【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具备PTC元件及二次熔断器的电路保护装置
[0001]本公开总体上涉及电路保护装置领域。更具体地,本公开涉及一种电路保护装置,其包括正温度系数元件和二次熔断器,以用于促进电弧猝熄和电流开口。
技术介绍
[0002]熔断器一般用作电路保护装置,并且通常安装在电源与要被保护的电路中的组件之间。常规的熔断器包括布置在中空、电绝缘的熔断器主体内的可熔元件。在发生诸如过电流状况的故障状况时,可熔元件熔化或以其它方式分离以中断电流流经熔断器。
[0003]在当熔断器的可熔元件由于过电流状况分离时,电弧有时可能会通过空气在可熔元件的分离部分之间传播(例如,通过熔化的可熔元件的汽化颗粒)。如果不被熄灭,电弧可能允许大量的后续电流从电源流向电路中的保护组件,从而尽管物理断开可熔元件,但仍会导致保护组件的损坏。
[0004]为了消除熔断器中的电弧而实施的一种解决方案是采用正温度系数(PTC)元件代替熔断器的可熔元件。PTC元件由PTC材料形成,PTC材料由悬浮在非导电介质中的导电颗粒(例如聚合物)组成。PTC材料表现出在正常工作 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电路保护装置,包括:一次熔断器;以及正温度系数(PTC)装置和二次熔断器,其彼此串联地电连接且与所述一次熔断器并联地电连接,所述二次熔断器包括被布置在介电表面上的一定量的焊料,其中,所述介电表面表现出相对于所述焊料的去湿特性,使得当所述焊料被熔化时,所述焊料从所述介电表面离开以产生电流开口。2.根据权利要求1所述的电路保护装置,其中,所述焊料是SAC 305焊料,并且所述介电表面由全氟烷氧基(PFA)形成。3.根据权利要求1所述的电路保护装置,其中,所述焊料是共晶焊料,并且所述介电表面由乙烯
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四氟乙烯共聚物(ETFE)形成。4.根据权利要求1所述的电路保护装置,其中,所述焊料是低熔点焊料,并且所述介电表面由聚偏二氟乙烯(PVDF)形成。5.根据权利要求1所述的电路保护装置,其中,所述一次熔断器被布置在介电基板的第一侧上,并且所述PTC装置由限定所述介电表面的介电盖被连接到与第一侧相对的介电基板的第二侧。6.根据权利要求5所述的电路保护装置,还包括:第一导线和第二导线,其用于电连接电路内的所述电路保护装置,其中所述第一导线被电连接到一次熔断器的第一端子且被电连接到二次熔断器,所述二次熔断器被连接到所述PTC装置的第一电极,并且其中所述第二导线被电连接到所述一次熔断器的第二端子且被电连接到所述PTC装置的第二电极。7.根据权利要求6所述的电路保护装置,其中所述第一导线由导电引线被连接到二次熔断器,并且其中所述二次熔断器在所述介电表面上从所述引线延伸到所述PTC装置的第一电极。8.根据权利要求7所述的电路保护装置,其中,所述介电盖提供所述PTC装置与每个所述第一导线和所述引线之间的电绝缘隔板。9.根据权利要求6所述的电路保护装置,其中,所述第一和第二导线分别由在所述介电基板中形成的第一和第二导电通孔被连接到所述一次熔断器的第一和第二端子。10.根据权利要求1所述的电路保护装置,其中,所述二次熔断器具有比所述PTC装置的PTC元件的跳闸温度更高的熔化温度。11.根据权利要求1所述的电路保护装置,其中,所述PTC装置具有在其正...
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