一种V2O5/BiVO4/Bi2O4异质结及其制备方法和应用技术

本发明专利技术一种V2O5/BiVO4/Bi2O4异质结及其制备方法和应用，BiVO4为单斜相，形貌为片状；V2O5为四方相，形貌为片状；Bi2O4为单斜相，形貌为纳米颗粒，V2O5和BiVO4片叠加成片层褶皱结构，Bi2O4存在于片层褶皱结构表面。制备方法为：将Bi(NO3)3·

【技术实现步骤摘要】
一种V2O5/BiVO4/Bi2O4异质结及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于功能材料领域，涉及一种V2O5/BiVO4/Bi2O4异质结及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]BiVO4是一种新型半导体材料，由于具有能隙窄、可见光催化活性高等优点被广泛应用于光催化领域。然而BiVO4催化剂存在比表面积小、光量子利用率低、电子和空穴复合几率高、吸附性能差、光生载流子难以迁移等问题。
[0003]V2O5是一种n型半导体，其带隙能为2.3eV，小于BiVO4。这使V2O5可以更有效地吸收可见光，并且其带边缘电势能够跨越1.23eV的水氧化还原电势。然而目前V2O5催化剂还存在光吸收范围较小、光量子利用率低，光生电子
‑
空穴对复合率较高等问题。
[0004]Bi2O4比其他Bi基光催化剂具有更窄的带隙约2.0eV和更高的光催化活性，使其成为有前途的可见光光催化剂。与许多其他单组分光催化剂相似，纯Bi2O4的光催化活性不能令人满意，主要是由光生电子
‑
空穴对的快速重组引起的。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种V2O5/BiVO4/Bi2O4异质结，其特征在于，其中的BiVO4结构为单斜相，形貌为片状；V2O5结构为四方相，形貌为片状；Bi2O4结构为单斜相，形貌为纳米颗粒状，V2O5和BiVO4片叠加成片层褶皱结构，Bi2O4纳米颗粒存在于片层褶皱结构表面。2.权利要求1所述的V2O5/BiVO4/Bi2O4异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将Bi(NO3)3·
5H2O溶于稀HNO3溶液中，搅拌至澄清，然后加入NH4VO3，搅拌，形成前驱液A；前驱液A的pH小于0.01；步骤2，将前驱液A在50～60℃下进行水热反应45～50h，制得红色沉淀，将该红色沉淀用去离子水洗涤后再加入无水乙醇静置，制得深绿色沉淀；步骤3，将深绿色沉淀用无水乙醇洗涤，干燥，制得V2O5/BiVO4/Bi2O4异质结。3.根据权利要求2所述的V2O5/BiVO4/Bi2O4异质结的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈国强，杨迁，毕钰，王敏，冯帅军，张碧鑫，任慧君，夏傲，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：