一种新型W波段波导微带过渡结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型W波段波导微带过渡结构，属于微波技术领域，针对现有技术中存在的无法实现垂直极化波导的过渡，若要实现波导接口垂直极化，则需要增加扭波导，会带来体积变大和成本增加的问题，以及鳍线结构对基片加工要求较高，且鳍线基片烧结时，容易产生多余物的问题，本实用新型专利技术的技术方案包括波导、微带线和过渡结构，所述波导的顶部设置有基片，所述波导与所述基片呈垂直结构，所述基片上设置有微带线，所述基片的顶部设置有过渡结构，其目的为：提供一种插损低、驻波小；结构简单且强度高；具有良好容差特性的波导微带过渡结构。渡结构。渡结构。

【技术实现步骤摘要】
一种新型W波段波导微带过渡结构


[0001]本技术属于微波
，具体涉及一种新型W波段波导微带过渡结构。

技术介绍

[0002]微波组件为便于与具有波导接口的外部器件连接，同样采用波导作为接口，而微波组件内部多采用微带结构实现电气功能，因此性能良好的波导微带过渡结构对微波组件性能至关重要，对组件噪声系数、输出功率和端口驻波等重要参数有直接影响，是微波组件和毫米波组件设计的重点。
[0003]为便于与微带结构连接，缩小波导到微带转换结构的尺寸实现组件小型化，现有方案多采用探针形式，其主要包括同轴探针和微带探针两种形式。相较于同轴探针，微带探针具有性能优良、制作简单和成本低廉的优点，广泛应用于微波组件乃至毫米波组件中。
[0004]当电路要求微带与波导传输方向一致，最常用的方式为微带线通过鳍线，过渡到波导结构。这种过渡形式，波导口为水平极化，如果需要垂直极化方式，需要在微波组件外部增加一个扭波导。
[0005]现有技术至少存在以下技术问题：
[0006]1.现有单纯的波导微带过渡结构无法实现垂直极化波导的过渡，若要实现波导接口垂直极化，则需要增加扭波导，会带来体积变大和成本增加的问题。
[0007]2.现有的波导微带过渡结构的鳍线结构对基片加工要求较高，且鳍线基片烧结时，容易产生多余物。

技术实现思路

[0008]针对现有技术中存在的无法实现垂直极化波导的过渡，若要实现波导接口垂直极化，则需要增加扭波导，会带来体积变大和成本增加的问题，以及鳍线结构对基片加工要求较高，且鳍线基片烧结时，容易产生多余物的问题，本技术提出了一种新型W波段波导微带过渡结构，其目的为：提供一种插损低、驻波小；结构简单且强度高；具有良好容差特性的波导微带过渡结构。
[0009]为实现上述目的本技术所采用的技术方案是：提供一种新型W波段波导微带过渡结构，包括波导、微带线和过渡结构，所述波导的顶部设置有基片，所述波导与所述基片呈垂直结构，所述基片上设置有微带线，所述基片的顶部设置有过渡结构。
[0010]较优的，本技术所述基片上设置有探针腔体，所述探针腔体设置于微带线的端部。
[0011]较优的，本技术所述探针腔体内设置微带探针，所述微带探针与微带线连接。
[0012]较优的，本技术所述微带探针远离微带线的一端连接有过渡微带线。
[0013]较优的，本技术所述波导为柱形体，且波导的横截面为圆角矩形。
[0014]较优的，本技术所述过渡结构的底部完全覆盖基片和波导的顶部。
[0015]较优的，本技术所述过渡结构包括第一腔体，第二腔体和第三腔体，所述第一
腔体与第二腔体连接，所述第二腔体与第三腔体连接，所述第一腔体，第二腔体和第三腔体都是柱形体。
[0016]较优的，本技术所述第一腔体为长方体，且第一腔体的所有底部与基片的部分顶部连接。
[0017]较优的，本技术所述第二腔体的高度与第一腔体的高度相同，所述第三腔体的高度大于第二腔体的高度，且第二腔体的所有底部与波导的部分顶部连接。
[0018]较优的，本技术所述第三腔体的横截面为半圆角半直角矩形。
[0019]相比现有技术，本技术的技术方案具有如下优点/有益效果：
[0020]1.本技术通过微带到波导结构的过渡，使波导为垂直极化方式，且插损低、驻波小。
[0021]2.本技术通过设置探针腔体，使整体结构强度高。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0023]图1是本技术实施例1的结构示意图。
[0024]图2是图1中基片的顶部结构示意图。
[0025]图中标记分别为：1、波导；2、基片；3、第一腔体；4、第三腔体；5、第二腔体；6、微带线；7、微带探针；8、过渡微带线。
具体实施方式
[0026]为使本技术目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式是本技术的一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本技术保护的范围。因此，以下提供的本技术的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施方式。
[0027]实施例1：
[0028]如图1和图2所示，本技术提出一种新型W波段波导微带过渡结构，包括波导1、微带线6和过渡结构，所述波导1为柱形体，且波导1的横截面为圆角矩形。所述波导1的顶部设置有基片2，所述波导1与所述基片2呈垂直结构，所述基片2上设置有微带线6，所述基片2上设置有探针腔体，所述探针腔体内设置微带探针7，所述微带探针7与微带线6连接。所述微带探针7远离微带线6的一端连接有过渡微带线8。
[0029]本技术所述基片2的顶部设置有过渡结构。所述过渡结构的底部完全覆盖基片2和波导1的顶部。所述过渡结构包括第一腔体3，第二腔体5和第三腔体4，所述第二腔体5的高度与第一腔体3的高度相同，所述第三腔体4的高度大于第二腔体5的高度，所述第一腔体3与第二腔体5连接，所述第二腔体5与第三腔体4连接，所述第一腔体3，第二腔体5和第三
腔体4都是柱形体。
[0030]本技术所述第一腔体3为长方体，且第一腔体3的所有底部与基片2的部分顶部连接。即第一腔体3的所有底部形状与基片2的部分顶部形状完全重合。
[0031]本技术第二腔体5的所有底部与波导1的部分顶部连接。即第二腔体5的所有底部形状与波导1的部分顶部形状完全重合。
[0032]本技术所述第三腔体的横截面为半圆角半直角矩形。即将矩形的两个相邻的直角变为圆角，形成的图形就是半圆角半直角矩形。该两个圆角所形成的边缘形状和第二腔体5与波导1重合部分的形状相同。
[0033]本技术为满足微带探针7的精确定位，采用显微镜下基片2导电胶粘接的方式，将微带探针7组装到探针腔体中。再经过高温烘干，完成整个烧结步骤。
[0034]以上仅是本技术的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本技术的限制，本技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。
本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型W波段波导微带过渡结构，其特征在于，包括波导、微带线和过渡结构，所述波导的顶部设置有基片，所述波导与所述基片呈垂直结构，所述基片上设置有微带线，所述基片的顶部设置有过渡结构。2.根据权利要求1所述的一种新型W波段波导微带过渡结构，其特征在于，所述基片上设置有探针腔体，所述探针腔体设置于微带线的端部。3.根据权利要求2所述的一种新型W波段波导微带过渡结构，其特征在于，所述探针腔体内设置微带探针，所述微带探针与微带线连接。4.根据权利要求3所述的一种新型W波段波导微带过渡结构，其特征在于，所述微带探针远离微带线的一端连接有过渡微带线。5.根据权利要求1所述的一种新型W波段波导微带过渡结构，其特征在于，所述波导为柱形体，且波导的横截面为圆角矩形。6.根据权利要求1所述的一种新型W波段波导微带过渡结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：王司亮，
申请(专利权)人：四川欣科奥电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：