脉冲电镀法制备BiVO4薄膜电极的制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种脉冲电镀法制备BiVO4薄膜电极的制备方法和用途。该方法包括以下步骤：在预设的仪器参数下，将预处理过的FTO导电玻璃浸入预先配制好的KI和Bi(NO3)3的乙二醇混合溶液中，插入电极进行脉冲电镀；在脉冲电镀后的FTO导电玻璃表面滴加含乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜溶液，然后置于马弗炉中煅烧，得到覆盖着BiVO4和其他杂质的FTO导电玻璃；再将煅烧后的FTO导电玻璃浸泡于NaOH溶液中至其表面黑色物质脱落。本发明专利技术使用脉冲电镀法制备了更致密的BiVO4薄膜电极，可进一步增加BiVO4材料的吸附性，提高光生载流子的分离效率，使其更加稳定，在可见光下展现出良好的光电转换性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
脉冲电镀法制备BiVO4薄膜电极的制备方法和应用


[0001]本专利技术属于环境学领域，具体涉及一种脉冲电镀法制备BiVO4薄膜电极的制备方法和应用。

技术介绍

[0002]由于抗生素的生物难降解性，传统污水处理技术难以将其去除，急需开发新科技、新技术解决抗生素污染问题。作为高级氧化技术的一种，光电催化技术是一种去除水体中抗生素污染的理想途径，研究可见光诱导型催化材料已成为当今发展趋势。可见光响应半导体催化材料种类繁多，通常其禁带宽度需满足在1.55eV到3.1eV范围内。其中，BiVO4被认为是最具应用前景的光催化剂之一，它在水分解和有机污染物降解等研究方向表现出极高的光电催化活性。 BiVO4具有耐光蚀性、成本低以及无毒等优异性质；其带隙约为2.4eV，可见光吸收性能优异。BiVO4的价带位置相对于可逆氢电极(RHE)约为2.7eV，可将 OH
‑
氧化成具有强氧化性的羟基自由基(
·
OH)，从而提高污染物的降解速率。
[0003]自科学家于1964年首次成功制备了单斜晶型的BiVO4后，越来越多的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种脉冲电镀法制备BiVO4薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)以乙二醇为溶剂，配制KI和Bi(NO3)3的混合溶液；(2)设置电镀仪器的参数，将预处理过的FTO导电玻璃浸入步骤(1)配制好的电解液中，插上电极，进行脉冲电镀，得到沉积了金属Bi的FTO导电玻璃；(3)在步骤(2)脉冲电镀后的FTO导电玻璃表面滴加含乙酰丙酮氧钒的二甲基亚砜溶液，然后放入马弗炉中煅烧；(4)将步骤(3)煅烧后的FTO导电玻璃放入NaOH溶液中浸泡除去杂质制得BiVO4薄膜电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述混合溶液中KI的浓度为0.4mol/L，Bi(NO3)3的浓度为0.04mol/L；所述混合溶液的pH为1～2。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述脉冲电镀是在常温下进行；脉冲电镀参数为：高电平
‑
0.6～+0.4V，低电平
‑
2.0～
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐一鸣，陈晓，廖雨欣，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：