一种超薄ZnIn2S4纳米片光触媒材料及其制备方法和应用技术

技术编号:31321366 阅读:22 留言:0更新日期:2021-12-13 00:07
本发明专利技术涉及一种超薄ZnIn2S4纳米片光触媒材料及其制备方法和应用,所述制备方法通过低温回流和超声剥离制备得到超薄ZnIn2S4纳米片。本发明专利技术中所提供的超薄纳米片光触媒材料,可以有效增加反应活性位点,并缩短光生电子和空穴的迁移距离,提高光催化杀菌效率。本发明专利技术材料还具有良好的可见光吸收性能,在可见光照射下可在5

【技术实现步骤摘要】
一种超薄ZnIn2S4纳米片光触媒材料及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及光触媒材料
,具体地说,涉及一种超薄ZnIn2S4纳米片光触媒材料及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]2019年冠状病毒病(COVID

19)的爆发再次警告我们,致病细菌(例如大肠杆菌、金黄色葡萄球菌和铜绿假单胞菌)和病毒(例如猪流感H1N1和人类冠状病毒)等病原微生物对公众健康有着严重的威胁。传统的消毒方法,如臭氧、紫外线照射、氯化、抗菌剂等,消耗大量能源而且有许多副作用(有毒副产物、抗生素抗性等),从长期可持续性的角度来看是不利的。
[0003]相比之下,光催化消毒技术因其绿色、安全和长期有效而被认为是替代传统消毒技术的一种有前景的技术。光催化消毒一般是在光的照射下,半导体材料产生中产生许多对微生物致命的活性氧(ROS)(
·
O2‑

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OH和1O2等)。这些活性氧与细菌接触后会首先破坏细胞壁层,导致一些小分子的泄漏,使ROS 可以进一步渗透进入细胞内部,破坏内部成分,从本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超薄ZnIn2S4纳米片光触媒材料,其特征在于,所述纳米片光触媒材料厚度为4

5nm,为双层ZnIn2S4纳米片。2.据权利要求1所述的超薄ZnIn2S4纳米片光触媒材料,其特征在于,所述光触媒材料的制备方法包括以下步骤:

低温回流:将锌源和铟源溶解在去离子水中,在室温下搅拌后,加入硫源,然后放入油浴锅中加热并剧烈搅拌。

超声剥离:将所得悬浊液离心,收集沉淀并用去离子水冲洗两次,再次分散到去离子水中,超声后离心,取上层清液作为最终产物。3.根据权利要求2所述的光触媒材料,其特征在于,所述光触媒材料的制备方法中,铟源为硝酸铟,锌源为乙酸锌,硫源为硫代乙酰胺。4.根据权利要求3所述的光触媒材料,其特征在于,所述光触媒材料的制备方法中,硝酸铟和乙酸锌的摩尔比为1:2,硫代乙酰胺至少过量1...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐晓翔王冉金姝闫佩毅
申请(专利权)人:上海市普陀区人民医院上海纺织第一医院
类型:发明
国别省市:

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