FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备，该方法应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该方法包括：向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成；向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。该方法通过显示驱动芯片对FLASH芯片进行烧写，简化了目前FLASH烧写方法操作过程，提高了FLASH芯片的烧写效率。芯片的烧写效率。芯片的烧写效率。

【技术实现步骤摘要】
FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备


[0001]本专利技术涉及电子设备制造
，尤其是涉及一种FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备。

技术介绍

[0002]随着显示技术的不断发展，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体屏幕有望成为下一代显示技术的主导技术。由于有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体屏幕的生产制造方面还未成熟，所以目前的有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体屏幕存在显示缺陷，需要通过算法对该显示缺陷进行补偿。该补偿技术需要在出厂时向FLASH芯片烧写补偿数据。
[0003]目前，FLASH烧写方法多以烧录器烧写为主，当FLASH芯片用于存储有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体屏幕相关数据时，需要在FPC电路上预留出用于烧写操作的引脚，从而与烧写设备相连。一方面，在烧写的过程中该烧写设备与该引脚需要进行对位，从而导致目前的FLASH烧写方法操作过程复杂，导致烧写效率低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备，以简化目前FLASH烧写方法操作过程，以提高FLASH芯片的烧写效率。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法，其中，该方法应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该方法包括：向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成；向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。
[0006]结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，该显示驱动芯片与终端设备相连；向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据的步骤包括：如果接收到该终端设备发送的控制指令，向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据。
[0007]结合第一方面的第一种可能的实施方式，本专利技术实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果的步骤，包括：向该待烧写芯片发送读取指令，如果该补偿数据被全部读取，确定该待烧写芯片烧写成功；否则，确定该待烧写芯片烧写失败；其中，该读取指令中携带有读起始地址，该读起始地址和该编程起始地址相同。
[0008]结合第一方面的第二种可能的实施方式，本专利技术实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，在确定该待烧写芯片烧写成功的步骤之后，该方法还包括：向该终端设备返回该补偿数据读取完成的通知信息。
[0009]结合第一方面，本专利技术实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，该
待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成的步骤，包括：该待烧写芯片在接收到该编程指令后，获取该编程指令中携带的编程起始地址，从该编程起始地址开始以地址自加的方式烧写该补偿数据，直至该补偿数据烧写完成。
[0010]结合第一方面的第四种可能的实施方式，本专利技术实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，从该编程起始地址开始以地址自加的方式烧写该补偿数据，直至该补偿数据烧写完成的步骤，包括：从该编程起始地址开始以地址自加的方式烧写该补偿数据，并检测该待烧写芯片中用于指示编程状态的标志位的值，如果检测到该标志位的值为0，确定烧写完成，停止烧写操作。
[0011]结合第一方面的第五种可能的实施方式，本专利技术实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，该方法还包括：如果检测到该标志位的值为1，暂停检测该标志位的值，直至达到预设等待时长，重新检测该标志位的值。
[0012]结合第一方面至第一方面的第六种可能的实施方式任一项的FLASH芯片烧写方法，本专利技术实施例提供了第一方面的第七种可能的实施方式，其中，该显示屏幕为有源矩阵有机发光二极体屏幕或主动矩阵有机发光二极体屏幕。
[0013]第二方面，本实施例还提供了一种FLASH芯片烧写装置，其中，该装置应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该装置包括：烧写启动模块，用于向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成；烧写读取模块，用于将向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。
[0014]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种电子设备，其中，该电子设备包括处理器和存储器，该存储器存储有能够被该处理器执行的计算机可执行指令，该处理器执行该计算机。
[0015]本专利技术实施例带来了以下有益效果：
[0016]本专利技术实施例提供的一种FLASH芯片烧写方法、装置及电子设备，该方法应用于显示驱动芯片，该显示驱动芯片与待烧写芯片相连；该待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；该方法包括：向该待烧写芯片发送编程指令和该补偿数据，以使该待烧写芯片在接收到该编程指令后，根据该编程指令中携带的编程起始地址，执行对该补偿数据的烧写操作，直至该补偿数据烧写完成；向该待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认该待烧写芯片的烧写结果。该方法通过显示驱动芯片对FLASH芯片进行烧写，简化了目前FLASH烧写方法操作过程，提高了FLASH芯片的烧写效率。
[0017]本实施例公开的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，或者，部分特征和优点可以从说明书推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本公开的上述技术即可得知。
[0018]为使本公开的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体
实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本专利技术实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法流程示意图；
[0021]图2为本专利技术实施例提供了另一种FLASH芯片烧写方法流程示意图；
[0022]图3为本专利技术实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法的烧写操作时序图；
[0023]图4为本专利技术实施例提供了一种FLASH芯片烧写方法的读取操作时序图；
[0024]图5为本专利技术实施例提供了一种FLASH芯片烧写装置示意图；
[0025]图6为本专利技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
[0026]图标：51
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烧写启动模块；52
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烧写本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种FLASH芯片烧写方法，其特征在于，所述方法应用于显示驱动芯片，所述显示驱动芯片与待烧写芯片相连；所述待烧写芯片用于存储对应显示屏幕的显示缺陷的补偿数据；所述方法包括：向所述待烧写芯片发送编程指令和所述补偿数据，以使所述待烧写芯片在接收到所述编程指令后，根据所述编程指令中携带的编程起始地址，执行对所述补偿数据的烧写操作，直至所述补偿数据烧写完成；向所述待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认所述待烧写芯片的烧写结果。2.根据权利要求1所述的FLASH芯片烧写方法，其特征在于，所述显示驱动芯片与终端设备相连；向所述待烧写芯片发送编程指令和所述补偿数据的步骤包括：如果接收到所述终端设备发送的控制指令，向所述待烧写芯片发送编程指令和所述补偿数据。3.根据权利要求2所述的FLASH芯片烧写方法，其特征在于，所述向所述待烧写芯片发送读取指令，以根据读取结果确认所述待烧写芯片的烧写结果的步骤，包括：向所述待烧写芯片发送读取指令，如果所述补偿数据被全部读取，确定所述待烧写芯片烧写成功；否则，确定所述待烧写芯片烧写失败；其中，所述读取指令中携带有读起始地址，所述读起始地址和所述编程起始地址相同。4.根据权利要求3所述的FLASH芯片烧写方法，其特征在于，在确定所述待烧写芯片烧写成功的步骤之后，所述方法还包括：向所述终端设备返回所述补偿数据读取完成的通知信息。5.根据权利要求1所述的FLASH芯片烧写方法，其特征在于，所述待烧写芯片在接收到所述编程指令后，根据所述编程指令中携带的编程起始地址，执行对所述补偿数据的烧写操作，直至所述补偿数据烧写完成的步骤，包括：所述待烧写芯片在接收到所述编程指令后，获取所述编程指令中携带的编程起始地址，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小微，秦木金，
申请(专利权)人：合肥芯颖科技有限公司，
类型：发明
国别省市：