【技术实现步骤摘要】
电晕放电离子源组件及离子迁移谱仪
[0001]本专利技术涉及分析测试及安全检测
，特别是涉及一种电晕放电离子源组件及离子迁移谱仪。
技术介绍
[0002]离子迁移谱技术是一种基于分子水平的痕量检测技术，它依据不同离子在均匀弱电场下漂移速率的差异实现物质的分离定性。因具有结构简单、高灵敏、检测迅速等的优点，离子迁移谱仪已被广泛地应用于防化、反恐、防爆、缉毒等领域，成为痕量物质现场快速侦察的主流技术。
[0003]离子源是离子迁移谱仪的核心部件，其作用是将待测样品分子在大气压条件下电离成带电离子群，带电离子群经周期性开启的离子门到达迁移区，并在迁移区的均匀弱电场作用下得到分离，经分离的离子群最后被电荷接收极接收和检测。当在迁移管上施加正极性高压时，离子迁移谱仪工作在正模式下，可以完成对正离子的检测，主要实现对毒品、化学试剂、有毒有害气体和熵炸药(TATP)的检测；当施加在漂移管上的高压为负极性的高压时，离子迁移谱仪工作在负模式下，可以完成对大多数爆炸物(含氮化合物)的检测。
[0004]随着电离技术的发展，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电晕放电离子源组件，其特征在于，所述电晕放电离子源组件包括：电晕区，设置有相互独立的第一电晕电离机构及第二电晕电离机构，所述第一电晕电离机构与所述第二电晕电离机构相互绝缘且间隔设置，所述第一电晕电离机构与脉冲直流正高压接通，用于产生正电晕；所述第二电晕电离机构与脉冲直流负高压接通，用于产生负电晕；排斥区，位于所述电晕区前端，设置有第一排斥电极及第二排斥电极，所述第一排斥电极位于所述第一电晕电离机构前端，所述第二排斥电极位于所述第二电晕电离机构前端；反应区，位于所述电晕区后端，设置有反应区电极，所述反应区电极环设于所述电晕放电离子源组件的后端内部；进样口，设置在所述电晕区与所述反应区之间侧壁上；绝缘主体，内嵌有所述电晕放电离子源组件的上述各部件。2.根据权利要求1所述的电晕放电离子源组件，其特征在于：所述第一电晕电离机构与所述第二电晕电离机构结构相同，包括：电晕电极、电晕针组件及电晕放电筒；其中，所述电晕电极为管状电极，贯穿于所述电晕放电离子源组件的侧壁，可排出电晕废气；所述电晕电极与所述电晕针组件电连接，所述电晕针组件包括由若干电晕针均匀排列而形成的针阵列，所述电晕针组件用于电晕放电；所述电晕放电筒环绕所述电晕针组件，并与所述电晕针组件形成针
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筒放电结构。3.根据权利要求2所述的电晕放电离子源组件，其特征在于：所述电晕电极的高度可上下调节，附带所述电晕针组件的高度也可上下调节。4.根据权利要求2所述的电晕放电离子源组件，其特征在于：所述电晕电极上还设置有电极引线，所述电晕电极与所述电极引线为一体式结构。5.根据权利要求1所述的电晕放电离子源组件，其特征在于：所述绝缘主体为具有绝缘性的PEEK或陶瓷主体。6.一种离子迁移谱仪，其特征在于，所述离子迁移谱仪包括上述权利要求1
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5任一所述的电晕放电离子源组件，还包括一迁移管，所述迁移管的前端与所述电晕放电离子源组件的后端连接，所述迁移管包括：存储区，位于所述迁移管的前端，从前往后依次设置有存储门栅电极、第一离子门及离子注入门栅电极，其中，所述存储门栅电极为从前往后收口的喇叭状结构；迁移区，位于所述存储区的后端，设置有若干环形的迁移电极及若干环形的绝缘垫片，若干所述迁移电极与若干所述绝缘垫片沿所述迁移管的中轴线方向交替排布；排出气管，设置在所述存储区与所述迁移区之间的侧壁上；法拉第屏蔽电极，设置在所述迁移区的后端；法拉第杯，固定嵌入所述法拉第屏蔽电极中；迁移气进气管，设置在所述法拉第屏蔽电极的侧壁上。7.根据权利要求6所述的离子迁移谱仪，其特征在于，所述离子迁移谱仪还包括气路系统，所述气路系统包括进样气路模块，其中，所述进样气路模块与所述进样口连通，所述进样气路模块包括主气路模块及相互并联的校准气路模块和支气路模块，其中，所述校准气路模块中设有校准物；所述进样气路模块中还设有二位三通电磁阀，所述相互并联的校准气路模块和支气路模块通过所述二位三通电磁阀与所述主气路模块串联，所述二位三通电
磁阀的第一端口与所述主气路模块连通，所述二位三通电磁阀的第二端口与所述校准气路模块连通，所述二位三通电磁阀的第三端口与所述支气路模块连通。8.根据权利要求7所述的离子迁移谱仪，其特征在于：所述气路系统还包括循环气路模块，所述循环气路模块的一端分别与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱伟平，黄翌敏，
申请(专利权)人：奕瑞影像科技成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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