一种适用于巨量转移的抗静电UV减黏胶及其制备方法技术

一种适用于巨量转移的抗静电UV减黏胶及其制备方法。本发明专利技术属于高分子材料技术领域。本发明专利技术的目的是为了解决现有UV减黏胶经UV光照射后，粘结强度降低的不明显且容易产生静电的技术问题。本发明专利技术的一种适用于巨量转移的抗静电UV减黏胶由固化树脂，聚丙烯酰胺，光引发剂，抗静电剂，交联剂，溶剂制备而成。制备方法：步骤1：向溶剂中加入固化树脂和聚丙烯酰胺，搅拌0.5h～3h；步骤2：向体系中继续加入光引发剂、抗静电剂、交联剂，搅拌1h～2h，混合均匀后静置除去气泡0.5h～1h，得到抗静电UV减黏胶。本发明专利技术的减黏胶体系，抗静电剂在聚合物内部形成纤维状导电网络，可将聚合物表面积累的静电荷导出，以增强其抗静电效果，且单组份体系，可直接涂胶，成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于巨量转移的抗静电UV减黏胶及其制备方法


[0001]本专利技术属于高分子材料
，具体涉及一种适用于巨量转移的抗静电UV减黏胶及其制备方法。

技术介绍

[0002]UV减黏胶可有效的粘结玻璃基板、硅晶圆、不锈钢板等基材，在对半导体晶元进行切割及打磨时，常使用UV减黏胶进行粘结并保护，防止晶圆背崩或扩张。
[0003]巨量转移技术指短时间内通过高精尖设备将大量半导体芯片从源基板转移至目标基板上，主要应用于Mini
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LED及Micro
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LED屏幕模组的制备，UV减黏胶在经特定波长UV光短暂照射后，迅速降低粘结强度，且容易去除并不留残胶。
[0004]由于具有以上优点，UV减黏胶有望应用于Mini
‑
LED及Micro
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LED的巨量转移过程中，但目前的UV减粘胶经UV光照射后，粘结强度降低的不明显，且容易与半导体芯片摩擦产生静电破坏半导体芯片，因此亟待研发一种综合性能优异的UV减黏胶体系。

技术实现思路

[0005]本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于巨量转移的抗静电UV减黏胶，其特征在于，该抗静电UV减黏胶按质量份数由30份～60份的固化树脂，10份～20份的聚丙烯酰胺，5份～10份的光引发剂，1份～5份的抗静电剂，1份～10份的交联剂，1份～53份的溶剂制备而成。2.根据权利要求1所述的一种适用于巨量转移的抗静电UV减黏胶，其特征在于，所述固化树脂为含羧基树脂或含羟基树脂。3.根据权利要求2所述的一种适用于巨量转移的抗静电UV减黏胶，其特征在于，所述含羧基树脂为羧基质量百分含量为5％～10％，分子量为1000～15000的聚氨酯树脂。4.根据权利要求2所述的一种适用于巨量转移的抗静电UV减黏胶，其特征在于，所述含羟基树脂为羟基质量百分含量为1％～5％，分子量为5000～15000的丙烯酸树脂。5.根据权利要求1所述的一种适用于巨量转移的抗静电UV减黏胶，其特征在于，所述聚丙烯酰胺的分子量为10000～30000。6.根据权利要求1所述的一种适用于巨量转移的抗静电UV减黏胶，其特征在于，所述光引发剂为二苯基(2,4,6
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三甲基苯甲酰基)氧化磷、2
‑
羟基
‑2‑
甲基
‑1‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宁，
申请(专利权)人：张宁，
类型：发明
国别省市：