【技术实现步骤摘要】
一种反激变压器及反激开关电源
[0001]本技术涉及电子元器件领域，更具体地，涉及一种反激变压器及反激开关电源。
技术介绍
[0002]反激变压器中的电磁干扰源包括原边的MOSFET(金属
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氧化物半导体场效应晶体管)和副边的二极管，由于MOSFET和二极管的电压波形变化正好相反，因此它们产生的共模噪声方向是相反的，故而，反激变压器的整体共模噪声是MOSFET产生的原边到副边的共模噪声与二极管产生的副边到原边的共模噪声的差值。
[0003]现有技术中，为了改善反激变压器从原边到副边的共模噪声耦合，会在原边与副边之间增加屏蔽层，通过将屏蔽层接原边地的方式使得原边共模噪声回流到原边地，可以减小通过原边寄生电容耦合到副边的共模噪声，也即减小原边到副边的耦合噪声，从而改善反激变换器整体共模噪声水平。但是，当副边到原边的耦合噪声大于原边到副边的耦合噪声时，增加屏蔽层接原边地的方式会导致原边到副边的共模噪声减少，不足以抵消副边到原边的共模噪声，可能反而会导致整体共模噪声增加。
技术实现思路
[000...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种反激变压器，包括原边、副边以及设置在所述原边与所述副边之间的屏蔽层，所述原边的电位跳变点用于连接一MOSFET的漏极，所述MOSFET的源极连接原边地，所述副边的电位跳变点用于连接一二极管的输入端，其特征在于，所述屏蔽层的一端通过一电容电路连接原边地，用于调整共模噪声。2.根据权利要求1所述的一种反激变压器，其特征在于，所述电容电路包括一电容，所述屏蔽层的一端通过所述电容连接原边地。3.根据权利要求2所述的一种反激变压器，其特征在于，所述电容的大小在0到1000pf之间。4.根据权利要求1所述的一种反激变压器，其特征在于，所述屏蔽层为屏蔽绕组或铜箔层。5.根据权利要求1所述的一种反激变压器，其特征在于，还包括Y电容，所述Y电容一端连接所述原边的静电位点，另一端连接所述副边的静电位点。6.一种反激开关电源，其特征在于，包括依次连接的整流桥电路、第一滤波电路、如权利要求1到5任一项所述的反激变压器以及第二滤波电路，所述整流桥电路的第一交流输入端用于连接火线，所述整流桥电路的第二交...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈志鹏，
申请(专利权)人：广州视源电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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