串联式射频MEMS开关制造技术

一种串联式射频ＭＥＭＳ开关，它解决了现有技术因触点变形弯曲而影响触点与信号线的接触效果的问题，提供一种能保证触点与波导能够稳定接触的串联式射频ＭＥＭＳ开关，本实用新型专利技术包括：驱动块、触点、固定端、共平面波导，触点由上下二层薄膜构成，其上层薄膜的下表面的中间设有向下凸起，下层薄膜的上表面的中间设有与上层薄膜的向下凸起相配对的向上凹槽。本实用新型专利技术的射频ＭＥＭＳ开关减少了因多层薄膜所造成的应力影响，Ｔ型结构由于其下端的窄条起了支撑的作用，使触点的下端成为平面，改变了原先触点的弯曲现象，从而使触点与波导的接触成为稳定的接触，对开关性能的提高起了很大的作用。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种串联式射频MEMS开关。
技术介绍
目前所制作的串联式MEMS开关，通常采用平面式SiN薄膜作悬梁，在平面式SiN悬梁下蒸平面式镀金膜形成二层平面式薄膜触点结构，二层薄膜的尺寸均为14(宽)×80(长)微米，其结构如图1所示。由于平面式SiN薄膜制作过程中会产生较大的应力，致使触点产生形变，并导致弯曲，影响触点与信号线的接触。
技术实现思路
本技术解决了现有技术因触点变形弯曲而影响触点与信号线的接触效果的问题，提供一种能保证触点与波导能够稳定接触的串联式射频MEMS开关。本技术的技术方案如下它包括驱动块、触点、固定端、共平面波导，触点由上下二层薄膜构成，其特征在于其上层薄膜的下表面的中间设有向下凸起，下层薄膜的上表面的中间设有与上层薄膜的向下凸起相配对的向上凹槽。本技术的T型结构的触点，有效地改善了触点的形变和弯曲，使触点与信号线之间能够进行有效的接触。本技术的T型触点结构的射频MEMS开关减少了因多层薄膜所造成的应力影响，T型结构由于其下端的窄条起了支撑的作用，使触点的下端成为平面，改变了原先触点的弯曲现象，从而使触点与波导的接触成为稳定的接触，对开关性能的提高起了很大的作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种串联式射频ＭＥＭＳ开关，包括：驱动块（１）、触点（２）、固定端（３）、共平面波导，触点（２）由上下二层薄膜（２１）和（２２）构成，其特征在于：其上层薄膜（２１）的下表面的中间设有向下凸起（２３），下层薄膜（２２）的上表面的中间设有与上层薄膜（２１）的向下凸起（２３）相配对的向上凹槽（２４）。

【技术特征摘要】
1.一种串联式射频MEMS开关，包括驱动块(1)、触点(2)、固定端(3)、共平面波导，触点(2)由上下二层薄膜(21)和(22)构成，其特征在于其上层薄膜(21)的下表面的中间设有向下凸起(23)，下层薄膜(22)的上表面的中间设有与上层薄膜(21)的向下凸起(23...

【专利技术属性】
技术研发人员：于映，罗仲梓，
申请(专利权)人：福州大学，
类型：实用新型
国别省市：35[中国|福建]