一种低损耗理想二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低损耗理想二极管,所述二极管包括控制IC、电荷泵电容C1、增强型MOSFET，整个整流系统器件极少，非常利于缩小整体应用方案的体积，控制IC的电源管脚VIN连接增强型MOSFET的源端，并作为整流器的阳极，控制IC的电荷泵引脚CPO通过电容C1连接MOSFET的源端，控制IC的驱动管脚Gate连接增强型MOSFET的栅端，控制IC的管脚OUT连接MOSFET的漏端，为整流器的阴极和输出，该低损耗理想二极管外围简洁、功耗可控的低损耗二极管,降低整流器功耗，简化布板，缩小整体方案体积，符合高能效、高功率密度的发展趋势，在应用上无需散热装置。散热装置。散热装置。

【技术实现步骤摘要】
一种低损耗理想二极管


[0001]本技术涉及半导体技术，具体涉及一种低损耗理想二极管。

技术介绍

[0002]肖特基二极管由于其正向压降低（通常0.3V左右），常被用于替换普通二极管（正向压降约0.7V）作为整流器应用于大电流电路中，可以极大地降低由于二极管带来的功率损耗，比如3A的电流条件下肖特基二极管可以节省（0.7V
‑
0.3V）*3A=1.2W的功耗，并且从二极管阴极得到的电压也将更接近二极管阳极的输入电压。
[0003]然而随着能效要求的提高，在大电流应用时，作为整流器的肖特基二极管上仍然会产生较大功耗，以致能效不能满足要求，同时肖特基二极管在工作时发热非常严重，需要进行散热处理，因而需要增加整体方案的体积，方案成本也将增大。

技术实现思路

[0004]为了进一步降低整流器的功耗，且保证负载电源能够跟接近输入电源，本技术提供了一种低损耗的理想二极管，可以一种极其简便、可控的方式来降低整流器带来的功耗，且由于整流器功耗的降低，应用上无需散热装置，缩小了整体方案的体积，本技术公开了一种低损耗理想二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损耗理想二极管,其特征在于,所述二极管包括控制IC、电容C1、增强型MOSFET，控制IC的电源管脚VIN连接增强型MOSFET的源端，并作为整流器的阳极，控制IC的电荷泵引脚CPO通过电容C1连接MOSFET的源端，控制IC的驱动管脚Gate连接增强型MOSFET的栅端，控制IC的管脚OUT连接MOSFET的漏端，作为整流器的阴极和输出。2.根据权利要求1所述的一种低损耗理想二极管，其特征在于，所述控制IC内部包括比较器CMP1、比较器CMP2、运放AMP、电平转换模块、LDO/BIAS/UVLO模块、ChargePump模块，NMOS管N1以及PMOS管P1，ChargePump模块的CPO引脚连接电容C1，在CPO引脚与阳极电压VIN之间存在一稳压管DZ，比较器CMP1、比较器CMP2及运放AMP的两输入端分别接阳极电压VIN和阴极电压VOUT，比较器CMP1和比较器CMP2的输出端连接电平转换模块，电平转换模块连接NMOS管N1和PMOS管P1，所述电平转换模块用于将两个比较器输出的高低电平VCC和GND转换成高低电平CPO和VIN，NMOS管N1和PMOS管P1为IC的驱动管，PMOS管P1的源端接CP...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂才根，张胜，谭在超，罗寅，丁国华，
申请(专利权)人：苏州锴威特半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：