工艺腔室、晶片冷却设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种工艺腔室，包括用于由工艺腔室外部接收晶片的传片口，工艺腔室中设置有第一冷却组件，第一冷却组件的晶片承载面的高度低于传片口的高度，工艺腔室中还设置有第二冷却组件，第二冷却组件包括第二冷却盘，第二冷却组件能够驱动第二冷却盘上升至高于传片口的高度或者下降至低于传片口的高度。本实用新型专利技术中工艺腔室包括两个用于冷却晶片的冷却组件，且位于上方的第二冷却组件的第二冷却盘能够在传片口上下往复运动，从而能够通过两个冷却组件分别接收并存放两片晶片，以在同一轮晶片冷却工艺中同时冷却两片晶片，大量节约了平均冷却每片晶片所需的时间，提高了晶片冷却效率。本实用新型专利技术还提供一种晶片冷却设备。备。备。

【技术实现步骤摘要】
工艺腔室、晶片冷却设备


[0001]本技术涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种工艺腔室和一种晶片冷却设备。

技术介绍

[0002]在晶片处理过程中，常需要根据工艺需求对晶片进行加热和冷却，其中冷却工艺通常需要把晶片放在一个水冷基座上，通气到冷却腔室中形成一定压力(一般是Torr级)，使晶片和水冷基座在该压力下进行热交换，维持一段时间(一般十几秒)后，完成冷却工艺。
[0003]冷却工艺前，冷却腔室内部是真空状态，冷却工艺时，需要把冷却腔室充气，冷却工艺完成后，根据晶片的去向，需要再把冷却腔室抽到真空状态或者充气到大气压。晶片再次进入真空腔室的，需要把冷却腔室抽气到真空状态，由真空端的机械手取出；晶片需要进入大气端的，冷却腔室充气到大气状态，由大气端的机械手将晶片取出。
[0004]对于冷却腔室而言，每进出一片晶片，就要进行一次抽气和充气，充气和抽气的时间比工艺时间还要长。对于连通真空和大气的冷却腔室，需要的时间更长，冷却效率更低。
[0005]因此，如何提供一种效率更高的晶片冷却设备，成为本领域亟待解决的技术问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，包括用于由所述工艺腔室外部接收晶片的传片口，所述工艺腔室中设置有第一冷却组件，所述第一冷却组件的晶片承载面的高度低于所述传片口的高度，且用于接收并冷却由所述传片口传入所述工艺腔室的晶片，其特征在于，所述工艺腔室中还设置有第二冷却组件，所述第二冷却组件包括第二冷却盘，所述第二冷却盘位于所述第一冷却组件的晶片承载面上方，且所述第二冷却组件能够驱动所述第二冷却盘上升至高于所述传片口的高度或者下降至低于所述传片口的高度。2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室还包括晶片暂存装置，所述晶片暂存装置固定设置在所述工艺腔室中，且环绕所述工艺腔室的轴线设置，所述晶片暂存装置的高度与所述传片口的高度匹配，用于支撑由所述传片口传入所述工艺腔室中的晶片，且所述第二冷却盘在由低于所述传片口的高度上升至高于所述传片口的高度时，能够将所述晶片暂存装置上放置的晶片托起。3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述晶片暂存装置包括环绕所述工艺腔室的轴线设置的多个晶片支撑部，多个所述晶片支撑部的高度与所述传片口的高度匹配，所述第二冷却盘与多个所述晶片支撑部在竖直方向的投影之间存在避让间隙。4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二冷却盘的边缘形成有多个避让缺口，且多个所述晶片支撑部能够在所述第二冷却盘进行升降运动时一一对应地沿高度方向穿过对应的所述避让缺口。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述第二冷却组件还包括第二升降机构，所述第二升降机构用于驱动所述第二冷却盘进行升降运动。6.根据权利要求1至4中任意一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冰，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：