具有传感器寄生回路补偿的电磁位置测量系统技术方案

磁跟踪设备包括被配置为生成传感器电动势(EMF)的传感器。该设备包括被配置为第一操作模式和第二操作模式之间进行选择的机构，在第一操作模式中，传感器在接收到磁场时生成传感器EMF，在第二操作模式中，传感器在接收到磁场时生成减少量的传感器EMF。互连电路在第一操作模式和第二操作模式中的每一个中生成寄生EMF。互连电路连接到处理设备，该处理设备接收针对第一操作模式的第一测量，第一测量表示传感器EMF和寄生电EMF，接收针对第二操作模式的第二测量，第二测量表示寄生EMF，比较第一测量和第二测量，并确定传感器EMF的近似值。并确定传感器EMF的近似值。并确定传感器EMF的近似值。

【技术实现步骤摘要】
具有传感器寄生回路补偿的电磁位置测量系统


[0001]本公开涉及跟踪磁场中的一个或多个对象，特别是一种用于使用电磁(EM)信号跟踪手术器械的系统。

技术介绍

[0002]电磁跟踪(EMT)系统用于辅助医疗程序中器械和解剖结构的定位。这样的系统可以基于发射磁场的测量的场线来确定接收器的位置。

技术实现思路

[0003]电磁跟踪(EMT)系统(也称为磁跟踪系统)可用于跟踪多种应用的设备，例如在内窥镜手术或其他类型手术期间的医疗应用。EMT系统(也称为磁跟踪系统)包括至少一个发射器和至少一个接收器。例如，发射器发射磁信号，而接收器接收磁信号并测量该磁信号。测量的磁信号提供磁跟踪系统用来确定发射器相对于接收器的相对位置的信息(或反之亦然)。如果发射器或接收器附接到另一个设备(例如，被跟踪设备)，则磁跟踪系统可以确定被跟踪设备在磁跟踪系统的环境中的相对位置。在一些实施方式中，磁跟踪系统可以检测由于环境中的金属对象而导致的磁信号失真。用于跟踪对象的许多额外应用是已知的。
[0004]在此描述的技术包括以下优点中的一个或多个。磁跟踪系本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁跟踪设备，包括：传感器，其被配置为生成传感器电动势(EMF)，所述传感器EMF测量由磁场发射器生成的磁场；机构，其被配置为在第一操作模式和第二操作模式之间进行选择，在所述第一操作模式中当接收到所述磁场时所述传感器生成所述传感器EMF，在所述第二操作模式中当接收到所述磁场时所述传感器生成减小的传感器EMF；互连电路，其被配置为当接收到所述磁场时在所述第一操作模式和所述第二操作模式中的每一个中生成寄生EMF；其中，所述互连电路被配置为连接到处理设备，所述处理设备被配置为：接收针对所述第一操作模式的第一测量，所述第一测量表示所述传感器EMF和所述寄生EMF；接收针对所述第二操作模式的第二测量，所述第二测量表示所述寄生EMF和所述减小的传感器EMF；比较所述第一测量和所述第二测量；以及基于比较所述第一测量和所述第二测量，确定所述传感器EMF的近似值。2.根据权利要求1所述的磁跟踪设备，其中，所述机构包括与所述传感器并联的二极管，所述二极管被配置为在所述第一操作模式中被反向偏置并且被配置为在所述第二操作模式中被正向偏置。3.根据权利要求2所述的磁跟踪设备，其中，所述二极管是第一二极管，所述磁跟踪设备包括与所述传感器串联的第二二极管，其中，所述第二二极管被配置为在所述第一操作模式中被正向偏置并且被配置为在所述第二操作模式中被反向偏置。4.根据权利要求1所述的磁跟踪设备，其中，所述机构包括与所述传感器并联的开关器件，所述开关器件被配置为在所述第一操作模式中处于高阻抗状态并且被配置为在所述第二操作模式中处于低阻抗状态。5.根据权利要求4所述的磁跟踪设备，其中，所述开关器件包括以下各项中的一种：结型栅极场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、双极晶体管或继电器。6.根据权利要求1所述的磁跟踪设备，其中，比较所述第一测量和所述第二测量包括：确定所述互连电路在所述第二操作模式下的阻抗相对于所述互连电路在所述第一操作模式下的阻抗的变化；以及基于所述确定，调整所述传感器EMF的近似值。7.根据权利要求1所述的磁跟踪设备，其中，所述处理设备还被配置为基于所述传感器EMF的近似值来确定所述传感器相对于磁发射器的近似位置。8.根据权利要求1所述的磁跟踪设备，其中，所述寄生EMF包括来自所述互连电路的互连回路、所述互连电路的连接器回路、所述互连电路的迹线回路或其任何组合的感应EMF值。9.根据权利要求1所述的磁跟踪设备，还包括连接器，所述连接器被配置为将所述传感器连接到所述处理设备，所述连接器是所述互连电路的一部分。10.根据权利要求1所述的磁跟踪设备，其中，所述处理设备被配置为使所述机构与由
所述磁场发射器生成的磁场的周期同步地在所述第一操作模式与所述第二操作模式之间循环。11.一种磁跟踪系统，包括：磁跟踪设备，包括：传感器，其被配置为生成传感器电动势(EMF)，所述传感器EMF测量由磁场发射器生成的磁场；机构，其被配置为在第一操作模式和第二操作模式之间进行选择，在所述第一操作模式中当接收到所述磁场时所述传感器生成所述传感器EMF，在所述第二操作模式中当接收到所述磁场时所述传感器生成减小的传感器EMF；以及互连电路，其被配置为当接收到所述磁场时在所述第一操作模式和所述第二操作模式中的每一个中生成寄生EMF；通过所述互连电路连接到所述磁跟踪设备的处理设备，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：W，
申请(专利权)人：阿森松技术公司，
类型：发明
国别省市：