一种深紫外LED倒装芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种深紫外LED倒装芯片，涉及半导体技术领域，包括焊盘、发光层和衬底，发光层固定在焊盘的上端，衬底固定于发光层的上端，且衬底上与发光层固定的端面的外缘延伸至与发光层的各外缘平齐，衬底的各侧壁与发光层上端面之间的夹角为锐角，焊盘上设有负极标识，焊盘能够在通电时激发发光层出射深紫外光线，并使出射的深紫外光线经衬底的侧壁折射至大气。该深紫外LED倒装芯片能够提高深紫外线的出光提取率。外线的出光提取率。外线的出光提取率。

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外LED倒装芯片


[0001]本技术涉及半导体
，具体是涉及一种深紫外LED倒装芯片。

技术介绍

[0002]目前深紫外LED倒装芯片电光转换效率实验时在10%左右，而实际大批量生产制造的深紫外LED倒装芯片电光转换效率在5%以内。由于深紫外LED倒装芯片出光方式转变成芯片侧面TM模出光占主导，常规深紫外LED倒装芯片侧面TM模出光通常为垂直结构，常规深紫外LED倒装芯片在通电时，深紫外芯片PN结发光层通过蓝宝石衬底从垂直的深紫外LED倒装芯片侧面TM模折射出，造成深紫外LED倒装芯片侧面TM模一定角度内光线折射向深紫外LED倒装芯片PAD焊盘方向，在深紫外LED倒装芯片电光转换效率偏低的情况下，一部分光线不能被利用。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是提供一种深紫外LED倒装芯片，以解决上述现有技术存在的问题，能够提高深紫外线的出光提取率。
[0004]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0005]本技术提供了一种深紫外LED倒装芯片，包括焊盘、发光层和衬底，所述发光层固定在所述焊盘的上端，所述衬底固定于所述发光层的上端，且所述衬底上与所述发光层固定的端面的外缘延伸至与所述发光层的各外缘平齐，所述衬底的各侧壁与所述发光层上端面之间的夹角为锐角，所述焊盘上设有负极标识，所述焊盘能够在通电时激发所述发光层出射深紫外光线，并使出射的深紫外光线经所述衬底的侧壁折射至大气。
[0006]优选地，所述衬底的各侧壁均为等腰梯形，且所述衬底的上下两个端面为矩形。
>[0007]优选地，所述衬底上与所述发光层固定连接的端面面积大于所述衬底远离所述发光层一侧的端面面积。
[0008]优选地，所述焊盘为PAD焊盘。
[0009]优选地，所述发光层为PN结发光层。
[0010]优选地，所述衬底为蓝宝石衬底。
[0011]优选地，所述衬底的倾斜侧壁为激光切割形成。
[0012]本技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
[0013]本技术提供的深紫外LED倒装芯片，衬底上与发光层固定的端面的外缘延伸至与发光层的各外缘平齐，衬底的各侧壁与发光层上端面之间的夹角为锐角，倾斜侧壁相对于垂直设置改变了深紫外光线从衬底到大气的入射角和折射角的方向、角度，从而提高了深紫外LED倒装芯片的TM模出光效率，且在一定程度上增大TM模出光面积，提升了深紫外光线的提取率。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1是本技术提供的深紫外LED倒装芯片的一个角度的结构示意图；
[0016]图2是本技术提供的深紫外LED倒装芯片的另一个角度的结构示意图；
[0017]图3是本技术提供的深紫外LED倒装芯片的主视图；
[0018]图中：100
‑
深紫外LED倒装芯片，1
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焊盘，2
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发光层，3
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衬底，4
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倾斜侧壁，5
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负极标识，6
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切割起点。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]本技术的目的是提供一种深紫外LED倒装芯片，以解决现有的深紫外LED倒装芯片出光效率低、深紫外光线提取率低的技术问题。
[0021]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0022]如图1
‑
图3所示，本技术提供一种深紫外LED倒装芯片100，包括焊盘1、发光层2和衬底3，发光层2固定在焊盘1的上端，衬底3固定于发光层2的上端，且衬底3上与发光层2固定的端面的外缘延伸至与发光层2的各外缘平齐，衬底3的各侧壁与发光层2上端面之间的夹角为锐角，即衬底3的侧壁为倾斜侧壁4，且本领域技术人员可根据实际需要选择合适的倾斜角度，倾斜侧壁4相对于垂直设置改变了深紫外光线从衬底3到大气的入射角和折射角的方向、角度，从而提高了深紫外LED倒装芯片100的TM模出光效率，且在一定程度上增大TM模出光面积，提升了深紫外光线的提取率，焊盘1上设有负极标识5，焊盘1能够在通电时激发发光层2出射深紫外光线，并使出射的深紫外光线经衬底3的侧壁折射至大气。
[0023]具体地，衬底3的各侧壁均为等腰梯形，且衬底3的上下两个端面为矩形。
[0024]衬底3上与发光层2固定连接的端面面积大于衬底3远离发光层2一侧的端面面积。
[0025]焊盘1为PAD焊盘，PAD焊盘分为两部分，均固定在发光层2的下端，且负极标识5位于其中一部分的侧壁上，并靠近另一部分设置。
[0026]发光层2为PN结发光层。
[0027]衬底3为蓝宝石衬底。
[0028]衬底3的倾斜侧壁4为激光切割形成，在实际生产过程中，先通过调整激光切割设备的激光头出射光线的角度θ，并通过角度θ和衬底3的位置，确定衬底3的倾斜侧壁4的切割起点6位置，然后利用调整好角度的激光线对衬底3的四个侧壁切割形成倾斜侧壁4，最后通过调整激光切割设备以水平面为基准，调整激光头出射光线的角度为90
°
，并垂直于发光层2，根据设计要求需要的整个深紫外LED倒装芯片100的尺寸，继续对衬底3进行切割。
[0029]经过上述设计，相对于原始垂直设置的衬底3的侧壁，TM模出光面由原来的h长度增大到h/sinθ，进而增大了TM模出光面积。
[0030]本说明书中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外LED倒装芯片，其特征在于：包括焊盘、发光层和衬底，所述发光层固定在所述焊盘的上端，所述衬底固定于所述发光层的上端，且所述衬底上与所述发光层固定的端面的外缘延伸至与所述发光层的各外缘平齐，所述衬底的各侧壁与所述发光层上端面之间的夹角为锐角，所述焊盘上设有负极标识，所述焊盘能够在通电时激发所述发光层出射深紫外光线，并使出射的深紫外光线经所述衬底的侧壁折射至大气。2.根据权利要求1所述的深紫外LED倒装芯片，其特征在于：所述衬底的各侧壁均为等腰梯形，且所述衬底的上下两个端面为矩...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫志超，黄小辉，李大超，
申请(专利权)人：至芯半导体杭州有限公司，
类型：新型
国别省市：