雾化装置及其功率管驱动电路制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及了一种雾化装置及其功率管驱动电路，该功率管驱动电路包括：连接在所述PMOS管的栅极与源极之间的第一电阻；开关器件，所述开关器件的第一端连接所述PMOS管的栅极，所述开关器件的第二端连接所述IO口；连接在所述IO口与所述开关器件的控制端之间，且用于在所述IO口输出PWM信号时将所述开关器件的控制端维持在高电平的电压泵。实施本实用新型专利技术的技术方案，一旦IO口失效，无论IO口保持在什么状态，功率管都将会关断负载的供电，从而起到IO口失效保护的作用。同时，还可实现负载功率的调节功能。率的调节功能。率的调节功能。

【技术实现步骤摘要】
雾化装置及其功率管驱动电路


[0001]本技术涉及雾化设备领域，尤其涉及一种雾化装置及其功率管驱动电路。

技术介绍

[0002]目前，现有雾化装置的功率管(P沟道MOSFET)驱动电路是采用MCU IO口直接驱动三极管或N沟道MOSFET来拉低功率管的栅极电压，从而控制功率管的导通，进而控制负载(电阻发热体)正常工作。当MCU死机或其它失效时，IO口有可能失控维持在某一状态不变，譬如持续高电平，此时功率管会一直导通，无法关闭，负载会一直工作无法关闭，从而导致失控，会有发生重大危险事故的风险。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术存在的MCU的IO口失效时会导致加热失控的缺陷，提供一种雾化装置及其功率管驱动电路。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种功率管驱动电路，用于根据MCU的IO口输出的信号控制PMOS管的通断，且所述PMOS管的源极接电池电源，所述PMOS管的漏极通过负载接地，其特征在于，所述功率管驱动电路包括：
[0005]连接在所述PMOS管的栅极与源极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率管驱动电路，用于根据MCU的IO口输出的信号控制PMOS管的通断，且所述PMOS管的源极接电池电源，所述PMOS管的漏极通过负载接地，其特征在于，所述功率管驱动电路包括：连接在所述PMOS管的栅极与源极之间的第一电阻；开关器件，且所述开关器件的第一端连接所述PMOS管的栅极，所述开关器件的第二端连接所述IO口；连接在所述IO口与所述开关器件的控制端之间，且用于在所述IO口输出PWM信号时将所述开关器件的控制端维持在高电平的电压泵。2.根据权利要求1所述的功率管驱动电路，其特征在于，所述电压泵包括第一电容、第二电容、第一二极管、第二二极管和第二电阻，其中，所述第一电容的第一端连接所述IO口，所述第一电容的第二端分别连接所述第一二极管的正极和所述第二二极管的负极，所述第一二极管的负极连接所述第二电容的第一端，所述第二电容的第二端和所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李亚飞，李祥忠，
申请(专利权)人：江门摩尔科技有限公司，
类型：新型
国别省市：