一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构，涉及GaN微波芯片散热技术领域。一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构，包括基板、GaN微波芯片和电极，所述基板顶端固定有GaN微波芯片，所述GaN微波芯片侧边连接有多个电极，所述电极与基板顶端相连接，所述基板顶端开设有安装槽，所述安装槽与GaN微波芯片底端相连接，所述安装槽底端开设有散热孔，所述基板底部设置有散热装置，所述GaN微波芯片顶端涂装有导热硅脂，所述GaN微波芯片顶端固定有多个散热薄片。本实用新型专利技术设置有圆槽、散热孔、散热薄片和散热装置，从而可以对GaN微波芯片的顶部底部和侧部进行散热，进而降低了GaN微波芯片的温度，从而保证了产品的正常运行。行。行。

【技术实现步骤摘要】
一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构


[0001]本技术涉及GaN微波芯片散热
，具体为一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构。

技术介绍

[0002]上世纪六十年代，特别是到了七十年代，由于微波半导体电路的飞速发展，微波在无线电
中占有越来越重要的地位。目前，它已广泛地应用于微波中继通信、卫星通信、雷达、制导、电子测量仪器及各种飞行器的电子设备中，因此从事无线电和电子技术的理论和工程技术人员在科研和生产实际中，将大量接触和使用各种微波电子线路，5G基站所需的GaN芯片可满足5G通信基站对射频功率放大器的需求，有业内专家指出，未来最大数据率料达每秒10Gbit，不仅人们之间相互快速通信，汽车、设备乃至生产机器人都将加入到网络中，届时物联网(IOT)、工业4.0或无人驾驶汽车都可实现实时无线电通信，不仅可靠而且更加廉价。
[0003]由于产品安装的应用程序越来越多，这就要求GaN微波芯片处理速度要非常快，高频率处理数据的情况必能会造成GaN微波芯片的发热，现有的GaN微波芯片散热不是很好，如果芯片的热量没有及时的散热出去，温度达到一定程度，就会造成芯片性能的失常，影响产品的功能。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构，包括基板、GaN微波芯片和电极，所述基板顶端固定有GaN微波芯片，所述GaN微波芯片侧边连接有多个电极，所述电极与基板顶端相连接，所述基板顶端开设有安装槽，所述安装槽与GaN微波芯片底端相连接，所述安装槽底端开设有散热孔，所述基板底部设置有散热装置，所述GaN微波芯片顶端涂装有导热硅脂，所述GaN微波芯片顶端固定有多个散热薄片。
[0006]优选的，所述散热装置包括矩形槽和多个弧形槽，所述弧形槽位于矩形槽的两侧，所述弧形槽槽内固定有石墨烯棒，所述矩形槽两侧连接有陶瓷散热板，且陶瓷散热板一侧与石墨烯棒一端相抵。
[0007]优选的，所述基板顶端开设有多个圆槽，所述圆槽与安装槽相连。
[0008]优选的，所述散热孔有多个，且在安装槽底部均匀分布，所述散热孔与矩形槽相连通。
[0009]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0010]该5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构，设置有圆槽、散热孔、散热薄片和散热装置，从而可以对GaN微波芯片的顶部底部和侧部进行散热，进而降低了GaN微波芯片的温度，
从而保证了产品的正常运行。
附图说明
[0011]图1为本技术的右侧轴视图；
[0012]图2为本技术的分解图；
[0013]图3为本技术的仰视图。
[0014]图中：1、基板；2、GaN微波芯片；3、导热硅脂；4、散热薄片；5、电极；6、散热装置；601、陶瓷散热板；602、矩形槽；603、弧形槽；604、石墨烯棒；10、安装槽；11、散热孔；12、圆槽。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0016]需要说明的是，在本技术的描述中，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，并不是指示或暗示所指的装置或元件所必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0017]此外，应当理解，为了便于描述，附图中所示出的各个部件的尺寸并不按照实际的比例关系绘制，例如某些层的厚度或宽度可以相对于其他层有所夸大。
[0018]应注意的是，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义或说明，则在随后的附图的说明中将不需要再对其进行进一步的具体讨论和描述。
[0019]如图1
‑
3所示，本技术提供一种技术方案：一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构，包括基板1、GaN微波芯片2和电极5，GaN中文为氮化镓，其能够让器件在更高的电压、频率和温度下运行，而GaN微波芯片主要用于无线连接之中，尤其是一些发射性质的基站或设备之中，基板1顶端固定有GaN微波芯片2，微波芯片2和传统红外感应器对比，感测距离更长且更灵敏，且不受环境角度或温度的影响，GaN微波芯片2侧边连接有多个电极5，电极5与基板1顶端相连接，基板1顶端开设有安装槽10，安装槽10与GaN微波芯片2底端相连接，安装槽10底端开设有散热孔11，散热孔11有多个，且在安装槽10底部均匀分布，基板1底部设置有散热装置6，散热装置6主要是对GaN微波芯片2底部进行散热，GaN微波芯片2顶端涂装有导热硅脂3，导热硅脂3具有导热性，它可以更好的完成相关热量的传递工作，GaN微波芯片2顶端固定有多个散热薄片4，散热薄片4可以增大散热面积，从而实现更好的散热，散热装置6包括矩形槽602和多个弧形槽603，弧形槽603位于矩形槽602的两侧，弧形槽603槽内固定有石墨烯棒604，石墨烯棒604具有很好的导热性能，矩形槽602两侧连接有陶瓷散热板601，且陶瓷散热板601一侧与石墨烯棒604一端相抵。
[0020]如图1
‑
3所示，基板1顶端开设有多个圆槽12，圆槽12与安装槽10相连，散热孔11与
矩形槽602相连通。
[0021]当GaN微波芯片2工作时，GaN微波芯片2会产生热量，因在GaN微波芯片2的上表面涂装了导热硅脂3，且散热薄片4与导热硅脂3相接触，这样GaN微波芯片2散发的热量可以经导热硅脂3传送到散热薄片4上，散热薄片4可以有效的增大散热面积，从而可以增大散热速度，对GaN微波芯片2进行散热，在安装槽10四周开设有圆槽12，圆槽12可以将GaN微波芯片2侧面的部分热量传送到空气中，从而降低了GaN微波芯片2侧面的温度，GaN微波芯片2底部的温度经散热孔11进入矩形槽602内，再通过矩形槽602和石墨烯棒604传导给陶瓷散热板601，最后陶瓷散热板601将温度散发到空气中，从而实现对GaN微波芯片2的散热。
[0022]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构，包括基板(1)、GaN微波芯片(2)和电极(5)，所述基板(1)顶端固定有GaN微波芯片(2)，所述GaN微波芯片(2)侧边连接有多个电极(5)，所述电极(5)与基板(1)顶端相连接，其特征在于：所述基板(1)顶端开设有安装槽(10)，所述安装槽(10)与GaN微波芯片(2)底端相连接，所述安装槽(10)底端开设有散热孔(11)，所述基板(1)底部设置有散热装置(6)，所述GaN微波芯片(2)顶端涂装有导热硅脂(3)，所述GaN微波芯片(2)顶端固定有多个散热薄片(4)。2.根据权利要求1所述的一种5G通讯专用GaN微波芯片的散热结构，其特征在于：所述散热装...

【专利技术属性】
技术研发人员：王静辉，崔健，黎荣林，段磊，郭跃伟，
申请(专利权)人：河北博威集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：