一种库区消落带植物种植方法技术

本发明专利技术涉及种植方法技术领域，尤其涉及一种库区消落带植物种植方法。所述方法包括：1)植前对消落带进行预处理，并挖设植生穴；2)在植生穴内种植植株，在植生穴周围铺设防冲刷型护坡构件；3)在植生穴内铺设深层营养土，在深层营养土表面施加菌剂、并铺设苔藓类植物或藻类植物，再进一步铺设浅层营养土，最后利用生态砼填平植生穴。本发明专利技术方法培育的植株根系发达，固土效果十分稳定；护坡结构配合植生穴的分布方式使得水流冲刷所带来的负面影响被大幅度抵消；通过多层土配合协调植株生长效果良好；人造形成菌群环境使得植株形成更发达的根系并提高根系的固土效果。系并提高根系的固土效果。系并提高根系的固土效果。

【技术实现步骤摘要】
一种库区消落带植物种植方法


[0001]本专利技术涉及种植方法
，尤其涉及一种库区消落带植物种植方法。

技术介绍

[0002]消落带是指河流、湖泊的水位消涨在河道中形成的涨水期间最高水位线与落水期间最低水位线之间的消落区域，是一种特殊的季节性水陆交错湿地生态系统，水利水电工程消落带是指水利水电工程因防洪与发电需要调节水位消涨在水库与河道中形成的最高水位线与最低水位线之间的消落区域，水库消落带在库区水体与陆岸之间形成一个巨大的环库生态隔离带。
[0003]在水库消落带内为植物生长构筑适合的立地条件和生态环境，是消落带植被恢复非常关键和重要的一个步骤，为此我们提出一种库区消落带植物种植方法。

技术实现思路

[0004]为解决现有的消落带植物种植存在受水流冲刷影响，植株难以形成稳定发达的根系，进而难以固土、本身种植生长稳定性差等一系列问题，本专利技术提供了一种库区消落带植物种植方法。
[0005]本专利技术的目的在于：
[0006]1)能够有效促进植株根系生长；
[0007]2)通过护坡结构提高固土能力；
[0008]3)通过多层土配合协调植株生长；
[0009]4)人造形成菌群环境使得植株形成更发达的根系并提高根系的固土效果。
[0010]为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案。
[0011]一种库区消落带植物种植方法，
[0012]所述方法包括：
[0013]1)植前对消落带进行预处理，并挖设植生穴；
[0014]2)在植生穴内种植植株，在植生穴周围铺设防冲刷型护坡构件；
[0015]3)在植生穴内铺设深层营养土，在深层营养土表面施加菌剂、并铺设苔藓类植物或藻类植物，再进一步铺设浅层营养土，最后利用生态砼填平植生穴。
[0016]上述方法中，预处理包括但不仅限于清理坡面、清理碎石等常见操作中的任意一种或多种。本专利技术通过多层土质铺设协同菌剂，形成有利于植物根系生长发育的土质环境和菌群环境，进一步配合护坡构件实现护土、固土等效果，植株生长稳定，且发育良好。
[0017]作为优选，
[0018]所述植生穴呈正六边形点阵分布，呈正六边形点阵分布的植生穴100配合护坡结构200，能够实现对水流的“减速”，水流流至阵列中时由于护坡结构200配合形成的“流道”，使得如图1所示A向水流流经植群时，始终会发生类似B点的水流碰撞，导致水流流速减慢，并且由于流速减慢形成植群内外的“相对密度差”，能够有效提高涨水期间植株生长环境的
生态稳定性。
[0019]作为优选，
[0020]所述防冲刷型护坡构件为：由若干个边框构件首尾相接形成闭合的结构；
[0021]所述边框构件截面为三角形，其所围设形成的防冲刷型护坡构件内高大于外高。
[0022]上述防冲刷型护坡构由六个相同的边框构件201首尾相接形成，边框构件201可采用常见的锚杆固定等方式进行固定，其截面2011为三角形，三角形的坡面角度α为60
±1°
，整体内高大于外高。该结构的护坡结构200在面对水流冲刷时，更有利于分散水流对护坡结构200内土层的作用力，对土层实现良好的保护效果。
[0023]作为优选，
[0024]所述边框构件内壁设有钩挂结构；
[0025]所述防冲刷型护坡构件相对应设有护土网。
[0026]挂钩结构202用以挂设护土网203，护土网203中心设有供给植株枝干和/或根系通过的大通孔2031，护土网203压实在浅层营养土上，对生态砼下方较为松散的土层结构进一步实现保护、防止其流失。
[0027]作为优选，
[0028]所述钩挂结构的设置处距边框构件内壁顶端2～3cm；
[0029]所述护土网为镀锌铁丝网。
[0030]上述设置和选用具有更优的使用效果。
[0031]作为优选，
[0032]所述菌剂中包括马铃薯-杆草杆菌、依杆式杆菌、曲霉属真菌、解淀粉芽孢杆菌和金花菌。
[0033]所示马铃薯-杆草杆菌、依杆式杆菌和曲霉属真菌协同配合能够有效提高植株根系的固土能力。而解淀粉芽孢杆菌是一种对植物的有益菌，在生长基质中加入大量的解淀粉芽孢杆菌能够增加植株抗性，改善植株在整个生育期内的长势长相，降低作物的发病率，但本申请中的主要功能性由金花菌产生，金花菌可有效分解大分子物质形成小分子物质，供给植株吸收，但是金花菌的过度生长会对植株造成损伤，因此加入部分解淀粉芽孢杆菌能够在实现解淀粉芽孢杆菌自身对植株所能产生的有益作用的同时，进一步抑制金花菌的过度生长繁殖，形成一个较为平衡的菌落环境。
[0034]菌剂可由常规方法进行制备，也可由下述工艺进行制备：
[0035]先对发酵罐进行空消，然后加入培养基后进行实消，空消条件为：压力0.15MPa，温度123℃，时间1h；实消条件为：压力0.20MPa，温度123℃，时间50min；待灭菌完成，培养液温度下降至37℃时，进行取样，利用划线培养和显微镜镜检，无活菌生长，灭菌完成，然后开始接种，接种比例(体积比)为菌种/培养液1:120，随后进行接种；接种开始8h后，进行取样，利用划线培养和显微镜镜检，检测发酵有无污染，随后进行发酵；发酵过程需要控制转速、通气量、发酵温度、发酵时间；所述转速在发酵前6h为80r/min,此后每隔2h转速升高12r，达到140r/min后保持该转速至发酵结束；所述通气量为种子罐发酵前8h保持通风量8m3/h,后每隔1h增加通风量1m3/h，至通风量达到12m3/h时保持发酵至结束，整个过程保持罐压在0.05Mpa；发酵罐前8h保持通风量30m3/h,后每隔1h增加通风量5m3/h，至通风量达到50m3/h时保持发酵至结束，整个过程保持罐压在0.06Mpa；所述发酵进行24h后，进行取样，利用划
线培养和显微镜镜检，检测发酵是否污染和芽孢率，此后每6h进行一次取样检测，直到芽孢率达到95％以上，完成发酵；所述发酵完成后，采用方法为稀释涂板法取样检测发酵液菌量，菌量大于2.0
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109cfu/ml；所述发酵温度为36.5℃～37.5℃。在上述条件下，菌株能够实现良好的发酵、增殖，并且在上述条件下分别培养所需的功能菌后混合制为菌剂即可。
[0036]作为优选，
[0037]所述菌剂中总菌种活性≥320亿个/g；
[0038]菌剂的铺设量为，每100g深层营养土配合在其表面均匀铺设2～3g的菌剂；
[0039]其中：
[0040]解淀粉芽孢杆菌的菌种活性为60～80亿个/g；
[0041]金花菌的菌种活性为140～180亿个/g。
[0042]上述配比所形成的菌落环境对植株的生长最为有利，实际效果最优。
[0043]作为优选，
[0044]所述生态砼中含有缓释肥；
[0045]缓释肥的含量为6～8wt％。
[0046]缓释肥能够缓慢且长期地释放肥料，对于消落本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种库区消落带植物种植方法，其特征在于，所述方法包括：1)植前对消落带进行预处理，并挖设植生穴；2)在植生穴内种植植株，在植生穴周围铺设防冲刷型护坡构件；3)在植生穴内铺设深层营养土，在深层营养土表面施加菌剂、并铺设苔藓类植物或藻类植物，再进一步铺设浅层营养土，最后利用生态砼填平植生穴。2.根据权利要求1所述的一种库区消落带植物种植方法，其特征在于，所述植生穴呈正六边形点阵分布。3.根据权利要求1所述的一种库区消落带植物种植方法，其特征在于，所述防冲刷型护坡构件为：由若干个边框构件首尾相接形成闭合的结构；所述边框构件截面为三角形，其所围设形成的防冲刷型护坡构件内高大于外高。4.根据权利要求3所述的一种库区消落带植物种植方法，其特征在于，所述边框构件内壁设有钩挂结构；所述防冲刷型护坡构件相对应设有护土网。5.根据权利要求4所述的一种库区消落带植物种植方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：金卫锋，张建和，
申请(专利权)人：杭州元成规划设计集团有限公司，
类型：发明
国别省市：