半导体制冷片及其制作方法技术

本发明专利技术公开了半导体制冷片及其制作方法。方法包括：提供半导体制冷组件，半导体制冷组件包括相对设置的第一绝缘导热层和第二绝缘导热层，位于第一绝缘导热层和第二绝缘导热层之间的半导体层，半导体层包括多个电偶对，多个电偶对串联连接，且电偶对与导线电连接，半导体制冷组件设置有第一绝缘导热层的一侧为冷端，半导体制冷组件设置有第二绝缘导热层的一侧为热端；形成封装结构，令封装结构覆盖半导体制冷组件的侧壁，并与第一绝缘导热层构成第一凹槽，令导线贯穿封装结构，并延伸至封装结构的外侧，以获得半导体制冷片。由此，获得的半导体制冷片可承受1000PSI以上的压力。半导体制冷片可承受1000PSI以上的压力。半导体制冷片可承受1000PSI以上的压力。

【技术实现步骤摘要】
半导体制冷片及其制作方法


[0001]本专利技术涉及制冷装置
，具体地，涉及半导体制冷片及其制作方法。

技术介绍

[0002]半导体制冷片是通过珀耳帖效应达到制冷目的一种新型的制冷器。当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，实现制冷。半导体制冷片具有冷藏、降温、恒温等功能，并能实现温度逐点控制，且具有体积小、无机械传动部件、无噪声、冷热转换快、可靠性高、寿命长、无环境污染、可小型化、微型化、致冷加热可互易等优点。
[0003]然而，目前的半导体制冷片及其制作方法仍有待改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术是基于专利技术人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：
[0005]专利技术人发现，目前的半导体制冷片存在抗过载能力较差的问题。具体的，目前的半导体制冷片通常由陶瓷片30和夹在两片陶瓷片30之间的半导体晶粒40构成(参考图4)，且多采用703或704白色硅橡胶60对半导体制冷片的四周进行密封保护(参考图5)，半导体制冷片在实际装配及使用时，为有效发挥制冷效本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体制冷片的方法，其特征在于，包括：提供半导体制冷组件，所述半导体制冷组件包括相对设置的第一绝缘导热层和第二绝缘导热层，以及位于所述第一绝缘导热层和所述第二绝缘导热层之间的半导体层，所述半导体层包括多个电偶对，多个所述电偶对串联连接，且所述电偶对与导线电连接，所述半导体制冷组件设置有所述第一绝缘导热层的一侧为冷端，所述半导体制冷组件设置有所述第二绝缘导热层的一侧为热端；形成封装结构，令所述封装结构覆盖所述半导体制冷组件的侧壁，并与所述第一绝缘导热层构成第一凹槽，以及令所述导线贯穿所述封装结构，并延伸至所述封装结构的外侧，以获得所述半导体制冷片。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：令所述封装结构与所述第二绝缘导热层构成第二凹槽。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述封装结构是通过注塑并冷却固化形成的。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述注塑过程中的压力为2-40bar，所述注塑过程中的温度为150-240℃。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述冷却固化的时间为10-50s。6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，形成的所述封装结构的壁厚为0.2-1mm。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度为0.2-1mm。8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽的深度分别独立的为0.2-1mm。9.一种半导体制冷片，其特征在于，包括：半导体制冷组件，所述半导体制冷组件包括相对设置的第一绝缘导热层和第二绝缘导热层，以及位于所述第一绝缘导热层和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永辉，李俊俏，周维，
申请(专利权)人：比亚迪汽车工业有限公司，
类型：发明
国别省市：