一种新型MOS管散热电路制造技术

技术编号:31409150 阅读:119 留言:0更新日期:2021-12-15 15:03
本实用新型专利技术涉及MOS管散热设计技术领域,具体为一种新型MOS管散热电路,包括MCU、PWM Driver和H桥逆变电路,本实用新型专利技术与一般单极性SPWM驱动控制电路的主要区别在于,其4路MCU编程的PWM1、PWM2、PWM3、PWM4驱动信号与一般单极性SPWM驱动控制电路的驱动信号是完全不同的,本电路设计通过MCU编程对4路PWM驱动控制方式的进行优化改进,从而在工作原理层面实现4路MOS管均匀工作、发热和散热,从而有效降低MOS管的温升,优化MOS管的散热设计,可直接提升产品的质量可靠性。升产品的质量可靠性。升产品的质量可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种新型MOS管散热电路


[0001]本技术涉及MOS管散热设计
,具体为一种新型MOS管散热电路。

技术介绍

[0002]一般车载电源逆变器产品的功能实现电路由两部分组成,即前级DC

DC隔离升压电路和后级DC

AC逆变电路。前级DC

DC隔离升压电路将输入直流电压升高为至少310V以上的直流高压电压HVDC用于后级DC

AC逆变电路输出220V,后级DC

AC逆变电路通常采用H桥逆变电路将高压直流电压HVDC逆变为50Hz的220VAC交流电压。逆变器的H桥逆变电路根据其SPWM的调制方式不同,又有单极性SPWM和双极性SPWM两种调制方式,其各有利弊。一般用于车载电源逆变器产品的H桥逆变电路通常使用单极性SPWM进行驱动控制,其电路设计和驱动控制方式如下:
[0003]通常H桥逆变电路由4颗功率MOS管Q1、Q2、Q3、Q4组成,H桥逆变输出经LC低通滤波器后,产生220V交流电压输出。功率MOS管的4路驱动信号通常由MCU编本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型MOS管散热电路,包括MCU、PWM Driver和H桥逆变电路,其特征在于:所述H桥逆变电路由4颗MOS管Q1、Q2、Q3、Q4组成,所述H桥逆变电路输出端由电感L和电容C低通滤波后,产生220V交流输出电压,4颗所述MOS管Q1、Q2、Q3、Q4对应的驱动信号PWM1、PWM2、PWM3、PWM4,所述驱动信号PWM1、PWM2、PWM3、PWM4由MCU编程产生,所述驱动信号PWM1、PWM2、PWM3、PWM4与PWM Driver相连接。2.根据权利要求1所述的一种新型MOS管散热电路,其特征在于:所述H桥逆变电路使用单极性SPWM进行驱动控制。3.根据权利要求1所述的一种新型MOS管散热电路,其特征在于:所述PWM Driver提升驱动信号PWM1、PWM2、PWM3、PW...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨亚峰
申请(专利权)人:上海奉天电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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