有机发光器件制造技术

本说明书提供了包括发光层的有机发光器件。件。件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机发光器件


[0001]本说明书涉及有机发光器件。
[0002]本申请要求于2019年11月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2019
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0157413号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术介绍

[0003]通常，有机发光现象是指其中通过使用有机材料将电能转换成光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括正电极、负电极和介于其之间的有机材料层的结构。在此，在许多情况下，有机材料层具有由不同材料构成的多层结构以改善有机发光器件的效率和稳定性，例如，有机材料层可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等构成。在有机发光器件的这样的结构中，如果在两个电极之间施加电压，则空穴从正电极注入至有机材料层中并且电子从负电极注入至有机材料层中，当注入的空穴和电子彼此相遇时，形成激子，并且当激子再次下落至基态时发光。
[0004]持续需要开发用于前述有机发光器件的新材料。
[0005][引用列表](专利文献1)韩国专利申请特许公开第10
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机发光器件，包括：正电极；负电极；和设置在所述正电极与所述负电极之间的包括发光层的有机材料层，其中所述发光层包含由下式1表示的化合物和由下式2表示的化合物：在式1和式2中，L1至L3彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；或者经取代或未经取代的亚芳基，Ar1至Ar3彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳基；或者经取代或未经取代的杂芳基，m为0或1，g1为0至7的整数，A1至A3彼此相同或不同，并且各自独立地为单环至多环芳族烃环；或者单环至多环芳族杂环，R1至R5彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；卤素基团；氰基；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的烯基；经取代或未经取代的芳基；经取代或未经取代的杂环基；经取代或未经取代的烷氧基；经取代或未经取代的芳氧基；经取代或未经取代的烷基硫基；经取代或未经取代的芳基硫基；或者经取代或未经取代的胺基，或者与相邻取代基键合以形成经取代或未经取代的环，r1为0至4的整数，r2为0至4的整数，r3为0至3的整数，并且当r1至r3各自为2或更大时，括号中的取代基彼此相同或不同，式1包含至少一个氘，以及式2包含至少一个氘。2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中式1被氘化40％或更多。3.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中式2被氘化40％或更多。4.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中
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L1
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Ar1和
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L2
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Ar2彼此不同。5.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中m为1。6.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中Ar1和Ar2中的至少一者为未经取代或经C6
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C20芳基取代的二苯并呋喃基；未经取代或经C6
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C20芳基取代的二苯并噻吩基；未经取代或经C6
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C20芳基取代的萘并苯并呋喃基；或者未经取代或经C6
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C20芳基取代的萘并苯并
噻吩基。7.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中Ar1和Ar2中的至少一者为萘基。8.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中式2由下式201表示：[式201]在式201中，R1至R3和r1至r3的限定与式1中限定的那些相同，R6和R7彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；卤素基团；氰基；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的烯基；经取代或未经取代的芳基；经取代或未经取代的杂环基；经取代或未经取代的烷氧基；经取代或未经取代的芳氧基；经取代或未经取代的烷基硫基；经取代或未经取代的芳基硫基；或者经取代或未经取代的胺基，或者与相邻取代基键合以形成经取代或未经取代的环，以及r6和r7为0至5的整数，并且当r6和r7为2或更大时，括号中的取代基彼此相同或不同。9.根据权利要求8所述的有机发光器件，其中式201为以下(1)至(3)中的任一者：(1)R1至R3、R6、和R7中的至少一者为经取代或未经取代的环烷基；或为由下式2
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A表示的基团；或者(2)R1至R3、R6、和R7中的至少一者为由下式2
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B表示的基团；或者(3)两个相邻R1、两个相邻R2、两个相邻R3、两个相邻R6或两个相邻R7彼此键合以形成经取代或未经取代的脂族烃环，在式2
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A和式2
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B中，T11至T19和A11至A14彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；卤素基团；氰基；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的烯基；经取代或未经取代的芳基；经取代或未经取代的杂环基；经取代或未经取代的烷氧基；经取代或未经取代的芳氧基；经取代或未经取代的烷基硫基；经取代或未经
取代的芳基硫基；或者经取代或未经取代的胺基，或者与相邻取代基键合以形成经取代或未经取代的环，L11为直接键；或者经取代或...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔地宁，河宰承，洪玩杓，李禹哲，金周湖，琴水井，金埙埈，李豪中，金宣佑，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：