双向导通EDS二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种双向导通EDS二极管芯片，包括N型衬底，N型衬底的正面设有两个并列的P区，N型衬底的正面覆盖有氧化层，氧化层上对应P区设有两个并列的金属接点，金属接点穿过氧化层并与P区接触，N型衬底的背面还设有背金属层，背金属层从N型衬底开始依次为钛层、镍层、银层。本实用新型专利技术构简单，制造时无需双面光刻，降低了工艺复杂性；封装时，可以通过背面粘接或焊接，结构稳定，且不会发生导通，可靠性高。通过在平面结构上横向集成了两个PN结，实现了浪涌电流抑制以及静电保护，双向稳压性能一致性好。一致性好。一致性好。

【技术实现步骤摘要】
双向导通EDS二极管芯片


[0001]本技术涉及双向二极管
，具体涉及一种双向导通EDS二极管芯片。

技术介绍

[0002]双向二极管被广泛应用到敏感器件的电压保护，双向二极管并联在被保护电路的前端，当外界突然输入一浪涌电流时，双向二极管内部产生雪崩击穿效应，由高阻抗态瞬间变为低阻抗态，可以在超短的时间吸收该电流，并把稳压值钳制到一固定电压值，以保护该双向二极管并联的电路不受浪涌电流的影响。
[0003]现有的双向二极管主要是纵向结构，制造时需要双向光刻，制造工艺较复杂。封装时，需要在芯片的底端或两端设置金属焊料，容易发生导通现象，存在封装可靠性的隐患。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本技术提供了一种双向导通EDS二极管芯片。
[0005]本技术通过以下技术方案得以实现。
[0006]本技术提供了一种双向导通EDS二极管芯片，包括N型衬底，所述N型衬底的正面设有两个并列的P区，N型衬底的正面覆盖有氧化层，氧化层上对应P区设有两个并列的金属接点，金属接点穿过氧化层并与P区接触，N型衬底的背本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双向导通EDS二极管芯片，其特征在于：包括N型衬底(4)，所述N型衬底(4)的正面设有两个并列的P区(3)，N型衬底(4)的正面覆盖有氧化层(2)，氧化层(2)上对应P区(3)设有两个并列的金属接点(1)，金属接点(1)穿过氧化层(2)并与P区(3)接触，N型衬底(4)的背面还设有背金属层(5)，背金属层(5)从N型衬底(4)开始依次为钛层、镍层、银层。2.如权利要求1所述的双向导通EDS二极管芯片，其特征在于：所述N型衬底(4)、氧化层(2)、金属接点(1)的总厚度为200～250μm。3.如权利要求2所述的双向导通E...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁强，贺晓金，陆超，周嵘，杜先兵，姚秋原，王博，
申请(专利权)人：中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂，
类型：新型
国别省市：