【技术实现步骤摘要】
一种块体纳米多孔CuO制备方法
[0001]本专利技术属于纳米无机非金属半导体材料制备方法
，涉及一种块体纳米多孔CuO制备方法。
技术介绍
[0002]氧化铜作为p型半导体材料，禁带宽度在1.2
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1.9eV，使其在催化、电池电极、传感器、吸附降解有机物以及生物医药等领域有着广泛的应用前景。并且纳米多孔CuO作为过渡金属氧化物，因其具有较高电化学响应、低制造成本和易加工性而引起了超级电容器等储能应用的极大关注。因此探索制备具有稳定的纳米多孔结构，力学性能良好的大尺寸CuO对纳米多孔CuO的应用有着重大意义。
[0003]中国专利|《一种纳米氧化铜的制备方法》(申请号为201810028579.0、公开号为CN108069455A)，以氯化亚铜原料，加入氨水溶解后再加入β
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羟乙基乙酸酯。再放入密闭反应釜内，搅拌反应然后过滤，得到的滤渣经过热纯水洗涤，得到氯化亚铜颗粒；配制硝酸铜溶液，将氯化亚铜颗粒加入进行浆化并加入尿素搅拌溶解。再次入高压反应釜内，高温高压搅拌反应，过滤后，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种块体纳米多孔CuO制备方法，其特征在于，具体按照如下步骤实施：步骤一，原料配制按照质量百分比称取以下成分：工业纯Cu块25％
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45％，工业纯Mn片55％
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75％，上述成分的质量百分比之和为100％；步骤二，合金型材制备将步骤一称取的Cu块和Mn片通过真空熔炼炉熔炼成合金后，进行固溶处理，得到均匀母合金铸锭，然后通过线切割得到Cu
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Mn合金块体，然后将Cu
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Mn合金块体放入惰性气体气氛炉中加热进行去应力退火，随炉冷却至室温即得到型材；步骤三，将步骤二得到的型材清洗干净，放入装有化学腐蚀溶液的容器中，进行去合金化；步骤四，将步骤三得到的型材进行氧化处理，氧化处理完成后随炉冷却至室温即得到纳米多孔CuO材料。2.根据权利要求1所述的一种块体纳米多孔CuO制备方法，其特征在于，所述步骤二中固溶处理的温度为800℃
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900℃，保温时间为24h。3.根据权利要求2所述的一种块体纳米多孔CuO制备方法，其特征在于，所述步骤二中将Cu
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Mn合金...
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