利用聚合物沉积技术保护管芯隅角制造技术

本申请涉及通过使用聚合物沉积技术的管芯隅角保护。一种用于分离半导体管芯组件的半导体管芯的方法包括在组件的第一表面上沉积第一涂层。组件包括具有多个半导体管芯以及第一表面和第二表面的管芯晶片。在相邻的半导体管芯之间移除管芯晶片的第一部分和第一涂层，以在管芯晶片中第一表面和第二表面之间形成具有中间深度的沟槽，使得管芯隅角形成在沟槽的任一侧上。在管芯组件的第一表面上沉积保护涂层，以覆盖管芯隅角、沟槽和第一涂层的至少一部分。选择性地移除第一涂层，使得保护涂层的覆盖管芯隅角和沟槽的部分保留在管芯晶片上。将相邻的半导体管芯彼此分离，并且使保护涂层保持覆盖管芯隅角。涂层保持覆盖管芯隅角。涂层保持覆盖管芯隅角。

【技术实现步骤摘要】
利用聚合物沉积技术保护管芯隅角


[0001]本技术涉及半导体制造。更具体地，本技术的一些实施例涉及用于在分离和其他制造工艺期间保护管芯的隅角、边缘和/或侧壁的技术。

技术介绍

[0002]半导体管芯通常通过在具有一或多层的器件晶片上以栅格图案排列多个管芯来制造。然后将管芯相互分离。分离工艺可以通过例如等离子体切割、激光烧蚀或旋转刀片来完成。在分离工艺和其他制造步骤(诸如，器件晶片的背面研磨)期间，可能导致对管芯的损坏，诸如沿着管芯隅角和边缘的开裂，以及层的分层。管芯受到的物理损坏可降低其可靠性和良率。

技术实现思路

[0003]在一方面，本申请提供一种用于分离半导体管芯组件的半导体管芯的方法，包括：在半导体管芯组件的第一表面上沉积第一涂层，该半导体管芯组件包括具有多个半导体管芯的管芯晶片，该管芯晶片具有第一表面和第二表面；移除第一涂层的一部分和管芯晶片的相邻的半导体管芯之间的第一部分，以在管芯晶片中第一表面和第二表面之间形成具有中间深度的沟槽，使得相邻的半导体管芯的管芯隅角形成在沟槽的任一侧上；在管芯组件的第一表面上沉积保护涂层，保护涂层覆盖管芯隅角、沟槽和第一涂层的至少一部分；选择性地移除第一涂层，使得保护涂层的覆盖管芯隅角和沟槽的部分保留在管芯晶片上；以及将相邻的半导体管芯彼此分离，使得保护涂层保持覆盖管芯隅角。
[0004]在另一方面，本申请提供一种用于分离半导体管芯组件的半导体管芯的方法，包括：在包括具有多个半导体管芯的管芯晶片的半导体管芯组件的外表面之上施加掩模；移除管芯晶片的第一部分和掩模的相应部分，以形成延伸到管芯晶片内中间深度的沟槽和沟槽相对侧上的相邻的半导体管芯上的管芯隅角；移除管芯晶片的管芯隅角之间的第二部分，以在沟槽的宽度内形成具有侧壁的通道；在至少管芯隅角和侧壁之上沉积保护涂层；以及移除掩模和沉积在掩模之上的保护涂层。
[0005]在另一方面，本申请提供一种半导体管芯，包括：具有第一表面和第二表面的管芯晶片；管芯隅角，沿着管芯晶片的第一表面的外边缘形成；侧壁，从管芯晶片的第一表面延伸到第二表面；和保护涂层，粘附到管芯隅角。
附图说明
[0006]参考以下附图，可以更好地理解本技术的许多方面。附图中的部件不一定按比例绘制。相反，重点在于说明本技术的原理。
[0007]图1A是根据本技术的半导体管芯组件的两个相邻的管芯的剖视图，其中在分离之前保护涂层沉积在管芯的隅角上。
[0008]图1B是根据本技术分离的图1A的半导体管芯组件的两个相邻的管芯的剖视图。
[0009]图2A示出了根据本技术半导体管芯组件的两个相邻的管芯的另一剖视图，其中在分离之前保护涂层沉积在管芯的隅角和侧壁上。
[0010]图2B是根据本技术分离后图2A的管芯组件的两个相邻的管芯的剖视图。
[0011]图3A是根据本技术的半导体管芯组件的剖视图，示出了分离之前的两个半导体管芯。
[0012]图3B是根据本技术的在管芯晶片已经减薄之后图3A的半导体管芯组件的剖视图。
[0013]图3C是根据本技术的安装到器件晶片的图3B的半导体管芯组件的剖视图。
[0014]图3D是根据本技术的在施加第一涂层并在相邻的管芯之间形成沟槽之后，图3C的半导体管芯组件的剖视图。
[0015]图3E是根据本技术在沉积保护涂层后图3D的半导体管芯组件的剖视图。
[0016]图3F是根据本技术的图3E的半导体管芯组件的剖视图，其中第一涂层被移除，并且保护涂层粘附到管芯的隅角。
[0017]图3G是根据本技术在管芯分离之后图3F的半导体管芯组件的剖视图，其中保护涂层粘附到管芯的隅角。
[0018]图4A是根据本技术的半导体管芯组件的剖视图，示出了分离之前的两个半导体管芯。
[0019]图4B是根据本技术在施加第一涂层并在相邻的管芯之间形成沟槽之后，图4A的半导体管芯组件的剖视图。
[0020]图4C示出了根据本技术的在从相邻的管芯之间移除管芯晶片的附加材料之后，图4B的半导体管芯组件的剖视图。
[0021]图4D是根据本技术沉积有保护涂层的图4C的半导体管芯组件的剖视图。
[0022]图4E示出了根据本技术的图4D的半导体管芯组件的剖视图，其中保护涂层在分离之前粘附到管芯的管芯隅角和侧壁。
[0023]图4F示出了根据本技术的在管芯晶片减薄并安装到器件晶片之后，图4E的半导体管芯组件的剖视图。
具体实施方式
[0024]以下描述用于在制造期间保护半导体管芯的隅角和/或侧壁的几个实施例的具体细节。在一个实例中，在切割相邻的管芯之间的沟槽之前，可以在管芯组件之上施加第一涂层。然后，在分离管芯之前，可以在管芯组件之上施加保护涂层。保护涂层粘附到管芯隅角(例如，隅角和边缘)并保护管芯隅角免于在分离工艺期间开裂。另外，保护涂层可以保护管芯的层的至少一部分，以帮助防止分层。在其他实施例中，第一涂层可以在执行半切割工艺或其他工艺以从相邻的管芯之间移除材料之前施加在管芯组件之上。保护涂层可以在半切割工艺后施加在管芯组件之上。保护涂层粘附到并保护管芯隅角以及管芯的侧壁。因此，保护管芯隅角免于开裂，并且还保护侧壁以帮助防止层的分层。结果，提高半导体管芯的可靠性和良率。
[0025]图1A至图2B示出了本技术的概述，而图3A至图4F示出了本技术的进一步细节。在图1A至图4F中，相同参考编号涉及相似的部件和特征。本技术解决在切割、分离和/或组装工艺期间可能损坏管芯隅角的技术问题。管芯隅角的物理损坏可导致开裂(例如，分离或分
层)，所述开裂可延伸到管芯材料中。当安装在印刷电路板上时，开裂可增加管芯的电气和/或功能故障，从而有效地降低预期良率。
[0026]图1A是根据本技术分离之前半导体管芯组件100的两个相邻的管芯104a、104b(统称为“管芯104”)的剖视图。管芯104形成在管芯晶片122内，并且通过移除管芯晶片122的相邻的管芯104之间的材料来形成具有中间深度“D”的沟槽106(分别表示为106a至106c)。例如，沟槽106b形成在管芯104a、104b之间。沟槽106可以使用例如湿法蚀刻、等离子体蚀刻、等离子体切割、激光开槽和/或激光切割来形成。沟槽106在管芯104的任一侧上形成管芯隅角102(分别标识为102a、102b、102c和102d)。在将沟槽106形成到中间深度D之后，在分离管芯104之前，施加保护涂层108(以深灰色点示出)以保护管芯隅角102。
[0027]尽管仅示出两个管芯104，但是半导体管芯组件100可以包含以栅格图案排列的更多半导体管芯104。每个管芯104可以是基本上正方形和/或矩形形状。因此，本文所使用的术语“管芯隅角”可以包含半导体管芯104的边缘的一部分或整个边缘，所述边缘可以在管芯104的两个外部隅角之间延伸。因此，每个半导体管芯104可以具有四个管芯隅角102，其可以包含所有四个管芯边缘的整个长度或者仅部分长度。
[0028]图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于分离半导体管芯组件的半导体管芯的方法，包括：在半导体管芯组件的第一表面上沉积第一涂层，所述半导体管芯组件包括具有多个半导体管芯的管芯晶片，所述管芯晶片具有所述第一表面和第二表面；移除所述第一涂层的一部分和所述管芯晶片的相邻的半导体管芯之间的第一部分，以在所述管芯晶片中所述第一表面和所述第二表面之间形成具有中间深度的沟槽，使得相邻的半导体管芯的管芯隅角形成在所述沟槽的任一侧上；在所述管芯组件的所述第一表面上沉积保护涂层，所述保护涂层覆盖所述管芯隅角、所述沟槽和所述第一涂层的至少一部分；选择性地移除所述第一涂层，使得所述保护涂层的覆盖所述管芯隅角和所述沟槽的部分保留在所述管芯晶片上；以及将相邻的半导体管芯彼此分离，使得所述保护涂层保持覆盖所述管芯隅角。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一涂层包括水溶性材料，所述方法进一步包括在沉积所述保护涂层之后移除所述第一涂层。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述保护涂层包括聚合物材料，所述聚合物材料粘附到所述管芯隅角，并且在移除所述第一涂层之后保持附着到所述管芯隅角。4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在沉积所述保护涂层之前，移除所述管芯晶片的相邻的半导体管芯之间的第二部分，以形成从所述沟槽延伸穿过所述管芯晶片的所述相邻的半导体管芯之间的至少一部分的通道。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述沉积所述保护涂层进一步包括在所述通道的侧壁上沉积所述保护涂层。6.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一部分和所述第二部分是使用等离子体切割工艺来移除的。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述沉积所述保护涂层和所述等离子体切割工艺两者都发生在同一腔室中。8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在沉积所述第一涂层之前或在沉积所述保护涂层之后，对所述管芯晶片...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨博智，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：