一种硫硒化锑薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硫硒化锑薄膜的制备方法，通过将硒化锑加入到乙二胺和乙二硫醇的混合溶液中配制电沉积液，再通过导电玻璃在电沉积液中进行恒电位电沉积，使位于阴极上的导电玻璃上的电极表面沉积出一层预制膜，再通过沉积有预制膜的导电玻璃在氮气气氛下进行热处理，最终获得硫硒化锑薄膜，本发明专利技术提供的硫硒化锑薄膜的制备方法，可精准控制沉积厚度、以及沉积在导电玻璃上的物质的化学组成，并且通过本发明专利技术获得的硫硒化锑薄膜还具有厚度均匀、不易脱落、制备工艺简单、以及操作容易等优点；同时，本发明专利技术还能够通过改变电沉积液中Sb2Se3的添加含量，实现调控Sb2Se

【技术实现步骤摘要】
一种硫硒化锑薄膜的制备方法


[0001]本专利技术属于功能材料领域，具体涉及一种硫硒化锑薄膜的制备方法。

技术介绍

[0002]由于Sb2S3在地壳中含量丰富、安全无毒，所以在催化和太阳能领域有较为广泛的应用，Sb2S3的禁带宽度较大，约为1.7eV，因此，其制备出的器件会具有相对较高的开路电压，但是Sb2S3的禁带宽度过大也会使薄膜对光的利用率降低、光响应范围变窄、短路电流密度相应较小，因此，一定程度上限制了器件的性能。虽然，可以通过增加吸收层厚度和能带工程提高Sb2S3薄膜光吸收强度，但是增加吸收层厚度对材料晶体结构要求相对较高，所以采用优化能级结构的方法来提高Sb2S3薄膜的光吸收强度可行性更高。
[0003]Sb2S3与Sb2Se3有一样的辉锑矿结构，S元素和Se元素的相互交换可以得Sb2Se
x
S3‑
X
,
[0004]Sb2S3的禁带宽度为1.7eV，Sb2Se3的禁带宽度为1.1eV，因此，将两者掺杂可有效调节过大的禁带宽度，以提高光吸收强度。2009年美国亚利桑那大学学者在利用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硫硒化锑薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将乙二胺和乙二硫醇按体积比为1:10混合，再在上述混合溶液中加入硒化锑，制得电沉积液；(2)在电解槽中加入步骤(1)制得的电沉积液，将两块导电玻璃相对电解槽中的液面垂直放置，并保持两块导电玻璃相互平行；(3)对两块导电玻璃进行恒电位电沉积，使位于阴极上的导电玻璃上的电极表面沉积出一层预制膜；(4)将沉积有预制膜的导电玻璃在氮气气氛下进行热处理，经自然冷却到室温后，获得硫硒化锑薄膜。2.根据权利要求1所述的硫硒化锑薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中硒化锑的加入质量为0.01
‑
0.03g。3.根据权利要求1所述的硫硒化锑薄膜的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中的对两块导电玻璃进行恒电位电沉积时，沉积电压为2.0
...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯文龙，陆蕾，张文婧，张建平，尹庚文，杨越冬，张海全，
申请(专利权)人：河北科技师范学院，
类型：发明
国别省市：