【技术实现步骤摘要】
一种用于提拉法晶体生长的加热结构及晶体生长装置
[0001]本技术涉及提拉法晶体生长装置领域,尤其涉及一种用于提拉法晶体生长的加热结构及晶体生长装置。
技术介绍
[0002]在采用提拉法或导模法制备晶体的过程中,晶体生长装置内晶体刚形成的区域温度较高,而靠近籽晶杆入口的区域相对于晶体形成的区域温度较低。由于从装置内部至外部的温度变化较大,籽晶杆提拉晶体时,晶体周围的温度降低较快,且可能会出现温度不稳定的情况,不利于晶体的生长。
[0003]因此,现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
[0004]鉴于上述现有技术的不足,本技术的目的在于提供一种用于提拉法晶体生长的加热结构及晶体生长装置,旨在解决晶体在提拉过程中由于温度变化较快且温度不稳定而导致晶体生长质量差的问题。
[0005]本技术的技术方案如下:
[0006]一种用于提拉法晶体生长的保温结构,其中,包括:
[0007]保温罩,所述保温罩开设通孔;
[0008]高温熔融装置,所述保温罩设置在所述高温熔融装置上; />[0009]加热本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于提拉法晶体生长的加热结构,其特征在于,包括:保温罩,所述保温罩开设通孔;高温熔融装置,所述保温罩设置在所述高温熔融装置上;加热装置,所述加热装置包括:若干个加热单元,所述若干个加热单元沿所述通孔的轴向设置;温度监测装置,用于监测所述保温罩的通孔中的温度场;温度控制装置,所述温度监测装置和所述若干个加热单元分别与所述温度控制装置连接,所述温度控制装置用于根据所述温度场分别调整所述若干个加热单元的温度。2.根据权利要求1所述的用于提拉法晶体生长的加热结构,其特征在于,每个加热单元均包括环绕所述通孔的中心轴并设置于所述通孔的内壁的电阻加热丝。3.根据权利要求1所述的用于提拉法晶体生长的加热结构,其特征在于,所述通孔的宽度大于所述晶体的宽度。4.根据权利要求1所述的用于提拉法晶体生长的加热结构,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:王晓亮,齐红基,
申请(专利权)人:杭州富加镓业科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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