一种新的低温制备CsPbI2Br高质量钙钛矿的方法及其用途技术

本发明专利技术提供了一种新的在低温下制备高质量钙钛矿的方法，其特征在于使用一步沉积法制备CsPbI2Br钙钛矿薄膜的过程中，通过使用添加剂PA(3

【技术实现步骤摘要】
一种新的低温制备CsPbI2Br高质量钙钛矿的方法及其用途


[0001]本专利技术属于新能源
，具体涉及高效稳定CsPbI2Br钙钛矿太阳能电池制备。
[0002]
技术介绍

[0003]太阳能作为一种新能源得到了广泛的关注，钙钛矿太阳能电池的发展也十分迅速，在众多研究人员的努力下，通过改善制备技术，结晶调制，界面调控等方法将电池的功率转换效率（PCE）提升至25.2% (Best Research
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Cell Efficiencies,s://www.nrel.gov/pv/assets/dfs/est
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research
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cell
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efficiencies. 20190802.pdf (accessed: August 2019),但稳定性问题是制约钙钛矿太阳能电池进一步发展和商业化的主要障碍。相比于有机无机复合钙钛矿太阳能电池而言，全无机钙钛矿太阳能电池虽然效率较低，但其良好的热稳定性也受到了广泛关注。但对于全无机钙钛矿来说，CsPbX3中有光学活性的α相要在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温制备高效稳定CsPbI2Br钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于一步法制备CsPbI2Br钙钛矿薄膜的过程中，通过使用添加剂，改善了钙钛矿薄膜的生长过程，从而在低温条件下制备高效稳定CsPbI2Br钙钛矿太阳能电池。2.一种如权利要求1所述制备高效稳定CsPbI2Br钙钛矿薄膜的步骤包括如下：（1）在CsPbI2Br前驱体溶液中加入添加剂；（2）在常温下，将CsPbI2Br前驱体溶液旋涂在基底上；（3）旋涂过程中使用反溶剂；（4）退火制备CsPbI2Br钙钛矿薄膜；（5）表面刮涂碳电极，制备CsPbI2Br钙钛矿太阳能电池。3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，添加剂改善了钙钛矿薄膜晶体生长过程，在低温退火过程中，钙钛矿结晶过程容易存在反应不完全的现象，在结晶过程中Cs
+
与Br
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容易结合为难溶的残留的CsBr析出，CsBr的析出也会导致PbI2的残留，这对器件的性能有很大的影响，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王多发，许鑫宇，邢楚武，章天金，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：