一种具有隐埋层的BRT及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种具有隐埋层的BRT，n

【技术实现步骤摘要】
一种具有隐埋层的BRT及其制造方法


[0001]本专利技术属于电力半导体器件
，涉及一种具有隐埋层的BRT，本专利技术还涉及该种具有隐埋层的BRT的制造方法。

技术介绍

[0002]基区电阻控制晶闸管(BRT)是在现有MOS控制晶闸管(MCT)的基础上开发的另一种MOS栅控晶闸管。相对于MCT而言，虽然BRT的制作工艺大大简化，但在低电流下仍存在一种非常严重的电压折回(Snapback)现象，导致其开通速度较慢，开通损耗较大。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种具有隐埋层的BRT，解决了现有技术的BRT由于结构的局限，导致开通速度较慢，开通损耗较大的问题。
[0004]本专利技术的另一目的是提供该种具有隐埋层的BRT的制造方法。
[0005]本专利技术采用的技术方案是，一种具有隐埋层的BRT，以n
‑
漂移区作为衬底，在n
‑
漂移区上部中间位置设置有p基区，在p基区上部中间位置设置有n
+
阴极区；在n
‑/>漂移区上部的p基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有隐埋层的BRT，其特征在于：以n
‑
漂移区作为衬底，在n
‑
漂移区上部中间位置设置有p基区，在p基区上部中间位置设置有n
+
阴极区；在n
‑
漂移区上部的p基区的两侧分别设置有与p基区两侧相接触的隐埋层；在隐埋层上方靠外侧设置有p
++
分流区，两侧的p
++
分流区上表面的铝层与n
+
阴极区上表面中间位置的铝层相连构成阴极K；部分n
+
阴极区、p基区及部分p
++
分流区的上表面共同设置有一层栅氧化层，在栅氧化层上表面设置有重掺杂的多晶硅层，该多晶硅层作为栅极G；在阴极K与栅极G之间设置有磷硅玻璃层PSG；在n
‑
漂移区下表面设置有nFS层，在nFS层下表面设置有p
+
阳极区，在p
+
阳极区的下表面设置有多层的金属化阳极A；该隐埋层选用N型的掺杂层作为载流子存储层，简称隐埋N型载流子存储层；或者选用隐埋二氧化硅层作为载流子阻挡层，简称埋氧层。2.根据权利要求1所述的具有隐埋层的BRT，其特征在于：所述的隐埋N型载流子存储层的浓度是2
×
10
15
cm
‑3～9
×
10
15
cm
‑3，厚度是0.6μm～2μm。3.根据权利要求1所述的具有隐埋层的BRT，其特征在于：所述的隐埋N型载流子存储层与p基区的横向间距偏差Δx是
‑
0.25μm～1.5μm；隐埋N型载流子存储层与p
++
分流区的纵向间距Δy是0.5μm～2μm。4.根据权利要求1所述的具有隐埋层的BRT，其特征在于：所述的隐埋二氧化硅层的厚度是0.5μm。5.根据权利要求1所述的具有隐埋层的BRT，其特征在于：所述的隐埋二氧化硅层与p基区的横向间距偏差Δx是
‑
0.5μm～1.5μm；隐埋二氧化硅层与p
++

【专利技术属性】
技术研发人员：王彩琳，杨武华，刘园园，张如亮，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：