层荧光物质114，荧光物质114的成分可为高电压荧光物质或低电压荧光物质，其间差异是在发光的操作电压高低不同，因此， 当荧光物质114受到带有超过操作电压能量的电子轰击时，其被激发而发 出光芒，本实施例的荧光物质114是发出白光。本实施例的下基板112为一玻璃基板，其上形成有多个导电发射体 115，其使用一电子源材料制作，如纳米碳管及一导电材料，如 一银 粉，加上乙烯纤维素(ethyl cellulose, EC )和香油脑(terpineol )的 混合浆料，且透过网印技术在下基板112形成其的长条形外观。本实施例的间隙层113为机械强度佳、不释气及封合性佳的聚酰胺， 其维持上基板111及下基板112之间有一间距并维持其间的低气压。其次，请参考图3以进一步了解本实施例的导电发射体的运作，图3显 示本实施例的电子信号示意图。在本实施例中，驱动单元12依据一频率信号CLK产生一组互相对应的 奇、偶驱动信号(0DD、 EVEN)。本实施例的奇、偶驱动信号亦为在一高 参考电压及一低参考电压交替循环的方波，且奇、偶驱动信号的周期及频率相同，但其之间具有一相位差，而本实施例的相位差为180度，奇、偶 驱动信号的高参考电压及低参考电压的电压差异约为5伏特。继而，驱动单元12将奇、偶驱动信号分别经由A、 B输出端输出至电压 转换单元14，以由电压转换单元14将奇、偶驱动信号作升压处理，以使奇、 偶驱动信号的高参考电压及低参考电压的电压差异放大在约200伏特。之 后，电压转换单元14将升压过后的奇、偶驱动信号经由两条导线输入场发 射光源面板11的导电发射体115。本实施例的单数排导电发射体115的一端是电性相连，而双数排导电 发射体115的一端是电性相连，且其是分别接收上述奇、偶驱动信号。因 为奇、偶驱动信号的相位差异，而使得同一时间点上单数排导电发射体115 与双数排导电发射体l 15是存在约200伏特的电压差异。当奇驱动信号为低参考电压而偶驱动信号为高参考电压时，单数排导 电发射体115上的电压为低参考电压且双数排导电发射体115上的电压为 高参考电压。此时，单数排导电发射体115与双数排导电发射体115之间产 生一强大电场并进而使单数排导电发射体115发出多个电子，g卩，单数排 导电发射体115作为场发射电子源，双数排导电发射体115作为栅极。单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射光源面板，其特征在于包括：一上基板，其上形成一层荧光物质以及一阳极；一下基板，是对应该上基板设置，该下基板上形成多数个导电发射体；以及　一间隙物，其是对应该上基板及该下基板的周缘设置；其中，该导电发射体是一电子源材料与一导电材料的混合物。

【技术特征摘要】
1.一种场发射光源面板，其特征在于包括一上基板，其上形成一层荧光物质以及一阳极；一下基板，是对应该上基板设置，该下基板上形成多数个导电发射体；以及一间隙物，其是对应该上基板及该下基板的周缘设置；其中，该导电发射体是一电子源材料与一导电材料的混合物。2. 如权利要求l所述的场发射光源面板，其特征在于该导电发射 体为长条形。3. 如权利要求l所述的场发射光源面板，其特征在于所述相邻导电发射体交替发出多数个电子。4. 如权利要求l所述的场发射光源面板，其特征在于该电子源材料为硅、金属、碳基材料、多晶硅、钼、铌、钨、石墨、钻石薄膜、纳米 碳管或其组合。5. 如权利要求l所述的场发射光源面板，其特征在于该导电材料 为银、金或镍。6. 如权利要求l所述的场发射光源面板，其特征在于该导电发射 体是接收多数个驱动信号以控制其上的电压。7. 如权利要求l所述的场发射光源面板，其特征在于同一时间点， 相邻导电发射体的电压为不同。8. 如权利要求l所述的场发射光源面板，其特征在于当该导电发 射体上的电压为一低电压时，该导电发射体发出至少一电子。9. 一种场发射光源元件，其特征在于包括 一上基板，其上形成一层荧光物质以及一阳极；一下基板，是对应该上基板设置，该下基板上形成多数个导电发射体; 一间隙物，其是对应该上基板及该下基板的周缘设置；以及 一驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕立永，洪志明，杨宗翰，
申请(专利权)人：大同股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]