三相组合式过电压保护器制造技术

一种三相组合式过电压保护器，其特征在于氧化锌压敏电阻串接构成氧化锌阀片组ＲＶ，氧化锌阀片组ＲＶ两端设有接线端子，四个氧化锌阀片组ＲＶ的一个接线端子按星形接法并接在一起，其中三个氧化锌阀片组ＲＶ的另一个接线端子分别接入被保护设备的Ａ、Ｂ、Ｃ三相中，剩下的一个氧化锌阀片组ＲＶ的另一个接线端子接地。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术涉及一种三相组合式过电压保护器，特别是非有效接地系统工程中的高压设备的过电压保护器。
技术介绍
目前，高压断路器多数为少油断路器和真空断路器，它们在断开感性负载和容性负载时，产生过电压的概率较大。最为严重的是开关重燃产生的过电压，幅值高、能量大，而且操作过电压的波形极不规则，一般波前时间为20ms＜T1＜5000ms，半峰值时间T2＜20ms，如此不规则的冲击过电压对绝缘的破坏能力是正弦波的1.6倍以上，且绝缘破坏后不可恢复，累积效应比较强，即会发生闪烙，甚至会击穿绝缘层。传统的保护方式如避雷针只能保护相与地之间过电压，对相与相之间过电压则无法保护。
技术实现思路
本技术提供一种三相组合式过电压保护器，它除了限制大气过电压外，还能够有效地限制系统操作过电压，特别是限制常规避雷器所不能限制的相间过电压。本技术是这样实现的一种三相组合式过电压保护器，氧化锌压敏电阻串接构成氧化锌阀片组，氧化锌阀片组端设有接线端子，四个氧化锌阀片组的一个接线端子按星形接法并接在一起，其中三个氧化锌阀片组的另一个接线端子分别接入被保护设备的A、B、C三相中，剩下的一个氧化锌阀片组的另一个接线端子接地。所述氧化锌阀片组呈密封结构，外部套有高压硅橡胶绝缘套；接线端子为螺栓连接式。利用氧化锌组成过电压保护器的保护特性取决于它的核心元件氧化锌阀片优良的非线性。在持续运行电压下只能流过1mA以下的泄漏电流，氧化锌伏安特性曲线中有一段10-3-104A平坦区，即氧化锌在导通后，电流虽然增加107倍，但是残压只升高两倍，电压接近于理想恒压，是其过电压保护性能优良的根本保证。四个氧化锌阀片组按星形接法并接在一起，其中三个氧化锌阀片组的另一个接线端子分别接入被保护设备的A、B、C三相中，剩下的一个氧化锌阀片组的另一个接线端子接地，其相对地和相间残压均由两个氧化锌阀片组承担，不仅能保护设备相对地的绝缘，也能有效地保护设备相间绝缘安全。附图说明图1为本技术的原理图；图2为本技术接入被保护电机的接线图。具体实施方式根据图1和图2所示，本技术中的氧化锌阀片组RV由氧化锌压敏电阻串接成，氧化锌阀片组RV密封在高压绝缘瓷套或硅橡胶合成绝缘套中，两端设有螺栓连接式的接线端子。四个氧化锌阀片组RV的一个接线端子按星形接法并接，其中三个氧化锌阀片组RV的另一个接线端子分别与被保护电机1的A、B、C三相并接，剩余氧化锌阀片组RV的另一个接线端子与地相接。它不仅能保护设备相对地的绝缘，更能有效地保护相间的绝缘安全。如6KV旋转电机1，不采用本三相组合式过电压保护器时相对地绝缘耐受操作过电压峰值为U(相地)＝ ×(2UE+1)×0.75×1.15＝16.58KV，U(相间)＝1.4U(相地)＝23.2KV，而相间操作冲击残压峰值U(100A相间)＝2U(100A相地)＝30KV＞23.2KV，可见无法保护相间绝缘。当采用三相组合式过电压保护器时，其相对地和相间残压均由两柱承担。相地单柱残压设计为4.5KV，三相单柱残压设计为10.5KV，则U(100A相地)＝10.5+4.5＝15KV，U(100A相间)＝2×10.5＝21KV这样无论相对地过电压或相间过电压，设计残压均小于U(相地)、U(相间)，全面有效地保护了电机1的绝缘安全。权利要求1.一种三相组合式过电压保护器，其特征在于氧化锌压敏电阻串接构成氧化锌阀片组RV，氧化锌阀片组RV两端设有接线端子，四个氧化锌阀片组RV的一个接线端子按星形接法并接在一起，其中三个氧化锌阀片组RV的另一个接线端子分别接入被保护设备的A、B、C三相中，剩下的一个氧化锌阀片组RV的另一个接线端子接地。2.根据权利要求1所述的三相组合式过电压保护器，其特征在于氧化锌阀片组RV为密封结构，外部套有高压硅橡胶绝缘套。专利摘要本技术公开一种三相组合式过电压保护器，氧化锌压敏电阻串接构成氧化锌阀片组RV，外部套有高压硅橡胶绝缘套，氧化锌阀片组RV两端设有接线端子，四个氧化锌阀片组RV的一个接线端子按星形接法并接在一起，其中三个氧化锌阀片组RV的另一个接线端子分别接入被保护设备的A、B、C三相中，剩下的一个氧化锌阀片组RV的另一个接线端子接地。采用本技术相对地和相间过电压均由两个氧化锌阀片组RV承担，不仅能保护设备相对地的绝缘，也能有效地保护设备相间绝缘安全，适用于非有效接地系统工程中的高压设备的过电压保护。文档编号H01H83/00GK2631032SQ0325956公开日2004年8月4日 申请日期2003年7月15日 优先权日2003年7月15日专利技术者何志远, 单秋胜, 董入刚 申请人:泰州市巨能电气有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：何志远，单秋胜，董入刚，
申请(专利权)人：泰州市巨能电气有限公司，
类型：实用新型
国别省市：