高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆及其制备方法技术

技术编号:31236587 阅读:15 留言:0更新日期:2021-12-08 10:20
本发明专利技术提供一种高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。本发明专利技术的高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆包括:80wt%

【技术实现步骤摘要】
高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆及其制备方法


[0001]本专利技术属于太阳能电池
,具体涉及一种高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆以及一种高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆的制备方法。

技术介绍

[0002]影响太阳能电池效率损失的因素主要有:栅线遮蔽因素、栅线及其接触电阻因素及载流子复合因素。为了解决这些损失因素,目前主要解决办法是:“高方阻、浅结、密植”,即将硅片方阻做高、硅片PN结离前表面更近、电池片副栅宽度更细数量更多。
[0003]其中,硅片方阻是由掺杂浓度决定,掺杂浓度越高,硅片方阻就越低,但是,高的掺杂浓度会使得载流子复合率提高,过高的掺杂甚至使表面出现“死层”,即在此层内光激发产生的载流子立即被复合,完全没有机会被PN结收集;深结的不利因素与入射光的吸收衰减及光激发非平衡载流子被PN结所收集的几率分布有关,这样的分布组合使表层激发的大量载流子不能被PN结收集而损失,所以,在工艺许可的条件下,应尽可能地使PN结向表面靠近。
[0004]为提高晶硅电池的光电转换效率,电池方阻不断提升,目前可达120Ω/

(欧姆/方)以上,传统的正面银浆已经不能满足高方阻工艺的需要,因为高方阻的硅基电池的PN结较浅,现有的浆料往往击穿PN结影响电池效率。所以目前大多通过使用具有合适软化点的玻璃粉,以实现既能充分刻蚀SiNx减反膜形成良好的欧姆接触的同时,又不蚀穿PN结。例如,现有技术之一的中国专利CN106816199B提出了采用软化点范围为500

800℃的玻璃粉,在此范围内能充分刻蚀SiNx减反膜又不蚀穿PN结,满足丝网印刷的要求。但是上述软化点范围的玻璃粉需要特别元素进行制备,增加了制备太阳能电池的工艺复杂性。
[0005]基于上述问题,有必要开发一种适合高方阻太阳能电池的浆料。

技术实现思路

[0006]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆以及一种高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆的制备方法。
[0007]本专利技术的一方面,提供一种高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆,包括:80wt%

90wt%的银粉;0.5wt%

2wt%的铝粉;1wt%

6wt%的玻璃粉;1wt%

10wt%的有机载体;以及,0.01wt%

2wt%的添加剂。
[0008]在一些实施方式中,所述添加剂包括粉体与包覆在所述粉体表面的分散剂。
[0009]在一些实施方式中,所述粉体包括至少一种单相混合物,所述单相混合物为硅、铝、锌、铋、锑、硼和锆中的至少一种元素。
[0010]在一些实施方式中,所述单相混合物为氧化物或碳酸根化合物。
[0011]在一些实施方式中,所述分散剂包括含颜料基团共聚物、高度枝化结构聚酯、脂肪酸类、聚酰胺类、含酸性基团共聚物中的至少一种。
[0012]在一些实施方式中,所述添加剂的粒径范围为1nm~800nm;和/或,所述添加剂的比表面积范围为10cm2/g~500cm2/g,和/或,所述添加剂的纯度≥95%。
[0013]在一些实施方式中,所述银粉的中值粒径D50范围为1
µ
m~2
µ
m,振实密度范围为4g/cm3~6g/cm3,比表面积范围为0.5cm2/g~5cm2/g。
[0014]本专利技术的另一方面,提供一种高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆的制备方法,包括:对粉体进行分散处理,以得到添加剂;将所述添加剂、有机载体、玻璃粉、银粉、铝粉进行混合,以得到所述高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆。
[0015]在一些实施方式中,所述对粉体进行分散处理,以得到添加剂,包括:将所述粉体、分散剂以及溶剂混合并进行搅拌分散处理,以在所述粉体表面包覆有分散剂,得到所述添加剂。
[0016]在一些实施方式中,所述溶剂包括二乙二醇丁醚、聚甲氧基二甲醚、丁基卡必醇、邻苯二甲酸二丁酯、二乙二醇丁醚醋酸酯中的至少一种。
[0017]本专利技术提供一种高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆,包括:80wt%

90wt%的银粉;0.5wt%

2wt%的铝粉;1wt%

6wt%的玻璃粉;1wt%

10wt%的有机载体;以及,0.01wt%

2wt%的添加剂。本专利技术在银铝浆中添加合适的添加剂,通过该添加剂包覆在玻璃粉上,可有效抑制玻璃粉对PN结的损伤,使得玻璃粉既能腐蚀硅片表面的SiNx层,又不会击穿PN结,金属和硅之间形成良好的欧姆接触,进而提高光电转换效率。
附图说明
[0018]图1为本专利技术一实施例的一种高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆的制备方法的流程框图。
具体实施方式
[0019]为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。显然,所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护范围。
[0020]除非另外具体说明,本专利技术中使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术中使用的“包括”或者“包含”等既不限定所提及的形状、数字、步骤、动作、操作、构件、原件和/或它们的组,也不排除出现或加入一个或多个其他不同的形状、数字、步骤、动作、操作、构件、原件和/或它们的组。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示技术特征的数量与顺序。
[0021]本专利技术的一方面,提供一种高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆,包括:
80wt%

90wt%的银粉;0.5wt%

2wt%的铝粉;1wt%

6wt%的玻璃粉;1wt%

10wt%的有机载体;以及,0.01wt%

2wt%的添加剂。该银铝浆的总质量分数为100%。
[0022]从目前的硅基太阳能发展趋势来看,硅片表面高的方块电阻成为主流,因为高方阻硅片提高了短波响应,能有效提高光电转化效率,而高方阻硅基电池的PN结较低方阻的PN结浅,通常的玻璃粉去高温腐蚀,很容易击穿PN结,难以达到应有的效率。基于此,专利技术人经过长期研究发现,太阳能电池用银铝浆主要包括银粉、有机载体、玻璃粉以及铝粉外,添加剂的组成和含量对电池片的最终效率和影响起着至关重要的作用。本申请通过添加剂包覆在玻璃粉上,以抑制玻璃粉对PN结的损伤,使得玻璃粉既能腐蚀硅片表面的SiNx层,又不会击穿PN结,金属和硅之间形成良好的欧姆接触,进而提高光电转换效率,无需单独制备具有合适软化点的玻璃粉。<本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆,其特征在于,包括:80wt%

90wt%的银粉;0.5wt%

2wt%的铝粉;1wt%

6wt%的玻璃粉;1wt%

10wt%的有机载体;以及,0.01wt%

2wt%的添加剂。2.根据权利要求1所述的高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆,其特征在于,所述添加剂包括粉体与包覆在所述粉体表面的分散剂。3.根据权利要求2所述的高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆,其特征在于,所述粉体包括至少一种单相混合物,所述单相混合物为硅、铝、锌、铋、锑、硼和锆中的至少一种元素。4.根据权利要求3所述的高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆,其特征在于,所述单相混合物为氧化物或碳酸根化合物。5.根据权利要求2所述的高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆,其特征在于,所述分散剂包括含颜料基团共聚物、高度枝化结构聚酯、脂肪酸类、聚酰胺类、含酸性基团共聚物中的至少一种。6.根据权利要求1至5任一项所述的高方阻N型太阳能电池正面电极用银铝浆,其特征在于,所述添加剂的粒径范围为1nm

800nm;和/或,所述添加...

【专利技术属性】
技术研发人员:毛平赵新沈昕
申请(专利权)人:南通天晟新能源科技有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1