包含脂环式化合物末端的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

提供用于形成能够形成所希望的抗蚀剂图案的抗蚀剂下层膜的组合物、和使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂图案制造方法、半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含在末端含有脂肪族环的聚合物，且进一步包含有机溶剂，所述脂肪族环的碳

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含脂环式化合物末端的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物


[0001]本专利技术涉及在半导体制造中的光刻工艺中，特别是最尖端(ArF、EUV、EB等)的光刻工艺中能够使用的组合物。此外，涉及应用了上述抗蚀剂下层膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]一直以来，在半导体装置的制造中，通过使用了抗蚀剂组合物的光刻进行微细加工。上述微细加工是在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂组合物的薄膜，经由其上描绘有器件图案的掩模图案而照射紫外线等活性光线，进行显影，以所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，从而在基板表面形成与上述图案对应的微细凹凸的加工法。近年来，半导体器件的高集成度化进展，所使用的活性光线除了以往使用的i射线(波长365nm)、KrF准分子激光(波长248nm)、ArF准分子激光(波长193nm)以外，在最尖端的微细加工中研究了EUV光(波长13.5nm)或EB(电子射线)的实用化。与此相伴，活性光线从半导体基板的漫反射、驻波的影响成为大问题。因此为了解决该问题，广泛研究了在抗蚀剂与半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含在末端含有脂肪族环的聚合物，且进一步包含有机溶剂，所述脂肪族环的碳
‑
碳键可以被杂原子中断并且所述脂肪族环可以经取代基取代。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述脂肪族环为碳原子数3～10的单环式或多环式脂肪族环。3.根据权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述多环式脂肪族环为二环或三环。4.根据权利要求1～3中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述脂肪族环具有至少1个不饱和键。5.根据权利要求1～4中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述取代基选自羟基、直链状或支链状的碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～20的烷氧基、碳原子数1～10的酰氧基和羧基。6.根据权利要求1～5中任一项所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物在主链具有下述式(3)所示的至少1种结构单元，在式(3)中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q1表示2价有机基，m1和m2各自独立地表示0或1。7.根据权利要求6所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，在所述式(3)中，Q1表示下述式(5)所示的2价有机基，式中，Y表示下述式(6)或式(7)所示的二价基；式中，R6和R7各自独立地表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的烯基、苄基或苯基，所述苯基可以经选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：若山浩之，水落龙太，清水祥，染谷安信，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：