CVD处理系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种CVD处理系统，其特征在于，所述系统包括传送腔、放片腔、取片腔以及多个反应腔，所述放片腔、取片腔以及多个反应腔周向布置在所述传送腔的外侧，所述传送腔内具有托盘传输组件；所述放片腔与所述传送腔之间具有第一闸板阀，所述放片腔的位于所述第一闸板阀顶部的腔壁上具有吹扫进气口；各所述反应腔与所述传送腔之间均具有第二闸板阀，各所述反应腔内具有托盘支撑组件，所述托盘支撑组件包括支撑轴及旋转驱动部件；所述取片腔与所述传送腔之间具有第三闸板阀，所述取片腔的位于所述第三闸板阀顶部的腔壁上具有吹扫进气口。该CVD处理系统可实现对托盘传输组件的吹扫，因而防止托盘传输组件上的颗粒物对衬底及外延片造成污染。外延片造成污染。外延片造成污染。

【技术实现步骤摘要】
CVD处理系统


[0001]本技术涉及半导体制造
，具体涉及一种CVD处理系统。

技术介绍

[0002]CVD(化学气相沉积)是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术，随着半导体和集成电路技术发展和生产的需要，CVD技术得到了更迅速和广泛的发展。CVD技术不仅成为半导体级超纯硅原料
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超纯多晶硅生产的唯一方法，而且也是硅单晶外延、砷化镓等 III
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V族半导体和II
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VI族半导体单金外延的基本生产方法。
[0003]对于射频、电力电子及发光二极管领域，在蓝宝石、碳化硅、硅衬底上沉积GaN薄膜，或在碳化硅衬底上沉积碳化硅薄膜等，均对晶圆表面的外延材料的微颗粒物有明确要求；一般为了提高良品率，期望表面的微颗粒物越少越好，最好是零。例如，根据ISO 9241 标准，显示材料中的像素坏点率要低于2ppm，相应的CVD外延晶圆表面10x10mm范围内的表面缺陷(直径大于1微米的颗粒)要小于0.01/cm2。而目前最先进的有机物化学气相沉积(MOCVD)设备其制备材料表面缺陷的密度也仅为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CVD处理系统，其特征在于，所述系统包括传送腔、放片腔、取片腔以及多个反应腔，所述放片腔、取片腔以及多个反应腔周向布置在所述传送腔的外侧，所述传送腔内具有托盘传输组件，所述托盘传输组件用于将所述放片腔内的托盘及衬底输送至反应腔，及用于将所述反应腔内的衬底及外延片输送至取片腔；所述放片腔与所述传送腔之间具有第一闸板阀，所述放片腔的位于所述第一闸板阀顶部的腔壁上具有用于清理所述托盘传输组件表面微粒的吹扫进气口；各所述反应腔与所述传送腔之间均具有第二闸板阀，各所述反应腔内具有托盘支撑组件，所述托盘支撑组件包括支撑轴及旋转驱动部件，所述旋转驱动部件用于驱动所述支撑轴做旋转运动；所述取片腔与所述传送腔之间具有第三闸板阀，所述取片腔的位于所述第三闸板阀顶部的腔壁上具有用于清理所述托盘传输组件表面微粒的吹扫进气口。2.根据权利要求1所述的CVD处理系统，其特征在于，所述放片腔的远离所述第一闸板阀的一侧具有第四闸板阀，所述取片腔的远离所述第三闸板阀的一侧具有第五闸板阀。3.根据权利要求1所述的CVD处理系统，其特征在于，所述反应腔内还具有加热组件，所述加热组件用于对所述托盘加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：张森，费磊，李世敏，
申请(专利权)人：宁波沁圆科技有限公司，
类型：新型
国别省市：