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真空断路器的触头制造技术

技术编号:3138177 阅读:170 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种真空断路器的触头,其动触头的导电杆的末端连接一触头座,该触头座内腔腔壁有斜棱,触头座下部与燃弧面相接,燃弧面上部是平面,下部是一斜面与中间的平面相接,沿圆分布小孔,静触头也有相应的触头座与导电杆以及燃弧面相接,动静触头分离时形成电弧,其金属蒸汽除沿斜面横向扩散外还沿小孔纵向扩散,因而提高等效的初分速度,减少触头的烧蚀,增强其寿命。(*该技术在2010年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种真空断路器的触头,属于断路器零件的
现有的真空断路器,(见附图说明图1)动触头导电杆(1)连接一触头(26),该触头有一燃弧面(28),静触头导电杆(4)连接一触头(27),该触头有一燃弧面(29)。由于动、静触头的接触表面都是一平面,当动、静触头分离时,其间形成的金属蒸汽只能在较窄小的有限空间里横向扩散,密度衰减速率慢,电弧的形成都在触头边缘,这种集聚型电弧(高气压电弧)的电弧能量大而集中,使电弧易于烧毁,亟待改进。本技术的目的是要提供一种真空断路器的触头,它可以克服上述的缺点。从触头的结构形状改进,当动、静触头分离时,形成的电弧使其金属蒸汽有纵向和横向扩散,进而提高等效和分速度,使触头的烧蚀现象显著改善。本技术的目的是这样实现的导电杆(1)的末端连接一触头座(2),该触头座(2)有一内腔(8),腔壁有倾斜的斜棱(10),触头座(2)下部与触头燃弧面(3)相接,该燃弧面的上部是一平面,下部有一斜面(7),中间部分有一平面与斜面相接;沿圆分布小孔(9),静触头的导电杆(4)的上部也连接一触头座(5),其表面也有斜棱(11),触头座(5)上部也与一燃弧面(6)相接,燃弧面(6)上部也有类似的斜面(12)。图1.原有断路器触头的示意图图2.本真空断路器触头的示意图图3.燃弧触头面示意图图4.真空断路器触头安装部位示意图兹结合附图对真空断路器触头的结构详细叙述由图2、3,导电杆(1)的末端连接一触头座(2),该触头座(2)有一内腔(8),腔壁有倾斜的斜棱(10),触头座(2)下部与触头燃弧面(3)相接,该燃弧面的上部是一平面,下部有一斜面(7),下部的中间部分是一平面,沿圆分布一列小孔(9),静触头的导电杆(4)的上部也连接一触头座(5),其表面有数个斜棱(11),触头座(5)上部也与一燃弧面(6)相接,燃弧面(6)上部也有类似的斜面(12)。由图4,断路器的绝缘子(瓷瓶)(13)与]形支架(14)连接,]形支架的一端固定于分闸辅助室(15)上面,其中斜置一带有辅助弹簧的辅助连杆(16),下端与一个支杆(17)相接;开关主轴(25)装在付杆(18)上面,付杆下部连接一绝缘杆(19),杆的右端与和分闸连杆连接;(图中未表示)和分闸连杆位于连杆室(20)内,连杆室(20)上部与分闸机构室(21)和触头压力弹簧室(22)相连接,该室由于绝缘子(13)相连,另一绝缘子(23)右端与连杆室(20)相接,左端与固定于分闸辅助室(15)的右侧面的支架(24)连接。本触头都位于分闸机构室(21)内。(标号Ⅲ)真空断路器在开断短路电流时,初分速度能增强开断能力,这是因为动、静触头分离形成电弧在较窄小的空间充满了金属蒸汽,其密度大而梯度小,这种情况下形成的电弧是集聚型(即高气压电弧),电弧能量大而集中,使触头烧蚀严重,当动、静触头进一步分离使间隙扩大,金属蒸汽在四周真空环境中迅速扩散形成密度小而梯度大,这时电弧转变成“扩散型”(即低气压电弧)电弧且能量小而并联存在,这种转变过程越快,开断电流和成功率越高。由于触头结构形成的变化,金属蒸汽除了横向扩散以外还可以通过燃弧面的小孔进行纵向扩散,因而提高了等效初分速度。与现有技术相比,真空断路器的触头具有下列优点1.动触头的燃弧面设置一列沿圆形分布的小孔,使动、静触头分离时形成的金属蒸汽除了横向扩散以外还沿小孔纵向扩散,显著地提高了初分速度。2.使触头严重烧蚀的现象显著改善,增强了触头使用寿命。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空断路器的触头,其特征在于:导电杆(1)的末端连接一触头座(2),该触头座(2)有一内腔(8),腔壁有倾斜的斜棱(10),触头座(2)下部与触头燃弧面(3)相接,该燃弧面的上部是一平面,下部有一斜面(7),中间部分有一平面与斜面相接;沿圆分布小孔(9)定触头的导电杆(4)的上部也连接一触头座(5),其表面也有斜棱(11),触头座(5)上部也与一燃弧面(6)相接,燃弧面(6)上部也有类似的斜面(12)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】一种真空断路器的触头,其特征在于导电杆(1)的末端连接一触头座(2),该触头座(2)有一内腔(8),腔壁有倾斜的斜棱(10),触头座(2)下部与触头燃弧面(3)相接,该燃弧面的上部是一平面,下部有一斜面(...

【专利技术属性】
技术研发人员:聂崇志
申请(专利权)人:聂崇志
类型:实用新型
国别省市:31[中国|上海]

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