【技术实现步骤摘要】
一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构
[0001]本技术涉及GaN微波芯片散热
,具体为一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构。
技术介绍
[0002]上世纪六十年代,特别是到了七十年代,由于微波半导体电路的飞速发展,微波在无线电
中占有越来越重要的地位。目前,它已广泛地应用于微波中继通信、卫星通信、雷达、制导、电子测量仪器及各种飞行器的电子设备中,因此从事无线电和电子技术的理论和工程技术人员在科研和生产实际中,将大量接触和使用各种微波电子线路,5G基站所需的GaN芯片可满足5G通信基站对射频功率放大器的需求,有业内专家指出,未来最大数据率料达每秒10Gbit,不仅人们之间相互快速通信,汽车、设备乃至生产机器人都将加入到网络中,届时物联网(IOT)、工业4.0或无人驾驶汽车都可实现实时无线电通信,不仅可靠而且更加廉价。
[0003]由于产品安装的应用程序越来越多,这就要求GaN微波芯片处理速度要非常快,高频率处理数据的情况必能会造成GaN微波芯片的发热,现有的GaN微波芯片散热不是很好,如果芯片的热 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构,包括基板(1)、GaN微波芯片(2)和电极(5),所述基板(1)顶端固定有GaN微波芯片(2),所述GaN微波芯片(2)侧边连接有多个电极(5),所述电极(5)与基板(1)顶端相连接,其特征在于:所述基板(1)顶端开设有安装槽(10),所述安装槽(10)与GaN微波芯片(2)底端相连接,所述安装槽(10)底端开设有散热孔(11),所述基板(1)底部设置有散热装置(6),所述GaN微波芯片(2)顶端涂装有导热硅脂(3),所述GaN微波芯片(2)顶端固定有多个散热薄片(4)。2.根据权利要求1所述的一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构,其特征在于:所述散热装...
【专利技术属性】
技术研发人员:王静辉,崔健,黎荣林,段磊,郭跃伟,
申请(专利权)人:河北博威集成电路有限公司,
类型:新型
国别省市:
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