一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术的荫罩式等离子体显示屏的封接方法及其装置，在完成前基板（１）、后基板（２）的制作后，蒸镀ＭｇＯ保护膜，将对准好的前后基板和荫罩（３）放入封排一体化系统的荫罩式等离子体显示屏的封接装置的真空室（１６）中，完成排气、充气、封接工艺。本发明专利技术采用真空封排一体化的装置完成了真空封接、排气、充气的一体化过程，简化了荫罩式等离子体显示屏的制造。本发明专利技术制作的荫罩式等离子体显示屏没有排气孔，具有内部真空度高、封接工艺步骤精简、消耗时间短和稳定性好的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种荫罩式等离子体显示屏，尤其是一种集封接、排气、充气 于一体的荫罩式等离子显示屏的封接方法及其装置，具体地说是一种荫罩式等 离子体显示屏的封接方法及其装置。
技术介绍
目前，在等离子体显示屏PDP前、后基板的封接过程中，通常采用低熔点 玻璃粉进行封接。低熔点玻璃粉材料有两种，结晶型低熔点玻璃粉和非结晶型 低熔点玻璃粉。结晶型低熔点玻璃粉封接温度高，但只能一次烧结；非结晶型 低熔点玻璃粉可进行多次加热封接。因此，在等离子体显示屏PDP制造中采用 非结晶型低熔点玻璃粉。制作工艺中先对封接框进行预烧彻底除气，增加机械 强度。在最后封屏过程中， 一般有两种封接方式 一种是封接过程始终在大气 环境中进行。封接完毕，通过预留的排气孔对其进行排气、充气。这种工艺比 较成熟，在等离子体显示屏PDP封接中应用比较广泛。但是，显示屏内部特别 是中心区域的真空度不够高，显示屏的质量不高；另一种封接过程中先是在大 气气氛下进行，待温度升至接近低熔点玻璃粉软化时，对封接炉抽真空，然后 进行排气、充气工艺，最后升高温度完成封接。但是，它的工艺步骤多，消耗 时间长，还需要较长时间的老练性能才能稳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是它包括以下步骤：　ａ．制作荫罩式等离子体显示屏的前基板（１）和后基板（２），在前基板（１）的介质层（６）和后基板（２）的介质层（１０）的内表面分别蒸镀保护膜（７）和保护膜（１１）；　ｂ．将荧光粉均匀喷涂在位于前基板（１）和后基板（２）之间的荫罩（３）的网格孔（１２）内，在前基板（１）和后基板（２）的四周或者在荫罩（３）的四周涂覆低熔点玻璃粉制作封接框（１５），然后对封接框进行预烧；　ｃ．将前基板（１）、后基板（２）和荫罩（３）进行对准，用夹具夹好，然后放入荫罩式等离子体显示屏的封接装置的真空室（１６）内；　ｄ．首先对真空室（１６）抽真空，真空室（１６...

【技术特征摘要】
1.一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是它包括以下步骤a. 制作荫罩式等离子体显示屏的前基板(1)和后基板(2)，在前基板(1)的介质层(6)和后基板(2)的介质层(10)的内表面分别蒸镀保护膜(7)和保护膜(11)；b. 将荧光粉均匀喷涂在位于前基板(1)和后基板(2)之间的荫罩(3)的网格孔(12)内，在前基板(1)和后基板(2)的四周或者在荫罩(3)的四周涂覆低熔点玻璃粉制作封接框(15)，然后对封接框进行预烧；c. 将前基板(1)、后基板(2)和荫罩(3)进行对准，用夹具夹好，然后放入荫罩式等离子体显示屏的封接装置的真空室(16)内；d. 首先对真空室(16)抽真空，真空室(16)的真空度达到10-3帕开始对真空室(16)加热，加热至380—400℃，对真空室(16)保温并持续抽真空，直到真空室(16)的真空度达到10-5帕，向真空室(16)中充入工作气体，充气后在20分钟内真空室(16)升温至400—500℃，然后保温15—30分钟，真空室(16)开始降温，当真空室(16)的温度低于70℃时，封接完成，取出封接好的荫罩式等离子体显示屏。2、 根据权利要求1所述的一种荫罩式等离子体显示屏的封接方法，其特征是所 述的工作气体压强为1.2个标准大气压，真空室(16)从室温加热至380—400 。C的升温速率为4一6。C/min，真空室(16)从380—400。C到400 — 50(TC的升温 速率为9_ll°C/min，真空室(16)从400 —500。C到70—...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒯秀琳，张雄，杨兰兰，朱立锋，林青园，王保平，
申请(专利权)人：南京华显高科有限公司，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]